一种基于Baseband阻抗匹配的高线性功率放大器制造技术

本发明专利技术公开了一种基于Baseband阻抗匹配的高线性功率放大器，包括功率放大单元、漏偏置电路结构和栅偏置电路结构；所述功率放大器单元采用单级或者多级晶体管组成；每一级晶体管的漏极加电网络采用漏偏置电路结构，每一级晶体管的栅极加电网络采用栅偏置电路结构。本发明专利技术通过对功率放大器的Baseband阻抗的设计，提升了功率放大器在回退时的线性度，从而在回退更少功率时可满足线性度指标要求，提升了回退的效率，优化了毫米波大功率单片集成功率放大器的性能。大器的性能。大器的性能。

【技术实现步骤摘要】
一种基于Baseband阻抗匹配的高线性功率放大器


[0001]本专利技术涉及功率放大器，尤其涉及一种基于Baseband阻抗匹配的高线性功率放大器。

技术介绍

[0002]随着新一代通信技术的发展，通讯系统对射频前端设备提出了更高的要求，特别是在满足输出功率的前提下，输出高峰均比、高效率和高线性的无线信号。而功率放大器作为射频前端设备的核心元器件，其性能对射频前端设备有直接的影响。
[0003]而对于功率放大器，常规提升线性度的方法有包络跟踪技术、异相技术和多偏置技术，基本都是在工作频带内进行线性度的设计与优化。然而功率放大器的线性度特别是三阶交调指标不仅与工作频带内的非线性特性相关，频带外比如Baseband和谐波阻抗位置都对三阶交调有着不可忽略的影响，本专利技术开发了一种基于Baseband阻抗匹配的高线性功率放大器，可有效精确的控制功率放大器Baseband的阻抗位置，以优化功率放大器三阶交调特性。

技术实现思路

[0004]专利技术目的：本专利技术的目的是提供一种能满足线性度指标要求的同时提升回退效率的基于Ba本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于Baseband阻抗匹配的高线性功率放大器，其特征在于，包括功率放大单元(101)、漏偏置电路结构(102)和栅偏置电路结构(103)；所述功率放大器单元(101)采用单级或者多级晶体管(201)组成；每一级晶体管的漏极加电网络采用漏偏置电路结构(102)，每一级晶体管的栅极加电网络采用栅偏置电路结构(103)。2.根据权利要求1所述基于Baseband阻抗匹配的高线性功率放大器，其特征在于，所述漏偏置电路结构(102)中，第一漏极电感(211)和第二漏极电感(212)依次串联连接于晶体管的漏极，第一漏极电容(221)与第一漏极电感(211)、第二漏极电感(212)并联，构成晶体管漏偏置第一级去耦电路，同时兼顾基波负载阻抗匹配；第三漏极电感(213)、第四漏极电感(214)和第五漏极电感(215)依次串联连接，第二漏极电容(222)、第三漏极电容(223)分别与第三漏极电感(213)和第四漏极电感(214)并联连接，第四漏极电容(224)、第一漏极电阻(231)串联连接后与第五漏极电感(215)并联，共同构成晶体管漏偏置第二级去耦电路，同时兼顾输出负载端Baseband阻抗匹配。3.根据权利要求2所述基于Baseband阻抗匹配的高线性功率放大器，其特征在于，所述晶体管漏偏置第一级去耦电路，放在功率放大器单元(101)内；所述晶体管漏偏置第二级去耦电路，放在功率放大器单元(101)外。4.根据权利要求1所述基于Baseband阻抗匹配的高线性功率放大器，其特征在于，所述栅偏置电路结构(103)中，第一栅极电感(311)、第二栅极电感(312)和第一栅极电阻(331)依次串联连接于晶体管的栅极，第一栅极电容(321)与第二栅极电感(312)并联，构成...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩程浩，陶洪琪，余旭明，王子健，杜泽浩，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十五研究所，
类型：发明
国别省市：