耐切菜板制造技术

技术编号:37124049 阅读:16 留言:0更新日期:2023-04-01 05:20
提供了一种耐切菜板。所述耐切菜板包括:下耐切层;上耐切层,设置在下耐切层上;以及缓冲层,设置在下耐切层与上耐切层之间,其中,上耐切层和下耐切层中的至少一个包括硫酸钙晶须,并且包括在从缓冲层朝向外侧的方向上设置在缓冲层上的多个子层,其中,与缓冲层相邻的子层中的硫酸钙晶须基于与缓冲层相邻的子层的总重量的含量小于最外侧的子层中的硫酸钙晶须基于最外侧的子层的总重量的含量。硫酸钙晶须的添加可以提高耐切菜板的强度和耐切性,减少切割时产生的碎屑。减少切割时产生的碎屑。减少切割时产生的碎屑。

【技术实现步骤摘要】
耐切菜板


[0001]本专利技术涉及炊具领域,更具体地,涉及一种耐切菜板。

技术介绍

[0002]以往的菜板以木块为主,但是木块菜板容易耗损,因此,近来大多以塑料为材料制备塑料菜板。塑料菜板性价比高,但是存在如下缺点:不适合切一些油脂大的食物,否则不好清洗;塑料菜板不耐高温,热的东西放在上面切,很容易变形;塑料菜板强度不高,易产生较深的切痕,并且切割时掉粉较多(即,耐切性不足),影响塑料菜板的使用体验。

技术实现思路

[0003]为了解决上述技术问题,本专利技术的目的在于提供一种耐切菜板,该耐切菜板的耐切层包括具有不同重量比的硫酸钙晶须的多个子层,由此可以提高耐切菜板的强度和耐切性,减少切割时产生的碎屑。
[0004]根据本专利技术的一方面,一种耐切菜板包括:下耐切层;上耐切层,设置在下耐切层上;以及缓冲层,设置在下耐切层与上耐切层之间,其中,上耐切层和下耐切层中的至少一个包括硫酸钙晶须,并且包括在从缓冲层朝向外侧的方向上层叠设置在缓冲层上的多个子层,其中,与缓冲层相邻的子层中的硫酸钙晶须基于与缓冲层相邻的子层的总重量的含量小于最外侧的子层中的硫酸钙晶须基于最外侧的子层的总重量的含量。
[0005]在本专利技术的实施例中,所述多个子层中的每个中的硫酸钙晶须基于其对应子层的总重量的含量在从缓冲层朝向外侧的方向上可以逐渐增大。
[0006]在本专利技术的实施例中,在所述多个子层之中的位于与缓冲层相邻的子层和最外侧的子层之间的中间子层中的硫酸钙晶须基于中间子层的总重量的含量可以小于与缓冲层相邻的子层中的硫酸钙晶须的含量。
[0007]在本专利技术的实施例中,所述多个子层可以包括:第一子层,设置在缓冲层上且与缓冲层接触;第二子层,设置在第一子层上;以及第三子层,设置在第二子层上。
[0008]在本专利技术的实施例中,第三子层中的硫酸钙晶须的含量可以比第一子层中的硫酸钙晶须的含量多0.6wt%

1.6wt%。
[0009]在本专利技术的实施例中,第一子层基于其总重量可以包括0.3wt%~0.5wt%的硫酸钙晶须,第二子层基于其总重量可以包括0.1wt%~1wt%的硫酸钙晶须,并且第三子层基于其总重量可以包括1wt%~2wt%的硫酸钙晶须。
[0010]在本专利技术的实施例中,第二子层基于其总重量可以包括0.5wt%~1wt%的硫酸钙晶须;或者第二子层基于其总重量可以包括0.1wt%~0.3wt%的硫酸钙晶须。
[0011]在本专利技术的实施例中,硫酸钙晶须在上耐切层和下耐切层中的至少一个中可以横向排列。
[0012]在本专利技术的实施例中,上耐切层和下耐切层可以均具有3~6mm的厚度,并且缓冲层可以具有6~8mm的厚度。
[0013]在本专利技术的实施例中,上耐切层和下耐切层可以包括热塑性聚氨酯,并且缓冲层可以包括间同

l,2

聚丁二烯。
[0014]根据本专利技术的实施例,耐切菜板可以包括下耐切层、上耐切层和置于其间的缓冲层,并且上耐切层和下耐切层中的至少一个包括其中均分散有硫酸钙晶须的多个子层。硫酸钙晶须的添加能够明显地提高耐切菜板的耐切性和刚性。另外,通过控制各个子层中的硫酸钙晶须的含量,使得各个子层之间具有良好的结合力,即使经过多次切割,各个子层之间也不会发生明显的错位。
附图说明
[0015]通过以下结合附图的描述,公开的某些实施例的以上和其他方面、特征和优点将更加明显,在附图中:
[0016]图1是根据本公开的实施例的耐切菜板的示意图;以及
[0017]图2是根据本公开的实施例的耐切菜板的上耐切层的示意图。
具体实施方式
[0018]现在,将在下文中结合示例性实施例更充分地描述本专利技术。然而,本专利技术可以以多种不同的形式来实施,并且不应该被理解为局限于在此提出的示例性实施例。提供这些实施例使本专利技术的公开将是彻底的和完整的,并将本专利技术的范围充分地传达给本领域的技术人员。
[0019]参照图1,根据本专利技术的实施例的耐切菜板包括下耐切层1、设置在下耐切层1上的缓冲层2以及设置在缓冲层2上的上耐切层3。然而,专利技术的实施例不限于此,可以按照上述顺序设置更多数量的耐切层和缓冲层。
[0020]下耐切层1、上耐切层3和缓冲层2可以均包括热塑性弹性体。具体地,下耐切层1和上耐切层3可以包括热塑性聚氨酯(TPU)。缓冲层2可以包括间同

