发光元件的制造方法及发光元件技术

一种发光元件的制造方法及发光元件，能减轻漏电流的产生。发光元件的制造方法具有：准备从下方朝向上方依次具有衬底、含有n型杂质的n侧氮化物半导体层、含有p型杂质的p侧氮化物半导体层的半导体晶片的工序；通过对衬底照射激光，在衬底上形成加工改性部的工序；通过分割衬底上形成有加工改性部的半导体晶片，得到多个发光元件的工序，其中，在准备半导体晶片的工序和在衬底上形成加工改性部的工序之间依次具有：在p侧氮化物半导体层的上表面的包含成为多个发光元件的区域的边界的区域形成保护层的工序；通过对半导体晶片进行退火，在未形成保护层的区域使p侧氮化物半导体层低电阻化的工序。电阻化的工序。电阻化的工序。

【技术实现步骤摘要】
发光元件的制造方法及发光元件
[0001]本申请是申请日为2017年12月15日，申请号为201711347059.8，专利技术名称为“发光元件的制造方法及发光元件”，申请人为日亚化学工业株式会社的中国专利技术专利申请的分案申请。


[0002]本专利技术涉及一种发光元件的制造方法及发光元件。

技术介绍

[0003]发光元件例如能够通过分割具备衬底和从衬底的上表面侧依次具有n侧氮化物半导体层与p侧氮化物半导体层的半导体部的半导体晶片而得到。作为分割这些半导体晶片的方法，已知有通过将激光向衬底内照射，形成加工改性部之后再进行分割的方法。此时，具有如下的情况，即，通过蚀刻从上方去除半导体部中的与半导体晶片的分割预定线重合的区域，由此，使n侧氮化物半导体层露出，在去除的部分的表面形成保护层的情况。由此，能够抑制分割半导体晶片时产生的碎屑附着于通过蚀刻而露出的表面上，因此，能够抑制经由碎屑流过漏电流的情况。(例如专利文献1)。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本特开2005－166728号
[0007]专利文献1的发光元件中有能够进一步减轻漏电流(leak current)的产生的余地。

