一种断电延时继电器制造技术

本发明专利技术公开了一种断电延时继电器，包括磁保持继电器和与所述磁保持继电器的单线圈相连接的控制电路，所述控制电路包括：整流滤波电路、一级降压电路、二级降压电路、断电检测电路、继电器驱动电路和延时信号电路。通过简单的电路实现单稳态磁保持继电器置位和复归控制，降低开发成本；通电时，继电器驱动电路的储能元件通过继电器线圈续流，实现储能和继电器置位同时完成，无需等待能量充满，缩短继电器动作时间；断电时，延时信号电路和继电器驱动电路的储能不会被其他部分的电路所消耗，可有效提升时间量程，确保长延时情况下，继电器有足够的复归驱动能量；通过两级降压电路实现输入宽电压调节，适用于输入24V～240V交直流通用的电源系统应用。用的电源系统应用。用的电源系统应用。

【技术实现步骤摘要】
一种断电延时继电器


[0001]本专利技术涉及继电器
，尤其涉及一种断电延时继电器。

技术介绍

[0002]延时继电器是一种利用电子线路实现延时控制输出的装置。常规有通电延时、断电延时、星三角延时、间隔动作等规格以满足不同的控制需求；另一种功能是控制侧低电压或小电流，输出侧高电压、大电流的电气元件。传统的断电延时继电器利用阻尼、电池或储能方式，要么使用寿命偏短，要么时间量程偏小。当有较长的断电延时需求时，则一般引入全程供电模式，利用信号组控制断电延时，造成了设计复杂，电气布线困难，资源浪费等问题，在通电时，由于能量存储时间较长，继电器动作时间较长。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种断电延时继电器，利用简单的电路实现单稳态磁保持继电器置位和复归控制，有效地降低开发成本，并具有量程长、精度高和动作时间短的特点。
[0004]本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种断电延时继电器，包括磁保持继电器和与所述磁保持继电器的单线圈相连接的控制电路，所述控制电路包括：整流滤波电路、一级降压电路、断电检测电路、继电器驱动电路和延时信号电路；所述整流滤波电路与一级降压电路连接，所述整流滤波电路把交流电转换为直流电，为所述一级降压电路供电；所述一级降压电路分别与所述断电检测电路、所述继电器驱动电路和所述延时信号电路相连接，分别为三个电路供电；所述断电检测电路与所述延时信号电路相连接，为其提供延时基准信号；所述延时信号电路与所述继电器驱动电路连接，为其提供驱动信号；所述继电器驱动电路包括第一储能元件，所述第一储能元件与所述磁保持继电器的单线圈串联；外部电源供电时，通过一级降压电路向所述第一储能元件充电并向所述单线圈提供一个方向的电压，使所述磁保持继电器置位；外部电源断电时，所述第一储能元件放电并向所述单线圈提供一个反方向的电压，使所述磁保持继电器复位。
[0005]优选的，所述一级降压电路与所述继电器驱动电路之间还连接有第一二极管，所述一级降压电路与所述第一二极管的正极相连接，所述继电器驱动电路与所述第一二极管的负极相连接；所述第一二极管能防止所述第一储能元件放电时的电流流向所述一级降压电路。
[0006]优选的，所述一级降压电路与所述延时信号电路之间还设置有二级降压电路；所述一级降压电路与所述二级降压电路相连接，所述二级降压电路与一个第五二极管的正极相连接，所述第五二极管的负极与所述延时信号电路相连接。
[0007]优选的，所述继电器驱动电路还包括第三CMOS管，所述第一储能元件为第一储能电容；所述第三CMOS管的漏极与第一储能电容的正极相连接，所述第一储能电容的正极还与所述第三CMOS管的栅极、所述第四CMOS管的漏极和所述第四CMOS管的栅极分别相连接，
