光致抗蚀剂组合物及图案形成方法技术

光致抗蚀剂组合物及图案形成方法。一种聚合物，其包含第一重复单元和第二重复单元，所述第一重复单元衍生自包括单个酯缩醛基团的第一单体，所述第二重复单元衍生自包括多个酯缩醛基团的第二单体。缩醛基团的第二单体。

【技术实现步骤摘要】
光致抗蚀剂组合物及图案形成方法


[0001]本专利技术涉及光致抗蚀剂组合物以及使用此类光致抗蚀剂组合物的图案形成方法。本专利技术在半导体制造工业中在光刻应用中找到了特定可用性。

技术介绍

[0002]光致抗蚀剂材料是典型地用于将图像转移到布置在半导体基底上的一个或多个下层，如金属、半导体、或介电层上的光敏感组合物。为了增加半导体装置的集成密度并且允许形成具有在纳米范围内的尺寸的结构，已经并且继续开发具有高分辨率能力的光致抗蚀剂和光刻处理工具。
[0003]现有技术的光刻图案化工艺目前采用ArF(193nm)浸没式扫描仪来处理尺寸小于60纳米(nm)的晶片。将ArF光刻推向小于60nm的临界尺寸在以下方面对光致抗蚀剂的功能提出了一些挑战：工艺窗口、线宽粗糙度(LWR)以及用于大规模集成电路制造的其他关键参数。所有这些参数都必须在下一代配制品中着手解决。随着高级节点中图案尺寸的减小，LWR值并未以相同的速率同时减小，从而在这些前沿节点的处理过程中形成了重要的变化来源。工艺窗口的改进对于实现集成电路制造的高产量也很有用。<br/>[0004]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种聚合物，其包含：衍生自包括单个酯缩醛基团的第一单体的第一重复单元，以及衍生自包括多个酯缩醛基团的第二单体的第二重复单元。2.如权利要求1所述的聚合物，其中，所述第一单体和所述第二单体各自包括碳
‑
碳不饱和乙烯基。3.如权利要求1或2所述的聚合物，其中，所述第一单体具有式(1)：其中，R
a
是氢、氟、氰基、取代或未取代的C1‑
10
烷基；R1和R2各自独立地是氢、取代或未取代的C1‑
20
烷基、取代或未取代的C3‑
20
环烷基、取代或未取代的C3‑
20
杂环烷基、取代或未取代的C6‑
20
芳基、取代或未取代的C7‑
30
芳基烷基、取代或未取代的C7‑
30
烷基芳基、取代或未取代的C3‑
20
杂芳基、取代或未取代的C4‑
30
杂芳基烷基、或取代或未取代的C4‑
30
烷基杂芳基，其中R1和R2中的每个任选地进一步包含作为其结构的一部分的二价连接基团；R1和R2通过单键或二价连接基团任选地一起形成环，其中所述环是取代或未取代的；R3是取代或未取代的C1‑
20
烷基、取代或未取代的C3‑
20
环烷基、或取代或未取代的C3‑
20
杂环烷基，其中R3任选地进一步包括作为其结构的一部分的二价连接基团；并且R1或R2之一任选地与R3一起通过单键或二价连接基团形成环，其中所述环是取代或未取代的。4.如权利要求1至3中任一项所述的聚合物，其中，所述第二单体具有式(5)：其中，R
e
和R
f
各自独立地是氢、氟、氰基、或取代或未取代的C1‑
10
烷基；R

【专利技术属性】
技术研发人员：I，
申请(专利权)人：罗门哈斯电子材料有限责任公司，
类型：发明
国别省市：