半导体加工用粘合片及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及半导体加工用粘合片及使用该半导体加工用粘合片的半导体装置的制造方法，所述半导体加工用粘合片依次具有表面涂层、缓冲层、基材及粘合剂层，上述表面涂层相对于SUS304的静摩擦系数为0.70以下。SUS304的静摩擦系数为0.70以下。

【技术实现步骤摘要】
半导体加工用粘合片及半导体装置的制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体加工用粘合片及半导体装置的制造方法。

技术介绍

[0002]在信息终端设备的薄型化、小型化及多功能化的快速发展中，对这些设备所搭载的半导体装置也要求薄型化及高密度化。
[0003]作为将半导体装置薄型化的方法，进行了对半导体装置所使用的半导体晶片的背面进行磨削的方法。对于半导体晶片的背面磨削而言，在半导体晶片的表面粘贴背面磨削用的粘合片(以下也称为“背磨片”)，在利用该片保护着半导体晶片的表面的状态下进行。背磨片在背面磨削后从半导体晶片的表面被剥离去除。
[0004]近年来，作为在抑制对半导体芯片的损伤的同时进行薄型化的磨削及单片化方法，实际采用了尖端切割法、隐形尖端切割法等。尖端切割法是如下方法：用切割刀等在半导体晶片的表面形成了给定深度的槽后，从背面侧将该半导体晶片磨削至槽，由此单片化为半导体芯片。另外，隐形尖端切割法是如下方法：通过激光照射在半导体晶片的内部形成了改性区域后，从背面侧对该半导体晶片进行磨削，以上述改性区域作为分割起点将其割断，由此单片化为半导体芯片。在这些方法中，均使用了用于保护半导体晶片的表面的背磨片。
[0005]在开发这些薄型化工艺技术的同时，对于背磨片也要求了用于将半导体芯片成品率良好地进行薄型化的功能，已进行了各种研究。
[0006]在专利文献1中，作为能够应用于尖端切割法或隐形尖端切割法的半导体晶片表面保护用粘合片，公开了一种半导体晶片表面保护用粘合片，其具有基材膜、设置在上述基材膜的至少一面侧且由粘合剂形成的中间层、以及设置于上述中间层的与上述基材膜相反一侧、即最外层的最外粘合剂层，其中，上述中间层由通过上述粘合片形成后的固化处理而发生固化的材料形成。
[0007]现有技术文献
[0008]专利文献
[0009]专利文献1：日本特开2015
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56446号公报

