【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管器件及制造方法、显示基板
[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种薄膜晶体管器件及其制造方法、显示基板。
技术介绍
[0002]近年来，对TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)器件的开发，尤其是特性优化提升的研究越来越深入。铟镓锌氧化物(Indium Gallium Zinc Oxide，IGZO)为代表的非晶氧化物TFT由于其较高的迁移率、较小的漏电流、以及工艺制程的简单易行，在显示领域得到了广泛应用。非晶氧化物TFT在光照条件下，会产生光生空穴，此时再施加负的栅压，这些光生空穴作为载流子，使得光电流增强。但是，在相关技术中采用的单层氧化物有源层的TFT，施加负栅压时尽管电流会有一定的提升，但是与不加光相比变化不大，不适合作为光敏传感器器件。
技术实现思路
[0003]本公开实施例提供了一种薄膜晶体管器件及其制造方法、显示基板，能够在一定光照条件下光电流表现出急剧增大的现象，可作为一种有效的光敏传感器。
[0004]本公开实施例所提供的技术方案如下：
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管器件，包括：衬底；位于所述衬底之上的栅极、有源层、源极和漏极；其特征在于，所述有源层为多膜层堆叠结构，包括堆叠设置的至少一层第一氧化物半导体层和至少一层第二氧化物半导体层，所述第一氧化物半导体层的组分配比与所述第二氧化物半导体层的组分配比不同；其中第二氧化物半导体层能够提升膜层稳定性的元素相对第一氧化物半导体层所占比例高，第一氧化物半导体层中自由电子较多的元素相对所述第二氧化物半导体层所占比例高。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管器件，其特征在于，所述第一氧化物半导体层为第一铟镓锌锡氧化物层；所述第二氧化物半导体层为第二铟镓锌锡氧化物层；其中，所述第一铟镓锌锡氧化物层中铟元素的原子百分比大于所述第二铟镓锌锡氧化物层中铟元素的原子百分比；所述第二铟镓锌锡氧化物层中镓元素的原子百分比大于所述第一铟镓锌锡氧化物层中镓元素的原子百分比；和/或，所述第二铟镓锌锡氧化物层中锌元素的原子百分比大于所述第一铟镓锌锡氧化物层中锌元素的原子百分比；和/或，所述第二铟镓锌锡氧化物层中锡元素的原子百分比大于所述第一铟镓锌锡氧化物层中锡元素的原子百分比。3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管器件，其特征在于，所述多膜层堆叠结构包括位于最靠近衬底的一侧的第一膜层和位于最远离衬底一侧的第二膜层，所述第一膜层为所述第一氧化物半导体层，所述第二膜层为所述第二氧化物半导体层。4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管器件，其特征在于，所述多膜层堆叠结构还包括位于所述第一膜层和所述第二膜层之间的中间膜层；所述中间膜层为单膜层，包括所述第一氧化物半导体层或所述第二氧化物半导体层中的一种；或者，所述中间膜层为多膜层，包...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨金玲，黄洪涛，曹焜，程一鸣，王梅，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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