显示面板、显示装置及显示面板的制作方法制造方法及图纸

本申请实施例提供了一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法，显示面板包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管包括第一衬底和依次设置的第一有源层、第一栅极绝缘层、第一栅极层、第一介质层间绝缘层；第二薄膜晶体管包括依次设于第一介质层间绝缘层一侧的第二有源层、第二栅极绝缘层、第二栅极层、第二介质层间绝缘层；第一有源层为多晶硅半导体，第二有源层为氧化物半导体；第一介质层间绝缘层设有延伸至所述第一栅极绝缘层内第三过孔。本申请在形成第二薄膜晶体管之前通过第三过孔进行退火工艺，避免退火工艺多氢和高温制程会影响到第二薄膜晶体管器件性能，有利于提升第二薄膜晶体管器件稳定性。利于提升第二薄膜晶体管器件稳定性。利于提升第二薄膜晶体管器件稳定性。

【技术实现步骤摘要】
显示面板、显示装置及显示面板的制作方法


[0001]本申请涉及显示面板
，特别是涉及一种显示面板、显示装置及显示面板的制作方法。

技术介绍

[0002]低温多晶硅半导体(Low Temperature Polycrystalline Silicon，LTPS)和氧化物半导体(Oxide)是显示行业备受关注的两种半导体，它们各具优势。LTPS具有迁移率高，充电快的优势，通常应用在中小尺寸显示装置中，Oxide具有漏电流低，结构简单成本低廉的优势，通常应用在中大尺寸显示装置中。如果能将这两种材料的优势结合在一起，形成LTPO(Low Temperature Polycrystalline Oxide，低温多晶氧化物)产品，可以使显示面板同时具有强驱动能力和低功率消耗的特点，同时适用于高频显示和低频显示，使得显示产品的用户体验大幅提升。
[0003]相关技术中，通过CNT Anneal(Contact Anneal，退火)工艺来改善LTPS的器件特性，CNT Anneal工艺来改善LTPS工艺过程中多H(氢)和高温制程会影响到Oxide本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括显示区和非显示区，所述显示区至少包括沿所述显示面板的长度方向间隔设置的多个第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；所述第一薄膜晶体管至少包括第一衬底和沿远离所述第一衬底的方向依次设置的第一有源层、第一栅极绝缘层、第一栅极层、第一介质层间绝缘层；所述第二薄膜晶体管至少包括沿远离所述第一衬底的方向依次设于所述第一介质层间绝缘层一侧的第二有源层、第二栅极绝缘层、第二栅极层、第二介质层间绝缘层；所述第二介质层间绝缘层设有第一过孔和第二过孔，所述第一薄膜晶体管还包括与所述第一有源层通过所述第一过孔电连接的第一源极和第一漏极，所述第一过孔延伸至所述第一有源层远离所述第一衬底的表面或者内部，所述第一有源层的材质包括多晶硅半导体；所述第一薄膜晶体管还包括与所述第二有源层通过所述第二过孔电连接第二源极和第二漏极；所述第二过孔延伸至所述第二有源层远离所述第一衬底的表面或者内部，所述第二有源层的材质包括氧化物半导体；所述显示区的所述第一介质层间绝缘层设有多个第三过孔，所述第三过孔延伸至所述第一栅极绝缘层内，且所述第二栅极绝缘层和所述第二介质层间绝缘层覆盖所述第三过孔。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第三过孔的至少部分位于所述第一有源层远离所述第一衬底的表面。3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述第三过孔与所述第一过孔部分重叠，或者所述第三过孔包围所述第一过孔。4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板的非显示区还包括周边区和弯折区，所述周边区包括第四过孔，所述弯折区包括第五过孔，沿靠近所述第一衬底的方向，所述第四过孔和所述第五过孔依次贯穿所述第二介质层间绝缘层、所述第二栅极绝缘层，并延伸至所述第一衬底内。5.根据权利要求1
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4中任一项所述的显示面板，其特征在于，所述第一栅极层远离所述第一衬底的一侧还设有存储电容电极，所述存储电容电极与所述第一栅极层之间设有第三栅极绝缘层，所述存储电容电极与所述第一栅极层构成存储电容。6.根据权利要求1
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4中任一项所述的显示面板，其特征在于，所述第一介质层间绝缘层与所述第二有源层之间设有第一缓冲层，所述第一缓冲层与所述第三过孔相对的位置设有第六过孔，所述第六过孔与所述第三过孔连通。7.根据权利要求1
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4中任一项所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨维，袁广才，宁策，王利忠，童彬彬，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：