技术实现思路

[0010]专利技术要解决的课题
[0011]根据专利文献1的半导体晶片表面保护用粘合片，能够抑制在将半导体晶片单片化为芯片后原本的芯片间隔被破坏的切口偏移，同时能够抑制半导体晶片的磨削屑所造成的污染，能够防止将表面保护带剥离时在芯片产生残胶。
[0012]另一方面，在进行背面磨削时，对于粘贴于半导体晶片的背磨片，利用卡盘工作台等支撑装置将与粘贴于半导体晶片的面为相反侧的一面(以下也称为“背面”)固定。然后，对于经由背磨片被固定在支撑装置的工作台上的半导体晶片，边向磨削面供给用于去除由
磨削产生的热及磨削屑的冷却水，边对背面进行磨削。
[0013]在进行背面磨削时，如果在背磨片与支撑装置的工作台之间存在磨削屑，则有时会由于将半导体晶片固定于工作台时的冲击、背面磨削中的加压及振动等而以存在该磨削屑的部分为起点在半导体晶片或半导体芯片产生裂纹。磨削屑以包含于冷却水中的状态附着于背磨片的背面，因此，为了抑制上述裂纹的产生，需要减少附着于背磨片的背面的磨削屑的量。
[0014]另外，在对半导体晶片进行磨削时，尽管供给用于去除由磨削产生的摩擦热的冷却水，但难以完全去除摩擦热，保持半导体晶片的背磨片的温度会一定程度地上升。即，在磨削半导体晶片时，背磨片在相对于卡盘工作台等支撑装置被加压的状态下在一定期间内被加热，由此，有时会导致背磨片相对于支撑装置过度密合。结束了磨削后的半导体晶片被搬运臂等从支撑装置提起，为了供于后续工序而需要进行搬运，但如果背磨片与支撑装置过度密合在一起，则有时会发生提起失败而无法搬运。该问题具有在使用背面的磨削屑附着量减少了的背磨片时变得特别明显的倾向。
[0015]对于背磨片的背面的磨削屑附着量的减少及搬运性的改善这样的要求，专利文献1的半导体晶片表面保护用粘合片是无法充分对应的。
[0016]本专利技术是鉴于以上实际情况而完成的，目的在于提供磨削屑的附着量减少、搬运性优异的半导体加工用粘合片以及使用该半导体加工用粘合片的半导体装置的制造方法。
[0017]解决课题的方法
[0018]本专利技术人等进行了深入研究，结果发现，通过依次具有静摩擦系数在特定范围的表面涂层、缓冲层、基材及粘合剂层的半导体加工用粘合片，能够解决上述课题，从而完成了以下的本专利技术。
[0019]即，本专利技术涉及下述[1]～[11]。
[0020][1]一种半导体加工用粘合片，其依次具有表面涂层、缓冲层、基材及粘合剂层，
[0021]上述表面涂层相对于SUS304的静摩擦系数为0.70以下。
[0022][2]根据上述[1]所述的半导体加工用粘合片，其中，
[0023]上述表面涂层是由含有树脂成分及滑动性改善成分的表面涂层形成用组合物形成的层。
[0024][3]根据上述[2]所述的半导体加工用粘合片，其中，
[0025]上述树脂成分的杂原子含量为7质量％以下。
[0026][4]根据上述[2]或[3]所述的半导体加工用粘合片，其中，
[0027]相对于上述表面涂层形成用组合物的有效成分的总量(100质量％)，上述表面涂层形成用组合物中的上述树脂成分的含量为50～99质量％。
[0028][5]根据上述[2]～[4]中任一项所述的半导体加工用粘合片，其中，
[0029]上述滑动性改善成分的杂原子含量为30质量％以上。
[0030][6]根据上述[2]～[5]中任一项所述的半导体加工用粘合片，其中，
[0031]相对于上述表面涂层形成用组合物的有效成分的总量(100质量％)，上述表面涂层形成用组合物中的上述滑动性改善成分的含量为0.1～30质量％。
[0032][7]根据上述[1]～[6]中任一项所述的半导体加工用粘合片，其中，
[0033]上述表面涂层的厚度为0.05～10μm。
[0034][8]根据上述[1]～[7]中任一项所述的半导体加工用粘合片，其中，
[0035]上述缓冲层由含有氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯的缓冲层形成用组合物形成。
[0036][9]根据上述[1]～[8]中任一项所述的半导体加工用粘合片，其用于半导体晶片的背面磨削。
[0037][10]一种半导体装置的制造方法，该方法包括：
[0038]将上述[1]～[9]中任一项所述的半导体加工用粘合片以上述粘合剂层作为粘贴面而粘贴于半导体晶片的表面的工序；以及
[0039]在利用支撑装置将粘贴于上述半导体晶片的上述半导体加工用粘合片的上述表面涂层侧固定着的状态下对上述半导体晶片的背面进行磨削的工序。
[0040][11]根据上述[10]所述的半导体装置的制造方法，该方法包括：
[0041]预定分割线形成工序，其是在半导体晶片的表面形成槽的工序a、或者是从半导体晶片的表面或背面向上述半导体晶片的内部形成改性区域的工序b；
[0042]片粘贴工序，在上述工序a之后、或者上述工序b之前或之后，将[1]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体加工用粘合片，其依次具有表面涂层、缓冲层、基材及粘合剂层，所述表面涂层相对于SUS304的静摩擦系数为0.70以下。2.根据权利要求1所述的半导体加工用粘合片，其中，所述表面涂层是由含有树脂成分及滑动性改善成分的表面涂层形成用组合物形成的层。3.根据权利要求2所述的半导体加工用粘合片，其中，所述树脂成分的杂原子含量为7质量％以下。4.根据权利要求2或3所述的半导体加工用粘合片，其中，相对于所述表面涂层形成用组合物的有效成分的总量(100质量％)，所述表面涂层形成用组合物中的所述树脂成分的含量为50～99质量％。5.根据权利要求2～4中任一项所述的半导体加工用粘合片，其中，所述滑动性改善成分的杂原子含量为30质量％以上。6.根据权利要求2～5中任一项所述的半导体加工用粘合片，其中，相对于所述表面涂层形成用组合物的有效成分的总量(100质量％)，所述表面涂层形成用组合物中的所述滑动性改善成分的含量为0.1～30质量％。7.根据权利要求1～6中任一项所述的半导体加工用粘合片，其中，所述表面涂层的厚度为0.05～10μm。8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体加工用粘合片...

【专利技术属性】
技术研发人员：梅泽昌弘，坂东沙也香，田村和幸，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：