技术实现思路

[0008]一种发光元件的制造方法，具有：准备半导体晶片的工序，该半导体晶片从下方朝向上方依次具有衬底、含有n型杂质的n侧氮化物半导体层、含有p型杂质的p侧氮化物半导体层；通过对所述衬底照射激光，在所述衬底上形成加工改性部的工序；通过分割在所述衬底上形成有加工改性部的所述半导体晶片，得到多个发光元件的工序，其中，在所述准备半导体晶片的工序和在所述衬底上形成加工改性部的工序之间依次具有：在所述p侧氮化物半导体层的上表面的包含成为所述多个发光元件的区域的边界的区域形成保护层的工序；通过对所述半导体晶片进行退火，在未形成所述保护层的区域使所述p侧氮化物半导体层低电阻化的工序。
[0009]一种发光元件，其中，具备半导体构造，所述半导体构造从下方朝向上方依次具有衬底、含有n型杂质的n侧氮化物半导体层、含有p型杂质的p侧氮化物半导体层，所述半导体构造的所述p侧氮化物半导体层侧为光取出面侧，并且，所述半导体构造的所述n侧氮化物半导体层侧为安装面侧，在俯视时，与所述p侧氮化物半导体层的外周部的内侧相比，所述p侧氮化物半导体层的外周部为高电阻。
[0010]专利技术效果
[0011]根据这样的制造方法，能够制造减轻了漏电流的产生的发光元件。另外，能够提供减轻了漏电流的产生的发光元件。
附图说明
[0012]图1A是用于说明实施方式的发光元件的制造方法的示意平面图；
[0013]图1B是图1A中的A－A线的示意剖面图；
[0014]图2A是用于说明实施方式的发光元件的制造方法的示意平面图；
[0015]图2B是图2A中的A－A线的示意剖面图；
[0016]图3A是用于说明实施方式的发光元件的制造方法的示意平面图；
[0017]图3B是图3A中的A－A线的示意剖面图；
[0018]图4A是用于说明实施方式的发光元件的制造方法的示意平面图；
[0019]图4B是图4A中的A－A线的示意剖面图；
[0020]图5A是用于说明实施方式的发光元件的制造方法的示意平面图；
[0021]图5B是图5A中的A－A线的示意剖面图；
[0022]图6A是用于说明实施方式的发光元件的制造方法的示意平面图；
[0023]图6B是图6A中的A－A线的示意剖面图；
[0024]图7A是用于说明比较例的发光元件的制造方法的示意平面图；
[0025]图7B是图7A中的A－A线的示意剖面图；
[0026]图8是测量实施例1的发光元件的反向电流值的结果的图表；
[0027]图9是测量实施例2的发光元件的反向电流值的结果的图表；
[0028]图10是测量实施例3的发光元件的反向电流值的结果的图表；
[0029]图11是测量比较例的发光元件的反向电流值的结果的图表。
[0030]附图标记说明
[0031]1、2半导体晶片
[0032]100、200发光元件
[0033]11 衬底
[0034]12 半导体部
[0035]12n n侧氮化物半导体层
[0036]12a活性层
[0037]12p p侧氮化物半导体层
[0038]12x 高电阻部
[0039]13 分割预定线
[0040]14 第一保护层
[0041]15 电流扩散层
[0042]16n焊盘电极
[0043]17p焊盘电极
[0044]18第二保护层
[0045]20凹部
[0046]21角部等
[0047]L激光
具体实施方式
[0048]以下，参照附图说明本专利技术的实施方式及实施例。但是，以下所示的实施方式及实施例只是示例用于将本专利技术的技术思想具体化的结构，并非限定本专利技术。进而，在以下的说明中，对于同一名称、符号示出相同或同质的部件，适当省略详细说明。
[0049][实施方式1][0050]在本实施方式的发光元件100的制造方法中，首先，如图1A及图1B所示，准备从下方朝向上方依次具有衬底11、含有n型杂质的n侧氮化物半导体层12n、含有p型杂质的p侧氮化物半导体层12p的半导体晶片1(以下，将设置于衬底11上的包含n侧氮化物半导体层12n和p侧氮化物半导体层12p的区域称作“半导体部12”)。接着，如图3A及图3B所示，在p侧氮化物半导体层12p的上表面的包含成为多个发光元件100的区域的边界的区域形成保护层14(以下，将成为多个发光元件100的区域的边界也称作“分割预定线13”)。此外，有时将用于在高电阻的状态下维持作为符号14表示的p侧氮化物半导体层12p的保护层称作“第一保护层14”，将用于保护后述的作为符号18表示的发光元件100的上表面的保护层称作“第二保护层18”。另外，图3A中，为了使附图的说明简便，对半导体晶片1中之后成为4个发光元件100的区域进行说明。关于这一点，在图2A～图5A、图7A的示意平面图中也相同。接着，如图4A及图4B所示，通过对半导体晶片1进行退火(热处理)，在未形成第一保护层14的区域将p侧氮化物半导体层12p低电阻化。在p侧氮化物半导体层12p中的未设置第一保护层14的区域，通过退火，使p型杂质惰性化的氢从p型杂质脱离，与之相对，在p侧氮化物半导体层12p中的设置有第一保护层14的区域，使p型杂质惰性化的氢不易从p型杂质脱离，因此，推测为，在未形成第一保护层14的区域，能够使p侧氮化物半导体层12p低电阻化，另一方面，在形成有第一保护层14的区域，p侧氮化物半导体层12p以高电阻的状态被保持。之后，如图5A及图5B所示，通过对衬底11照射激光L，在上述衬底11上形成加工改性部。而且，通过将衬底11本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光元件的制造方法，具有：准备半导体晶片的工序，该半导体晶片从下方朝向上方依次具有衬底、含有n型杂质的n侧氮化物半导体层、含有p型杂质的p侧氮化物半导体层；在所述p侧氮化物半导体层的上表面的与分割预定线重合的位置形成保护层的工序；通过对所述衬底的所述保护层的正下方的区域照射激光，在所述衬底上形成加工改性部的工序；通过分割在所述衬底上形成有加工改性部的所述半导体晶片，得到多个发光元件的工序，在形成所述保护层的工序之后，包括对所述半导体晶片进行退火的工序。2.如权利要求1所述的发光元件的制造方法，其特征在于，在形成所述保护层的工序之后，具有在所述p侧氮化物半导体层的上表面形成电流扩散层的工序。3.如权利要求1所述的发光元件的制造方法，其特征在于，在形成所述保护层的工序中，在所述p侧氮化物半导体层的上表面以格子状地形成所述保护层。4.一种发光元件，其特征在于，具备半导体构造，所述半导体构造从下方朝向上方依次具有衬底、含有n型杂质的n侧氮化物半导体层、含有p型杂质的p侧氮化物半导体层，所述半导体构造的所述p侧氮化物半导体层侧为光取出面侧，并且，所述半导体构造的所述n侧氮化物半导体层侧为安装面侧，所述衬底的侧面、所述n侧氮化物半导体层的侧面及所述p侧氮化物半导体层的侧面分别为断裂面，且在所述衬底的侧面形成有加工改性部，在所述p侧氮化物半导体层的上表面的、与所述外周部对应的区域设置有第一保护层，在所述p侧氮化物半导体层的上表面的、所述外周部的内侧的区域，电流扩散层离开所述第一保护层而设置。5.一种发光元件，其特征在于，具备半导体构造，所述半导体构造从下方朝向上方依次具有衬底、含有n型杂质的n侧氮化物半导体层、含有p型杂质的p侧氮化物半导体层，所述半导体构造的所述p侧氮化物半导体层侧为光取出面侧，并且，所述半导体构造的所述n侧氮化物半导体层...

【专利技术属性】
技术研发人员：北滨俊，井上芳树，永峰和浩，成田准也，
申请(专利权)人：日亚化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：