一种硅片直径的测量方法、装置及计算机存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术实施例公开了一种硅片直径的测量方法、装置及计算机存储介质；所述测量装置包括：光源模块，用于向待测硅片的边沿发射光束以在设定的基准板上形成第一投影；设置于所述待测硅片边沿且能够旋转的支撑模块，用于支撑所述待测硅片；其中，在所述光源模块向所述待测硅片的边沿发射所述光束后，所述支撑模块旋转设定的角度，且所述光源模块再次向所述待测硅片的边沿发射所述光束以在所述设定的基准板形成第二投影；数据处理模块，经配置为分别获取所述第一投影的直径数据及所述第二投影的直径数据，并根据所述第一投影的直径数据与所述第二投影的直径数据确定所述待测硅片完整周向的直径数据。整周向的直径数据。整周向的直径数据。

【技术实现步骤摘要】
一种硅片直径的测量方法、装置及计算机存储介质


[0001]本专利技术实施例涉及硅片测量
，尤其涉及一种硅片直径的测量方法、装置及计算机存储介质。

技术介绍

[0002]在硅片加工工艺流程中，滚磨的单晶硅棒经切片后，需要对切片所获得的硅片边缘进行滚圆加工，使其边缘能够形成一定的轮廓形状，以提高硅片的机械强度和可加工性，同时将硅片的直径打磨到一定的尺寸，以满足客户的要求；因此，硅片经倒角后需检测其直径是否满足客户规定的要求。此外，硅片在经过抛光工序之后，通常只需要再经过一到两个工序，例如清洗工序和外延工序(如有必要)，就能够向客户交付硅片产品；因此，抛光后的硅片同样也需要对其直径进行测量以检查是否满足客户需求。另一方面，在实际操作中，根据客户的需求，有时也需要向客户提供承载硅片(carrier wafer)，也就是将两片抛光硅片进行叠片处理，在叠片处理时要求上述两片抛光硅片的直径误差为
±
5μm。
[0003]为了测量硅片直径，目前常规方案是借助千分尺或者光学投影的方式通过测量人员进行测量操作。但是依靠人工的手动测量本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅片直径的测量装置，其特征在于，所述测量装置包括：光源模块，用于向待测硅片的边沿发射光束以在设定的基准板上形成第一投影；设置于所述待测硅片边沿且能够旋转的支撑模块，用于支撑所述待测硅片；其中，在所述光源模块向所述待测硅片的边沿发射所述光束后，所述支撑模块旋转设定的角度，且所述光源模块再次向所述待测硅片的边沿发射所述光束以在所述设定的基准板形成第二投影；数据处理模块，经配置为分别获取所述第一投影的直径数据及所述第二投影的直径数据，并根据所述第一投影的直径数据与所述第二投影的直径数据确定所述待测硅片完整周向的直径数据。2.根据权利要求1所述的测量装置，其特征在于，当所述支撑模块旋转所述设定的角度后，所述待测硅片上被所述支撑模块遮挡的部分能够露出。3.根据权利要求1或2所述的测量装置，其特征在于，所述测量装置还包括控制模块，所述控制模块用于控制所述支撑模块旋转所述设定的角度。4.根据权利要求1所述的测量装置，其特征在于，所述数据处理模块，经配置为：在所述第一投影的周向上选取多组第一测量点，并根据所述多组第一测量点之间的距离，获取多组所述第一投影的直径数据；在所述第二投影的周向上选取多组第二测量点，并根据所述多组第二测量点之间的距离，获取多组所述第二投影的直径数据。5.根据权利要求4所述的测量装置，其特征在于，所述数据处理模块，还经配置为：根据多组所述第一投影的直径数据，根据式(1)获得所述待测硅片的第一直径数据；D
1i
＝(d
1i
×
L2)/L1ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
(2)其中，D
1i
表示第i组所述待测硅片的第一直径；d
1i
表示第i组所述第一投影的直径；L2表示所述待测硅片与所述光源模块之间的距离；所述L1表示所述第一投影与所述光源模块之间的距离；根据多组所述第二投影的直径数据，根据式(2)获得多组所述待测硅片的第二直径数据；D
2j
＝(d
2j
×
...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈曦鹏，孙介楠，金花，朴星昱，
申请(专利权)人：西安奕斯伟硅片技术有限公司，
类型：发明
国别省市：