一种氧化镓单晶片化学机械抛光工艺制造技术

本发明专利技术涉及氧化镓单晶片加工技术领域，公开了一种氧化镓单晶片化学机械抛光工艺，实现方法包括以下步骤：S1、将氧化镓单晶片粘贴在陶瓷盘上；S2、控制气缸压力，并依次进行为粗抛光、精抛光和CMP抛光；S3、对抛光垫的表面进行修整，并对温度进行监测。本发明专利技术依次采用粗抛光、精抛光和CMP抛光的抛光工序，且控制氧化镓单晶片抛光垫的材料、抛光液的黏度、抛光液的PH值、抛光盘的转速、抛光头的转速、抛光温度、抛光速率、抛光压力以及抛光量，可以有效地提高氧化镓单晶片的平整度，降低氧化镓单晶片的粗糙度，同时具有较高的去除速率，减少单晶片总厚度磨损少，对单晶片的表面层和亚表面层损伤小，实现高质量抛光。实现高质量抛光。实现高质量抛光。

【技术实现步骤摘要】
一种氧化镓单晶片化学机械抛光工艺


[0001]本专利技术涉及氧化镓单晶片加工
，具体是一种氧化镓单晶片化学机械抛光工艺。

技术介绍

[0002]氧化镓拥有着超宽带隙、超高临界击穿场强、较短的吸收截止边以及超强的透明导电性等优异的物理性能，其化学和热稳定性也较为良好，同时能以比碳化硅和氮化镓更低的成本获得大尺寸、高质量、可掺杂的块状单晶，为了提高氧化镓单晶片的加工精度，因此需要对其表面进行分子级的抛光，而化学机械抛光可以取得良好的抛光效果，而得到广泛应用。
[0003]中国专利公开了一种易解理氧化镓晶片化学机械抛光工艺、抛光液及其制备方法(公告号CN114231182A)，该专利技术可以提高工作效率，能够使抛光后的氧化镓晶片达到超光滑的表面，但是其厚度磨损较大，表面层和亚表面层质量不佳。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种氧化镓单晶片化学机械抛光工艺，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
[0006]一种氧化镓单晶片化学机械抛光本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氧化镓单晶片化学机械抛光工艺，其特征在于，实现方法包括以下步骤：S1、通过蜡层(10)将待抛光的氧化镓单晶片(11)粘贴在陶瓷盘(9)上，将抛光垫(2)安装在抛光盘(1)上；将调温水管(12)与外部的循环水泵相连接，根据需要通过循环水泵将不同温度的冷却水注入到调温水管(12)中；S2、通过抛光盘(1)带动抛光垫(2)顺时针旋转；通过抛光头(7)带动氧化镓单晶片(11)逆时针旋转；通过注液机(6)向氧化镓单晶片(11)和抛光垫(2)之间注入抛光液；同时通过气缸(8)对陶瓷盘(9)施加压力，使得氧化镓单晶片(11)与抛光垫(2)保持设定的压力值；从而便可以对氧化镓单晶片(11)进行化学机械抛光作业；抛光分为三道工序，分别为粗抛光、精抛光和CMP抛光；S3、在抛光过程中，通过修整器(3)对抛光垫(2)的表面进行修整，通过红外传感器(4)对抛光垫(2)的表面温度进行监测，当温度超过设定值时，通过循环水管(12)对抛光垫(2)进行升降温处理，使其温度控制在设定值内。2.根据权利要求1所述的一种氧化镓单晶片化学机械抛光工艺，其特征在于，所述S2步骤中粗抛光工序的技术条件如下：抛光垫(2)采用聚氨酯抛光垫开槽20
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20方格，抛光液(5)的黏度控制在0.030～0.034Pa
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s，抛光液(5)的PH值控制在7.5～8.0，抛光盘(2)的转速控制在45～50r/min，抛光头(7)的转速控制在50～55r/min，抛光温度控制在20～25℃，抛光速率控制在0.8～1.2um/min，抛光压力控制在300～500g/cm2，抛光量控制在15～16um。3.根据权利要求1所述的一种氧化镓单晶片化学机械抛光工艺，其特征在于，所述S2步骤中精抛光工序的技...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭晨丽，李保龙，
申请(专利权)人：长治市龙晨科技有限公司，
类型：发明
国别省市：