l,2

聚丁二烯(TPB)。热塑性聚氨酯的机械强度和耐磨性好,适用于耐切菜板的耐切层。间同

l,2

聚丁二烯的强度较低、刚性较小,但是其耐用性好,并且具有一定的柔性和橡胶性质,因此,可充当中间的缓冲层2。包括间同

l,2

聚丁二烯的缓冲层2能够减小耐切菜板在切割时受到的力,提高耐切菜板的耐用度,同时降低切菜时的噪音。然而,本专利技术的用于耐切层和缓冲层的材料不限于此,其它任何合适的热塑性弹性体材料也可以应用于耐切层和缓冲层。
[0021]根据本专利技术的实施例的上耐切层3和下耐切层1中的至少一个可以包括硫酸钙晶须,并且包括在从缓冲层2朝向外侧的方向上层叠设置在缓冲层2上的多个子层(多个子层包括两个或更多个子层)。在下文中,为了便于描述,以上耐切层3为例进行了详细描述。
[0022]与缓冲层相邻的子层中的硫酸钙晶须基于与缓冲层相邻的子层的总重量的含量可以小于最外侧的子层中的硫酸钙晶须基于最外侧的子层的总重量的含量。多个子层中的每个中的硫酸钙晶须基于其对应子层的总重量的含量在从缓冲层2朝向外侧的方向上逐渐增大,从而在保证层与层之间的结合力的同时提高了菜板的耐切性。其中,最外侧的子层指的是子层之中的离缓冲层2最远的子层。其中,从缓冲层2朝向外侧的方向指的是远离缓冲层2的方向。
[0023]在多个子层之中的位于与缓冲层2相邻的子层和最外侧的子层之间的中间子层中
的硫酸钙晶须基于中间子层的总重量的含量小于与缓冲层2相邻的子层中的硫酸钙晶须的含量。由于中间子层的硫酸钙晶须的含量比其上下各子层的硫酸钙晶须的含量都小,从而进一步提高了层与层之间的结合力,而且由于最外侧的子层中的硫酸钙晶须的含量高,因此,同样能够保证菜板的耐切性。
[0024]下面主要结合图2来描述本专利技术中的子层具有三个层的情况,然而,本专利技术不限于此。
[0025]参照图2,根据本专利技术的实施例的上耐切层3包括设置在缓冲层2上的第一子层31、设置在第一子层31上的第二子层32以及设置在第二子层32上的第三子层33。第一子层31、第二子层32和第三子层33中的每个包括热塑性聚氨酯和分散在热塑性聚氨酯中的硫酸钙晶须。
[0026]硫酸钙晶须是一种以单晶形式生长的新型针状、具有均匀横截面、完整外形、内部结构完善的纤维亚纳米材料。硫酸钙晶须与其它短纤维相比,具有耐高温、抗化学腐蚀、韧性好、强度高、易进行表面处理等优点。
[0027]在本专利技术的实施例中,本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种耐切菜板,其特征在于,所述耐切菜板包括:下耐切层;上耐切层,设置在下耐切层上;以及缓冲层,设置在下耐切层与上耐切层之间,其中,上耐切层和下耐切层中的至少一个包括硫酸钙晶须,并且包括在从缓冲层朝向外侧的方向上层叠设置在缓冲层上的多个子层,其中,与缓冲层相邻的子层中的硫酸钙晶须基于与缓冲层相邻的子层的总重量的含量小于最外侧的子层中的硫酸钙晶须基于最外侧的子层的总重量的含量。2.根据权利要求1所述的耐切菜板,其特征在于,所述多个子层中的每个中的硫酸钙晶须基于其对应子层的总重量的含量在从缓冲层朝向外侧的方向上逐渐增大。3.根据权利要求1所述的耐切菜板,其特征在于,在所述多个子层之中的位于与缓冲层相邻的子层和最外侧的子层之间的中间子层中的硫酸钙晶须基于中间子层的总重量的含量小于与缓冲层相邻的子层中的硫酸钙晶须的含量。4.根据权利要求1所述的耐切菜板,其特征在于,所述多个子层包括:第一子层,设置在缓冲层上且与缓冲层接触;第二子层,设置在第一子层上;以及第三子层,设置在第二子层上。5.根据权利要求4所述的耐切菜板,其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员:张静瞿义生张明
申请(专利权)人:武汉苏泊尔炊具有限公司
类型:发明
国别省市:

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