转印膜、层叠体的制造方法、电路配线的制造方法、电子器件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种不易产生图案外观不良的转印膜、层叠体的制造方法、电路配线的制造方法及电子器件的制造方法。本发明专利技术的转印膜具有临时支承体及在临时支承体上配置的树脂组合物层，树脂组合物层包含：树脂；及选自嵌段共聚物及式(1)所表示的化合物中的至少一个化合物，该嵌段共聚物包含：包含具有式(A)所表示的基团或式(B)所表示的基团的结构单元X的嵌段及包含具有聚(氧化烯)基的结构单元Y的嵌段。及包含具有聚(氧化烯)基的结构单元Y的嵌段。及包含具有聚(氧化烯)基的结构单元Y的嵌段。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】转印膜、层叠体的制造方法、电路配线的制造方法、电子器件的制造方法


[0001]本专利技术涉及一种转印膜、层叠体的制造方法、电路配线的制造方法及电子器件的制造方法。
[0002]从用于形成预定形状的图案的工序数少的观点考虑，广泛使用如下方法：经由包含所期望的图案的掩膜而对使用转印膜而在任意的基板上设置的树脂组合物层进行曝光之后进行显影。
[0003]例如，在专利文献1中，公开了包含具有预定氟烷基的共聚物的转印膜。
[0004]以往技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：国际公开第2017/057348号公报