所述第一储能电容的负极与磁保持继电器的单线圈相连接，所述磁保持继电器的单线圈的另一端与所述第三CMOS管的源极相连接；所述第三CMOS管的栅极与第六二极管的负极相连接，所述第六二极管的正极与所述第三CMOS管的源极相连接；所述第三CMOS管的栅极与第四CMOS管的漏极相连接；所述第四CMOS管的源极接地，所述第四CMOS管的源极还与第七二极管的正极相连接，所述第七二极管的负极与所述第三CMOS管的源极相连接；所述第四CMOS管的栅极与第三三极管的集电极相连接，所述第三三极管的发射极接地，所述第三三极管的基极与第十四电阻的一端和第十五电阻的一端分别相连接，所述第十四电阻的另一端与延时信号电路相连接；所述第十五电阻的另一端接地；所述第一二极管的负极与所述第一储能电容的正极相连接。
[0008]优选的，所述继电器驱动电路还包括第十二电阻和第十三电阻，所述第一储能电容的正极与所述第十二电阻的一端和所述第十三电阻的一端分别相连接，所述第十二电阻的另一端与所述第三CMOS管的栅极相连接，所述第十三电阻的另一端与所述第四COMS管的栅极相连接。
[0009]优选的，所述第十二电阻和所述第十三电阻均为兆欧级电阻。
[0010]优选的，所述一级降压电路包括第一CMOS管，所述第一CMOS管的漏极与第一电阻的一端、第二电阻的一端和第三电阻的一端分别相连接，所述第一电阻的另一端与所述整流滤波电路的输出端相连接，所述第二电阻的另一端与所述第一CMOS管的源极相连接，所述第三电阻的另一端与所述第一CMOS管的栅极相连接；所述第一CMOS管的栅极与第一三极管的集电极相连接，所述第一三极管的发射极与第一稳压二极管的正极相连接，所述第一稳压二极管的负极与第一CMOS管的栅极相连接；所述第一三极管的基极与第四电阻的一端相连接，所述第四电阻的另一端与第二稳压二极管的正极相连接，所述第二稳压二极管的负极与第二二极管的负极相连接，所述第二二极管的正极与所述第一CMOS管的源极相连接，所述第一CMOS管的源极还与第五电阻的一端相连接，所述第五电阻的另一端与第一指示灯的正极相连接，所述第一指示灯的负极接地；所述第一二极管的正极与所述第一CMOS管的源极相连接。
[0011]优选的，所述二级降压电路包括第二CMOS管，所述第二CMOS管的漏极与所述第一CMOS管的源极相连接，所述第二CMOS管的栅极与第六电阻的一端相连接，所述第六电阻的另一端与所述第一CMOS管的源极相连接；所述第二CMOS管与第二三极管的集电极相连接，所述第二三极管的基极与第七电阻的一端相连接，所述第七电阻的另一端与第四稳压二极管的正极相连接，所述第四稳压二极管的负极与第三二极管的负极相连接，所述第三二极管的正极与第二CMOS管的源极相连接；第二三极管的发射极与第十电阻的一端相连接，所述第十电阻的另一端与第四二极管的正极相连接，所述第四二极管的负极与所述第四稳压二极管的正极相连接；所述第四二极管的正极接地；所述第五二极管的正极与所述第二CMOS管的源极相连接。
[0012]优选的，所述断电检测电路包括第八电阻和第九电阻，所述第八电阻的一端与所述第二CMOS管的源极相连接，所述第八电阻的另一端与所述第九电阻的一端相连接，所述第九电阻的另一端接地；所述第八电阻与所述第九电阻相连接的一端，与第十一电阻的一端相连接，所述第十一电阻的另一端与所述延时信号电路相连接，向所述延时信号电路提供延时基准信号。
[0013]优选的，所述延时信号电路包括第一芯片，所述第一芯片的第一引脚与所述第十一电阻相连接，第二引脚与第二储能电容的正极相连接，所述第二储能电容的负极接地；第七引脚与第十八电阻相连接，所述第十八电阻的另一端与第一可调电位器的中心触头相连接；所述第一可调电位器的一端接地，另一端与第十七电阻相连接，所述第十七电阻的另一端与所述第二储能电容的正极相连接；第八引脚与第十六电阻相连接，所述第十六电阻与所述第二储能电容的正极相连接；所述第二储能电容的正极还与所述第五二极管的负极相连接，以防止所述第二储能电容放电时的电流流向所述二级降压电路。
