【技术实现步骤摘要】
摆阀初始化检测装置
[0001]本技术涉及半导体
,尤其涉及一种摆阀初始化检测装置。
技术介绍
[0002]在半导体的制备工艺(例如等离子体刻蚀、外延生长和气相沉积等)中,通常需要在真空环境下对晶圆进行相应的工艺处理;为提供合适的工艺环境,一般采用抽气装置(例如真空泵)对晶圆所在的工艺腔室进行抽真空。
[0003]工艺腔室和抽气装置之间通过摆阀的钟摆运动来实现真空程度的调节以及工艺气体的排放;为了保证对真空程度的精准调节,需要在初始位置保证摆阀中阀片摆动至预设位置(即关闭位置),以将工艺腔室与抽气装置进行气密隔离,控制器根据该预设位置对晶圆工艺处理过程中所需的真空度调整阀片开合程度。设置于摆阀内的密封压环则会在阀片摆动至关闭位置后向下运动,以压紧阀片,从而保证工艺腔室与抽气装置的隔离效果。
[0004]在现有技术中,工作人员通常把手臂穿过工艺腔室内伸进腔室底部摆阀内侧附近,并用手摸的方式来判断阀片和密封压环的相对位置,以检测工艺腔室与抽气装置之间是否完全隔离。由于工艺腔室内放置有多个部件,把手臂伸进工艺 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种摆阀初始化检测装置,用于检测摆阀关闭位置的有效性;所述摆阀内部具有一连通工艺腔室和抽气装置的气路;所述气路包括依次连通的上通道、活动室和下通道,所述上通道与所述工艺腔室连通,所述下通道与所述抽气装置连通,所述活动室内设有阀片,所述上通道和/或所述下通道朝向所述活动室的开口处设有密封压环;所述关闭位置为所述阀片与所述密封压环接触使所述上通道和所述下通道气密隔离处;其特征在于,所述摆阀初始化检测装置,包括:本体,其具有第一圆弧面;且所述第一圆弧面与所述阀片的侧面抵接;对齐标志,设置于所述本体上,用于与所述密封压环的外侧面进行对齐比较,以检测所述阀片是否处于关闭位置。2.如权利要求1所述的摆阀初始化检测装置,其特征在于,所述第一圆弧面与所述对齐标志外侧面之间的径向距离等于所述阀片侧面与所述密封压环外侧面之间的径向距离。3.如权利要求2所述的摆阀初始化检测装置,其特征在于,所述第一圆弧面的直径等于所述阀片的直径,所述对齐标志的外径等于所述密封压环的外径。4.如权利要求3所述的摆阀初始化检测装置,其特征在于,所述对齐标志的外侧面与所述密封压环的外侧面对齐,所述阀片处于关闭位置。5.如权利要求1所述的摆阀初始化检测装置,其特征在于,所述对齐标志为与所述第一圆弧面相对的第二圆弧面。6.如权利要求1所述的摆...
【专利技术属性】
技术研发人员:华小亮,朱海波,
申请(专利权)人:中微半导体设备上海股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
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