功率放大器结构及其形成方法、电子设备技术

功率放大器结构包括至少一个功率放大器电路。功率放大器电路包括第一类型的晶体管，第一类型的晶体管与第二类型的晶体管串联连接在相同的电源之间。在非限制性非排他性示例中，n型晶体管与p型晶体管串联连接在Vdd之间。功率放大器结构可以包括配置在差分放大器结构中的两个放大器电路。差分放大器结构包括可操作地并联连接在相同的电源之间的两个放大器电路。本发明专利技术的实施例还涉及形成功率放大器结构的方法和电子设备。结构的方法和电子设备。结构的方法和电子设备。

【技术实现步骤摘要】
功率放大器结构及其形成方法、电子设备


[0001]本专利技术的实施例涉及功率放大器结构及其形成方法、电子设备。

技术介绍

[0002]功率放大器用于各种应用中。例如，功率放大器可以用于第五代毫米波(5G)系统。在5G系统中，在功率放大器中，用于高阶调制的更高的线性度可能是期望的，以满足系统中更高的数据速率、更低的延迟要求。额外地或可选地，5G系统中的功率放大器的可靠性也可能是产品寿命的一个问题。热载流子注入(HCI)、时间依赖介电击穿(TDDB)和偏置温度不稳定性(BTI)是可能的可靠性问题。

技术实现思路

[0003]本专利技术的实施例提供了一种功率放大器结构，包括：第一类型的第一晶体管，配置为跨导放大器，所述第一晶体管可操作地连接至第一电源；第二类型的第二晶体管，配置为电流缓冲放大器，所述第二晶体管在中间节点处可操作地连接至所述第一晶体管；第一电感器，可操作地连接在所述第一电源和连接节点之间，所述第二晶体管可操作地连接至所述连接节点；以及第二电感器，可操作地连接在所述中间节点和第二电源之间，其中，所述第一晶体管、所述第二晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率放大器结构，包括：第一类型的第一晶体管，配置为跨导放大器，所述第一晶体管可操作地连接至第一电源；第二类型的第二晶体管，配置为电流缓冲放大器，所述第二晶体管在中间节点处可操作地连接至所述第一晶体管；第一电感器，可操作地连接在所述第一电源和连接节点之间，所述第二晶体管可操作地连接至所述连接节点；以及第二电感器，可操作地连接在所述中间节点和第二电源之间，其中，所述第一晶体管、所述第二晶体管和所述第一电感器串联连接在所述第一电源之间。2.根据权利要求1所述的功率放大器结构，还包括：电阻器，可操作地连接在所述第一晶体管的端子和第三电源之间；以及电容器，可操作地连接至所述第二晶体管的端子。3.根据权利要求2所述的功率放大器结构，还包括第四电源，所述第四电源可操作地连接至所述第二晶体管的所述端子。4.根据权利要求1所述的功率放大器结构，其中：所述第一类型的所述第一晶体管为n型晶体管；所述第二类型的所述第二晶体管为p型晶体管；所述第一电源为Vss；并且所述第二电源为Vdd。5.根据权利要求1所述的功率放大器结构，其中：所述第一类型的所述第一晶体管为p型晶体管；所述第二类型的所述第二晶体管为n型晶体管；所述第一电源为Vdd；并且所述第二电源为Vss。6.根据权利要求1所述的功率放大器结构，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管的每个实现为金属氧化物硅晶体管。7.根据权利要求1所述的功率放大器结构，还包括可操作地连接至所述连接节点的输出信号线。8.根据权利要求1所述的功率放大器结构，其中，所述第一电感器或所述第二电感器中的至少一个实现为共面波导传输线。9.一种电子设备，包括：天线；以及功率放大器结构，可操作地连接至所述天线，所述功率放大器结构包括：第一电感器的第一端子和所述第一电感器的第二端子，所述第一电感器的所述第一端子可...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈文生，叶恩祥，叶子祯，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：