技术实现思路

[0007]专利技术要解决的技术课题
[0008]本专利技术人对如专利文献1中所公开的转印膜进行研究的结果，发现在进行曝光并显影之后所获得的图案容易产生外观不良。具体而言，可举出如下情况：形成图案时图案容易剥离或容易产生残渣而得不到分辨率高的图案、在图案中包含颜料时的浓度不均匀大、以及图案的表面上的缺陷多。
[0009]以下，在本说明书中，将能够抑制如下情况中的至少一个时也称为不易产生图案的外观不良：形成图案时图案容易剥离或容易产生残渣而得不到分辨率高的图案、在图案中包含颜料时的浓度不均匀大、以及图案的表面上的缺陷多。
[0010]因此，本专利技术的课题为提供一种不易产生图案的外观不良的转印膜。并且，课题还为提供一种与上述转印膜有关的层叠体的制造方法、电路配线的制造方法及电子器件的制造方法。
[0011]用于解决技术课题的手段
[0012]为了解决上述课题，本专利技术人等进行深入研究的结果，发现了通过以下结构能够实现上述课题。
[0013]〔1〕一种转印膜，其具有临时支承体、在临时支承体上配置的树脂组合物层，
[0014]树脂组合物层包含：树脂；及
[0015]选自嵌段共聚物及式(1)所表示的化合物中的至少一个化合物，该嵌段共聚物包含：包含具有后述的式(A)所表示的基团或后述的式(B)所表示的基团的结构单元X的嵌段及包含具有聚(氧化烯)基的结构单元Y的嵌段。
[0016]〔2〕根据〔1〕所述的转印膜，其中，
[0017]结构单元X及式(1)所表示的化合物具有式(A)所表示的基团。
[0018]〔3〕根据〔1〕所述的转印膜，其中，
[0019]结构单元X及式(1)所表示的化合物具有式(B)所表示的基团。
[0020]〔4〕根据〔1〕至〔3〕中任一项所述的转印膜，其中，
[0021]式(1)所表示的化合物的分子量为2000以下。
[0022]〔5〕根据〔1〕至〔4〕中任一项所述的转印膜，其中，
[0023]嵌段共聚物的重均分子量为5000以上。
[0024]〔6〕根据〔1〕至〔5〕中任一项所述的转印膜，其中，
[0025]树脂为碱溶性树脂，
[0026]树脂组合物层进一步包含聚合性化合物。
[0027]〔7〕根据〔1〕至〔5〕中任一项所述的转印膜，其中，
[0028]树脂为具备具有被酸分解性基团保护的酸基的结构单元的树脂，
[0029]树脂组合物层进一步包含光产酸剂。
[0030]〔8〕根据〔1〕至〔7〕中任一项所述的转印膜，其中，
[0031]树脂组合物层是水溶性树脂组合物层。
[0032]〔9〕根据〔8〕所述的转印膜，其中，
[0033]水溶性树脂组合物层包含金属氧化物粒子。
[0034]〔10〕根据〔1〕至〔9〕中任一项所述的转印膜，其中，
[0035]树脂组合物层是热塑性树脂组合物层。
[0036]〔11〕根据〔1〕至〔10〕中任一项所述的转印膜，其中，
[0037]树脂组合物层进一步包含颜料。
[0038]〔12〕一种转印膜，其中，
[0039]〔1〕至〔11〕中任一项所述的转印膜具有2层以上的树脂组合物层。
[0040]〔13〕一种层叠体的制造方法，其包括：
[0041]贴合工序，使基板和与〔1〕至[12〕中任一项所述的转印膜所具有的临时支承体相反的一侧的表面接触，贴合转印膜与基板，获得带转印膜的基板；
[0042]曝光工序，对组合物层进行图案曝光；
[0043]显影工序，对经曝光的树脂组合物层进行显影而形成树脂图案；及
[0044]剥离工序，在贴合工序与曝光工序之间或曝光工序与显影工序之间，并从带转印膜的基板剥离临时支承体。
[0045]〔14〕一种电路配线的制造方法，其包括：
[0046]贴合工序，使具有导电层的基板和与〔1〕至〔12〕中任一项所述的转印膜所具有的临时支承体相反的一侧的表面接触，贴合转印膜与具有导电层的基板，获得带转印膜的基板；
[0047]曝光工序，对组合物层进行图案曝光；
[0048]显影工序，对经曝光的树脂组合物层进行显影而形成树脂图案；及
[0049]蚀刻工序，对未配置有树脂图案的区域中的导电层进行蚀刻处理，及
[0050]剥离工序，在贴合工序与曝光工序之间或曝光工序与显影工序之间，并从带转印膜的基板剥离临时支承体。
[0051]〔15〕一种电子器件的制造方法，其包括〔13〕所述的层叠体的制造方法，其中，
[0052]电子器件包含树脂图案作为固化膜。
[0053]专利技术效果
[0054]根据本专利技术，能够提供一种不易产生图案的外观不良的转印膜。并且，能够提供一种与上述转印膜有关的、层叠体的制造方法、电路配线的制造方法及电子器件的制造方法。
附图说明
[0055]图1是表示转印膜的结构的一例的示意图。
具体实施方式
[0056]以下，对本专利技术进行详细说明。
[0057]关于以下所记载的构成要件的说明，有时基于本专利技术的代表性实施方式来进行，但是本专利技术并不限定于这种实施方式。
[0058]在本说明书中，使用“～”表示的数值范围是指将“～”前后所记载的数值作为下限值及上限值而包含的范围。
[0059]在本说明书中，所标记的2价的基团(例如，
‑
CO
‑
O
‑
)的键合方向并无特别限制。
[0060]在本说明书中，(甲基)丙烯酸酯表示丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯。(甲基)丙烯酸表示丙烯酸及甲基丙烯酸。(甲基)丙烯酰基表示甲基丙烯酰基或丙烯酰基。
[0061]关于本说明书中的基团(原子团)的标记，未记载经取代及未经取代的标记包含不具有取代基的基团，并且还包含具有取代基的基团。例如，“烷基”不仅包含不具有取代基的烷基(未经取代的烷基)，而且还包含具有取代基的烷基(经取代的烷基)。并且，本说明书中的“有机基团”是指包含至少一个碳原子的基团。
[0062]在本说明书中，“可以具有取代基”时的取代基的种类、取代基的位置及取代基的数量并无特别限定。取代基的数量例如可以为1个、2个、3个或其以上。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种转印膜，其具有临时支承体及在所述临时支承体上配置的树脂组合物层，所述树脂组合物层包含：树脂；及选自嵌段共聚物及式(1)所表示的化合物中的至少一个化合物，该嵌段共聚物包含：包含具有式(A)所表示的基团或式(B)所表示的基团的结构单元X的嵌段及包含具有聚(氧化烯)基的结构单元Y的嵌段，式(A)*
‑
(CH2)
m
‑
(CF2)
n
‑
CF3式(A)中，m及n分别独立地表示1～3的整数，*表示键合位置，式(B)*
‑
L1‑
CH(CF3)
‑
CF3式(B)中，L1表示氧原子或亚烷基，*表示键合位置，式(1)Z
‑
L2‑
W式(1)中，Z表示所述式(A)所表示的基团或所述式(B)所表示的基团，L2表示单键或2价的连结基团，W表示包含聚(氧化烯)基的基团。2.根据权利要求1所述的转印膜，其中，所述结构单元X及所述式(1)所表示的化合物具有所述式(A)所表示的基团。3.根据权利要求1所述的转印膜，其中，所述结构单元X及所述式(1)所表示的化合物具有所述式(B)所表示的基团。4.根据权利要求1至3中任一项所述的转印膜，其中，所述式(1)所表示的化合物的分子量为2000以下。5.根据权利要求1至4中任一项所述的转印膜，其中，所述嵌段共聚物的重均分子量为5000以上。6.根据权利要求1至5中任一项所述的转印膜，其中，所述树脂为碱溶性树脂，所述树脂组合物层进一步包含聚合性化合物。7.根据权利要求1至5中任一项所述的转印膜，其中，所述树脂为具备具有被酸分解性基团保护的酸基...

【专利技术属性】
技术研发人员：山田悟，野副宽，两角一真，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：