一种新型绝缘结构制造技术

技术编号:37113887 阅读:50 留言:0更新日期:2023-04-01 05:10
本实用新型专利技术公开了一种耐温指数达到H级的新型绝缘结构,包括定子铁心、定子线圈、玻璃布补强的少胶云母带、防晕结构,定子线圈采用玻璃布补强少胶云母带包扎后,分别在直线、端部进行防晕处理,然后下到槽内喷过低阻漆的槽内,通过调整采用垫块调整线圈端部间隙,端部采用端箍进行固定,然后真空压力浸烘环氧酸酐树脂,形成完整的、密闭的绝缘结构,该新型绝缘结构,采用防晕结构解决表面放电问题,为H级10.5kV电机提供了一种绝缘结构,为该领域内高压电机设计和制造提供了解决方案。压电机设计和制造提供了解决方案。压电机设计和制造提供了解决方案。

【技术实现步骤摘要】
一种新型绝缘结构


[0001]本技术属于电机设计
,特别涉及一种新型绝缘结构。

技术介绍

[0002]随着耐高温绝缘材料进步,耐温指数为H级电机已在市场上应用,但对于增安型无火花型的高压防爆电机由于所要求的工作环境特殊,对电机绝缘结构和制造有更改的要求,按照GB3836.3

2021《爆炸性环境 第3部分:由增安型“e”保护的设备》和GB3836.8

2021《爆炸性环境 第8部分:由“n”型保护的设备》标准要求的电机绝缘结构,绝缘系统和连接电缆满足在氢气

空气(21.0%)(v/v)的爆炸性气体混合物中,分别在各相对地之间施加1.5Un 50Hz试验电压,历时3min,不会发生爆炸的要求。现有技术中H级电机由于结构原因,无法通过耐爆冲击试验。
[0003]电机绕组在高压电场中,受到不均衡电场作用,会在线圈表面发生局部放电现象,在在爆炸性气体环境中,这种局部放电会引发气体发生爆炸,造成安全事故。对10.5kV H级电机要解决该问题需要满足两个条件:一个是绝缘材料耐温指数需要达到H级,一个是满足标准要求环境下15.75kV,3min不会发生爆炸。局部放电是发生爆炸的根本原因,而影响局部放电的根本原因是绝缘结构以及相对相、相对地的放电距离。
[0004]由于增安型无火花型电机在工作时,绕组不会产生电弧、火花、高温等缺陷,具有很高的安全性,经常应用于易燃易爆特殊环境中。F级增安型无火花电机已经应用,但对于H级增安型无火花型电机国内还是空缺,本技术的目的在于克服现有技术不足,提供一种耐温指数达到H级的新型绝缘结构。

技术实现思路

[0005]本技术的目的是针对上述现有技术的不足,提供一种新型绝缘结构,通过合理布设绝缘结构和线圈端部间隙及对地间隙,且采用防晕结构使线圈局部电位进行电压释放,满足高压电机设计和制造。
[0006]为解决以上技术问题,本技术采用的技术方案是:
[0007]一种新型绝缘结构,有绕组的定子结构包括定子铁心、防晕结构、定子线圈、端箍以及端部固定垫块;
[0008]所述定子铁心设有铁芯槽,且定子线圈下到铁芯槽中并采用垫块和槽楔对其固定,而定子线圈端部设有端箍并采用绑扎绳固定;
[0009]所述防晕结构包括铁芯槽内防晕和线圈防晕,而线圈防晕包括半叠包的低阻带、半叠包搭接在低阻带上的中阻带及半叠包搭接在中阻带上的高阻带,且低阻带、中阻带及高阻带沿定子线圈的直线部向端部分布。
[0010]所述低阻带采用无碱玻璃丝作为基体材料,并浸涂半导体漆制成,其表面电阻率为500~5000Ω,长度为铁芯长度+(2
×
(40mm~80mm))。
[0011]所述中阻带采用无碱玻璃丝交织带,并浸渍半导体漆制成,其表面电阻率5
×
107‑
1
×
10
10
,中阻带长度为100mm~150mm,且中阻带与低阻带搭接长度为15~40mm。
[0012]所述高阻带采用无碱玻璃丝交织带,并浸渍半导体漆制成,其表面电阻率1
×
109‑9×
10
12
,高阻带长度为100mm~200mm,且其与中阻带搭接长度为15~40mm。
[0013]所述中阻带和高阻带相应区域外侧还半叠包有云母带,而中阻带、高阻带及线圈端部相应区域外表面还半叠包有保护带。
[0014]本技术的有益效果是:
[0015](1)本技术公开了一种耐温指数达到H级的新型绝缘结构,包括定子铁心、定子线圈、玻璃布补强的少胶云母带、防晕结构,定子线圈采用玻璃布补强少胶云母带包扎后,分别在直线、端部进行防晕处理,然后下到槽内喷过低阻漆的槽内,通过调整采用垫块调整线圈端部间隙,端部采用端箍进行固定,然后真空压力浸烘环氧酸酐树脂,形成完整的、密闭的绝缘结构,该新型绝缘结构,采用防晕结构解决表面放电问题,为H级10.5kV及以下增安型无火花型电机提供了一种绝缘结构,为该领域内高压电机设计和制造提供了解决方案。
[0016](2)该结构能够可靠地通过GB3836.3

