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本发明公开了一种基于Baseband阻抗匹配的高线性功率放大器，包括功率放大单元、漏偏置电路结构和栅偏置电路结构；所述功率放大器单元采用单级或者多级晶体管组成；每一级晶体管的漏极加电网络采用漏偏置电路结构，每一级晶体管的栅极加电网络采用栅偏...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十五研究所授权不得商用。

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