【技术实现步骤摘要】
芯片转移方法和显示面板
[0001]本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种芯片转移方法和显示面板。
技术介绍
[0002]随着发光二极管(Light
‑
emitting diode,LED)显示屏逐渐向超高清显示方向发展,微发光二极管(Micro LED)凭借其极其优越的超高清显示效果,逐渐成为未来LED显示行业的大趋势。
[0003]当前,Micro LED芯片的尺寸已朝百微米级以下发展,为实现Micro LED商业化带来的量产需求,巨量转移技术应运而生,目的是将芯片转移到目标基板或者电路上,需要将百万颗级别的芯片转移到需要的背板上。
[0004]然而,传统的芯片转移技术中,由于生长基板或暂态基板与电路背板之间必须保持一个间距,芯片在转移至电路背板上的过程中容易出现倾斜和翻转的情况;因此,如何避免芯片在转移过程中发生偏斜,是亟需解决的问题。
技术实现思路
[0005]鉴于上述现有技术的不足,本申请的目的在于提供一种芯片转移方法和显示面板,旨在避免芯片在转移过程中发生偏斜。 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种芯片转移方法,其特征在于,包括:提供暂态基板,所述暂态基板的表面形成有芯片;提供背板,于所述背板的表面形成牺牲层;将所述暂态基板形成有所述芯片的表面朝向所述牺牲层;将待转移的所述芯片与所述暂态基板分离,以使待转移的所述芯片垂直掉落至所述牺牲层远离所述背板的表面;去除所述牺牲层,以使所述芯片与所述背板键合。2.如权利要求1所述的芯片转移方法,其特征在于,所述牺牲层包括光解胶层或热解胶层;所述暂态基板包括氮化镓基板。3.如权利要求1所述的芯片转移方法,其特征在于,所述牺牲层的厚度大于所述芯片的厚度。4.如权利要求1所述的芯片转移方法,其特征在于,所述将待转移的所述芯片与所述暂态基板分离,包括:使用激光照射所述暂态基板远离所述芯片的表面,以使待转移的所述芯片与所述暂态基板分离。5.如权利要求1所述的芯片转移方法,其特征在于,所述背板的表面具有焊盘,所述牺牲层覆盖所述背板形成有所述焊盘的表面及所述焊盘;所述将所述暂态基板形成有所述芯片的表面朝向所述牺牲层后,所述芯片与所述焊盘对准分布;去除位于所述芯片与所述背板之间的所述牺牲层,以使所述芯片与所述背板键合后,所述芯片与所述焊盘接触键合。6.如权利要求1所述的芯片转移方法,其特征在于,所述去除所述牺牲层,包括:去除所述牺牲层位于相邻所述芯片之间的部...
【专利技术属性】
技术研发人员:詹蕊绮,萧俊龙,蔡明达,汪楷伦,汪庆,
申请(专利权)人:重庆康佳光电技术研究院有限公司,
类型:发明
国别省市:
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