2021《爆炸性环境 第3部分:由增安型“e”保护的设备》和GB3836.8

2021《爆炸性环境 第8部分:由“n”型保护的设备》标准要求中10.5kV及以下、 H(F)级电机绝缘结构,填补国内空缺。
附图说明
[0017]图1是本技术中有绕组定子结构示意图;
[0018]图2是本技术中有绕组定子端部垫块位置及端部间隙示意图;
[0019]图3是本技术中有绕组定子线圈防晕处理示意图。
具体实施方式
[0020]以下由特定的具体实施例说明本技术的实施方式,熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点及功效。
[0021]本技术提供了一种新型绝缘结构,如图1至图3所示。
[0022]一种新型绝缘结构,有绕组的定子结构包括定子铁心1、防晕结构2、定子线圈3、端箍4以及端部固定垫块;所述定子铁心1设有铁芯槽,且定子线圈3下到铁芯槽中并采用垫块7和槽楔对其固定,而定子线圈3端部设有端箍并采用绑扎绳固定;所述防晕结构2包括线圈防晕,且线圈防晕包括半叠包的低阻带、半叠包搭接在低阻带上的中阻带及半叠包搭接在中阻带上的高阻带,且低阻带、中阻带及高阻带沿定子线圈的直线部向端部分布。
[0023]如图3所示,线圈直线部分半叠包1层特种低阻带33,低阻带33采用无碱玻璃丝作为基体材料,浸涂半导体漆而制成,其表面电阻率500~5000Ω。长度为铁芯长度+(2
×
(40mm~80mm))然后半叠包1层中阻带34,中阻带34由无碱玻璃丝交织带浸渍半导体漆制成,其表面电阻率5
×
107‑1×
10
10
,中阻带34长度100mm~150mm,中阻带34与低阻带33搭接长度为15~40mm,然后再半叠包一层带有非线性系数的特种高阻带35,高阻带35由无碱玻璃丝交织带浸渍半导体漆制成,其表面电阻率1
×
109‑9×
10
12
,高阻带长度100mm~200mm,与中阻带34搭接15~40mm,然后在中阻带34和高阻带35区域半叠包1层少胶云母带5,在中阻区、高阻区及线圈端部外表面半叠包1层保护带6。
[0024]定子线圈的电磁线内31层用聚酰亚胺薄膜带半迭包1层,然后用聚酰亚胺补强云母带绕包一层,最外层采用双玻璃丝绕包而成。
[0025]定子线圈绝缘结构包含以下内容:
[0026]线圈直线部采用多层玻璃布补强少胶云母带5452

1T进行半叠包,单边主绝缘32厚度达到2.3mm~2.8mm,而线圈端部绝缘可少包1层。
[0027]线圈引线绝缘采用半迭包玻璃布补强本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种新型绝缘结构,其特征在于:有绕组的定子结构包括定子铁心、防晕结构、定子线圈、端箍以及端部固定垫块,所述定子铁心设有铁芯槽,且定子线圈下到铁芯槽中并采用垫块和槽楔对其固定,而定子线圈端部设有端箍并采用绑扎绳固定;所述防晕结构包括线圈防晕,且线圈防晕包括半叠包的低阻带、半叠包搭接在低阻带上的中阻带及半叠包搭接在中阻带上的高阻带,且低阻带、中阻带及高阻带沿定子线圈的直线部向端部分布。2.根据权利要求1所述的一种新型绝缘结构,其特征在于:所述低阻带采用无碱玻璃丝作为基体材料,并浸涂半导体漆制成,其表面电阻率为500~5000Ω,长度为铁芯长度+(2
×
(40mm~80mm))。3.根据权利要求1所述的一种新型绝缘结构,其特征在于:所述中阻带采用无碱玻璃...

【专利技术属性】
技术研发人员:胥鹏涛田国群吴宣东王朝宗张慧马志强张森宋牧
申请(专利权)人:卧龙电气南阳防爆集团股份有限公司
类型:新型
国别省市:

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