一种延迟可调的PSRAM接口控制模块及控制器制造技术

本发明专利技术提供了一种延迟可调的PSRAM接口控制模块，包括：接口状态机、发送同步缓存、发送延迟链、接收延迟链、接收异步缓存和IO；其中接口状态机为接收系统控制模块提供的PSRAM命令、地址、数据，按照PSRAM设备要求的时序发送；发送同步缓存用来存储数据等待状态机进入写状态之后按时序发送；发送延迟链包含对称延迟链和非对称延迟链，用于调整发送时钟和其他信号的延迟关系；接收延迟链包含两级对称延迟链，用于调整接收STROBE信号和DQ之间相位关系；接收异步缓存用于接收STROBE上升沿和下降沿对应的数据，并同步到psram_clk时钟域。本发明专利技术的延迟可调的PSRAM接口控制模块整无需DLL和模拟pad。和模拟pad。和模拟pad。

【技术实现步骤摘要】
一种延迟可调的PSRAM接口控制模块及控制器


[0001]本专利技术涉及存储器
，具体来说，涉及一种延迟可调的PSRAM接口控制模块及控制器。

技术介绍

[0002]伪静态随机存储器(Pseudo Static Random Access Memory，即PSRAM)架构上是一种介于动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)和静态随机存取存储器(Static Random Access Memory，SRAM)之间的一种设备。对比DRAM，PSRAM具有结构简单易于集成、接口位数少硬件系统易于实现、功耗低等优点；同时也有容量小、传输速度慢等缺点。对比SRAM，PSRAM具有容量大、功耗低等优点；也有需要控制器导致设计复杂等缺点。由此可以看出PSRAM在性能、复杂度上也是介于DRAM和SRAM之间术，在IoT等特定领域中也可以发挥出优于二者的效果。
[0003]本文提供的背景描述用于总体上呈现本公开的上下文的目的。除非本文另外指示，在该章节中描述的资料不是该申请的权利要求的现有技术并且不本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种延迟可调的PSRAM接口控制模块，其特征在于：包括：接口状态机、发送同步缓存、发送延迟链、接收延迟链、接收异步缓存和IO；其中接口状态机为接收系统控制模块提供的PSRAM命令、地址、数据，按照PSRAM设备要求的时序发送；发送同步缓存用来存储数据等待状态机进入写状态之后按时序发送；发送延迟链包含对称延迟链和非对称延迟链，用于调整发送时钟和其他信号的延迟关系；接收延迟链包含两级对称延迟链，用于调整接收STROBE信号和DQ之间相位关系；接收异步缓存用于接收STROBE上升沿和下降沿对应的数据，并同步到psram_clk时钟域。2.根据权利要求1所述的延迟可调的PSRAM接口控制模块，其特征在于：所述psram_clk的时钟为PSRAM设备时钟频率的2倍。3.根据权利要求1所述的延迟可调的PSRAM接口控制模块，其特征在于：所述非对称延迟链为多个上升和下降沿延迟差距大于一阈值的标准单元和反相器串联而成。4.根据权利要求1所述的延迟可调的PSRAM接口控制模块，其特征在于：所述对称延迟链，由上升和下降沿延迟平衡的标准单元串联而成...

【专利技术属性】
技术研发人员：阳志文，李正武，席晨，周宇，李剑新，杨海东，吴晨，朱贤伟，陈南清，邹迎辉，
申请(专利权)人：湖南兴芯微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：