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本公开提供了一种薄膜晶体管器件及其制造方法、显示基板，所述薄膜晶体管器件包括：衬底；位于所述衬底之上的栅极、有源层、源极和漏极；其特征在于，所述有源层为多膜层堆叠结构，包括堆叠设置的至少一层第一氧化物半导体层和至少一层第二氧化物半导体层，所...
该专利属于京东方科技集团股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过京东方科技集团股份有限公司授权不得商用。

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