基板研磨系统及其方法技术方案

根据一个实施例的通过研磨垫对基板进行研磨的基板研磨方法，可包括：预加热步骤，在对基板进行研磨之前，通过向研磨垫供给加热过的纯水来使得研磨垫的温度上升；以及温度控制步骤，在基板的研磨过程中，通过对向研磨垫供给的研磨液的温度进行调节来控制研磨垫的温度。的研磨液的温度进行调节来控制研磨垫的温度。的研磨液的温度进行调节来控制研磨垫的温度。

【技术实现步骤摘要】
基板研磨系统及其方法


[0001]以下实施例涉及一种基板研磨系统及其方法。

技术介绍

[0002]在制造基板时需要包括研磨、抛光及清洗在内的CMP(chemical mechanical polishing，化学机械研磨)作业。在基板的CMP作业中，需要通过研磨垫对基板的被研磨面进行研磨的工艺。CMP装置作为用于对基板的一面或两面进行研磨、抛光和清洗的构成要素，包括支撑基板的载体、使得基板表面物理磨损的研磨垫。在基板研磨过程中，在被研磨垫研磨的基板部位可供给有研磨液。
[0003]研磨液供给到基板和研磨垫之间，通过由研磨液颗粒和研磨垫表面凸起引起的机械性摩擦来进行基板的研磨的同时，可以通过由构成研磨液的组合物引起的化学反应来对基板的表面进行研磨。在这种情况下，通过研磨液的化学反应可诱导研磨垫的物性变化，而这种化学反应与研磨液的温度有关，最终会影响基板的研磨率。
[0004]以往，将研磨液存储在储罐内，对存储的研磨液的温度进行统一地调节并供给到基板，但这很难在研磨液的流动过程中改变温度或细致地对供给到研磨垫的研磨液的温度进行调节。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板研磨方法，通过研磨垫对基板进行研磨的基板研磨方法，其特征在于，包括：预加热步骤，在对基板进行研磨之前，通过向研磨垫供给加热过的纯水来使得研磨垫的温度上升；以及温度控制步骤，在基板的研磨过程中，通过对向研磨垫供给的研磨液的温度进行调节来控制研磨垫的温度。2.根据权利要求1所述的基板研磨方法，其特征在于，在预加热步骤中供给的纯水的温度为20℃至80℃。3.根据权利要求1所述的基板研磨方法，其特征在于，在温度控制步骤中供给的研磨液的温度为0℃到80℃。4.根据权利要求1所述的基板研磨方法，其特征在于，在研磨过程的末期，还包括使得研磨垫的温度降低的冷却步骤。5.根据权利要求4所述的基板研磨方法，其特征在于，冷却步骤包括：冷却研磨液供给步骤，向研磨垫供给具有
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10℃至10℃温度的冷却过的研磨液；或高流量纯水供给步骤，向研磨垫以91pm至131pm的流量供给纯水。6.根据权利要求4所述的基板研磨方法，其特征在于，冷却步骤包括加压力减少步骤，使得相对于研磨垫加压基板的压力减少。7.根据权利要求6所述的基板研磨方法，其特征在于，加压力减少步骤是在研磨过程中将压力减少到相当于相对于研磨垫加压基板的压力的2/3的压力的步骤。8.一种基板研磨系统，其特征在于，包括：供给臂，其配置于对基板进行研磨的研磨垫的上部，并形成有内部收容空间；第一加热模块，其配置于收容空间内部，在对基板进行研磨之前，为了使得研磨垫的温度上升，向研磨垫供给加热过的纯水；第二加热模块，其配置于收容空间内部，在基板的研磨过程中，为了控制研磨垫的温度，向研磨垫供给加热过的研磨液；以及冷却模块，其配置于收容空间内部，在基板的研磨过程中，为了控制研磨垫的温度，向研磨垫供给冷却过的研磨液。9.根据权利要求8所述的基板研磨系统，其特征在于，在对基板进行研磨之前，从第一加热模块供给的纯水的温度为20℃至80℃。10.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑熙澈，尹勤植，沈亨葉，申盛皓，
申请(专利权)人：凯斯科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：