一种非侵入式促进神经元生长发育的方法技术

本发明专利技术公开了一种非侵入式促进神经元生长发育的方法，所述神经元生长发育分别为原代神经元突起长度、胞体面积以及皮层M1区和M2区神经元树突棘密度的变化；利用中心频率为0.138太赫兹、辐射功率为2毫瓦的太赫兹波对原代神经元进行持续三天，每天20min辐射处理；或者利用中心频率为0.138太赫兹、辐射功率为5毫瓦的太赫兹波对麻醉的大鼠皮层区进行3h辐射处理，本发明专利技术利用特定频率和功率的太赫兹波对神经元辐射特定时间，会显著促进神经元生长发育。育。

【技术实现步骤摘要】
一种非侵入式促进神经元生长发育的方法


[0001]本专利技术涉及一种非侵入式促进神经元生长发育的方法，属于神经调控领域。

技术介绍

[0002]目前调控神经元生长发育的手段大致可以归为两类第一类是药物调控，有研究表明，白藜芦醇和阿托伐他汀能够促进正常培养的神经元突起的生长，同时能够改善脑缺血后大鼠神经功能，增强突触素表达。但是，药物在达到预期效果的过程中有许多障碍，这些包括生物利用度差、吸收低(食物效应)、首过代谢、靶向性低和剂量依赖性副作用。第二类为物理调控(声、光、电、磁)，深部脑刺激具有刺激深度深、空间分辨率高的优点，但是其需要植入脉冲刺激器，因此为有创刺激；光遗传技术具有空间精度高、实现对单一细胞控制的优点，但其仍为有创刺激；因此需要一种非侵入式的神经调控技术来调节神经元的生长发育。
[0003]太赫兹波是位于微波和红外线之间的一种电磁辐射，频率范围在0.1太赫兹～10太赫兹，相应的波长在0.03毫米～3毫米之间，它同时具备类光子和类电子的特性。同时太赫兹波相较于其他电磁辐射，没有电离辐射的影响，是非侵入式的，因此具有很大的应用本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种非侵入式促进神经元生长发育的方法，其特征在于：利用中心频率为0.138太赫兹、辐射功率为2毫瓦的太赫兹波对原代神经元进行持续三天，每天20min辐射处理；或者利用中心频率为0.138太赫兹、辐射功率为5毫瓦的太赫兹波对麻醉的大鼠皮层区进行3h辐射处理。2.根据权利要求1所述的一种非侵入式促进神经元生长发育的方法，其特征在于：所述中心频率为0.138太赫兹、辐射功率为2毫瓦的太赫兹波进行辐射处理的第一太赫兹辐射平台，包括第一太赫兹源(1
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1)、斩波器(1
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2)、第一太赫兹透镜(1
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3)、第二太赫兹透镜(1
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7)、反射镜(1
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4)、小型培养箱(1
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5)、培养皿(1
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6)、探测器(1
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8)、小型培养箱控制器(1
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9)、太赫兹功率计(1
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10)；其中，培养皿(1
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6)用于给神经元提供贴壁生长环境；小型培养箱(1
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5)用于给培养皿中的神经元提供适宜的CO2、水、温度；小型培养箱控制器(1
‑
9)用于控制小型培养箱的CO2浓度、温度值；太赫兹功率计(1
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10)用于显示对应的辐射功率值；第一太赫兹源(1
‑
1)发射的太赫兹波依次经过斩波器(1
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2)、将发散的太赫兹波聚焦为平行光的第一太赫兹透镜(1
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3)、改变光路入射方向自下而上进行辐射的反射镜(1
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4)后辐射至培养皿(1
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6)中；培养皿(1
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6)的上方还设置有将辐射的平行光聚为聚焦光的第二太赫兹透镜(1
‑
7)和用于探测对应的太赫兹波的探测器(1
‑
8)。3.根据权利要求2所述的一种非侵入式促进神经元生长发育的方法，其特征在于：所述第一太赫兹源(1
‑
1)为中心频率为0.138太赫兹，功率为30毫瓦的雪崩二极管太赫兹源。4.根据权利要求2所述的一种非侵入式...

【专利技术属性】
技术研发人员：李英伟，马少卿，李小俚，龚士香，路承彪，李志威，周政璇，丁鹏，
申请(专利权)人：燕山大学，
类型：发明
国别省市：