[0014]优选的，所述整流滤波电路，包括第一整流桥堆，所述第一整流桥堆的交流输入端一端与一保险丝的一端相连接，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种断电延时继电器，包括磁保持继电器和与所述磁保持继电器的单线圈相连接的控制电路，所述控制电路包括：整流滤波电路、一级降压电路、断电检测电路、继电器驱动电路和延时信号电路；所述整流滤波电路与一级降压电路连接，所述整流滤波电路把交流电转换为直流电，为所述一级降压电路供电；所述一级降压电路分别与所述断电检测电路、所述继电器驱动电路和所述延时信号电路相连接，分别为三个电路供电；所述断电检测电路与所述延时信号电路相连接，为其提供延时基准信号；所述延时信号电路与所述继电器驱动电路连接，为其提供驱动信号；其特征在于，所述继电器驱动电路包括第一储能元件，所述第一储能元件与所述磁保持继电器的单线圈串联；外部电源供电时，通过一级降压电路向所述第一储能元件充电并向所述单线圈提供一个方向的电压，使所述磁保持继电器置位；外部电源断电时，所述第一储能元件放电并向所述单线圈提供一个反方向的电压，使所述磁保持继电器复位。2.根据权利要求1所述的一种断电延时继电器，其特征在于，所述一级降压电路与所述继电器驱动电路之间还连接有第一二极管，所述一级降压电路与所述第一二极管的正极相连接，所述继电器驱动电路与所述第一二极管的负极相连接；所述第一二极管能防止所述第一储能元件放电时的电流流向所述一级降压电路。3.根据权利要求2所述的断电延时继电器，其特征在于，所述一级降压电路与所述延时信号电路之间还设置有二级降压电路；所述一级降压电路与所述二级降压电路相连接，所述二级降压电路与一个第五二极管的正极相连接，所述第五二极管的负极与所述延时信号电路相连接。4.根据权利要求3所述的一种断电延时继电器，其特征在于，所述继电器驱动电路还包括第三CMOS管，所述第一储能元件为第一储能电容；所述第三CMOS管的漏极与第一储能电容的正极相连接，所述第一储能电容的正极还与所述第三CMOS管的栅极、所述第四CMOS管的漏极和所述第四CMOS管的栅极分别相连接，所述第一储能电容的负极与磁保持继电器的单线圈相连接，所述磁保持继电器的单线圈的另一端与所述第三CMOS管的源极相连接；所述第三CMOS管的栅极与第六二极管的负极相连接，所述第六二极管的正极与所述第三CMOS管的源极相连接；所述第三CMOS管的栅极与第四CMOS管的漏极相连接；所述第四CMOS管的源极接地，所述第四CMOS管的源极还与第七二极管的正极相连接，所述第七二极管的负极与所述第三CMOS管的源极相连接；所述第四CMOS管的栅极与第三三极管的集电极相连接，所述第三三极管的发射极接地，所述第三三极管的基极与第十四电阻的一端和第十五电阻的一端分别相连接，所述第十四电阻的另一端与所述延时信号电路相连接；所述第十五电阻的另一端接地；所述第一二极管的负极与所述第一储能电容的正极相连接。5.根据权利要求4所述的一种断电延时继电器，其特征在于，所述继电器驱动电路还包括第十二电阻和第十三电阻，所述第一储能电容的正极与所述第十二电阻的一端和所述第十三电阻的一端分别相连接，所述第十二电阻的另一端与所述第三CMOS管的栅极相连接，所述第十三电阻的另一端与所述第四COMS管的栅极相连接。6.根据权利要求5所...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏冰波，林剑斌，刘金枪，
申请(专利权)人：厦门宏发电声股份有限公司，
类型：发明
国别省市：