半导体启辉器制造技术

本实用新型专利技术涉及一种属于半导体器件技术领域的半导体启辉器。它设有一个四层ＰｎＰｎ二极管和一个两层Ｐｎ二极管，四层ＰｎＰｎ二极管通过焊接层与两层Ｐｎ二极管连接。本实用新型专利技术具有高压单向导通、低压双向截止的开关特性，因此本实用新型专利技术启辉电流大（脉冲直流），灯丝预热时间短，启辉快（交流５０Ｈｚ每０．０２秒启辉一次），启辉速度提高２－３倍，本实用新型专利技术彻底解决了现有的电感式镇流器日光灯所用的启辉器普通存在启辉速度慢、灯管闪烁、灯丝过热、灯管寿命短等缺点，它是现有启辉器理想的换代产品。（*该技术在2015年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种属于半导体器件
的半导体启辉器。
技术介绍
目前，现有的电感式镇流器日光灯所用的启辉器(跳泡)普通存在启辉速度慢、灯管闪烁、灯丝过热等缺点，这些缺点致使灯管寿命大大降低。此外由于启辉器内部结构决定了启辉器使用寿命也较低。
技术实现思路
本技术的目的就是为解决
技术介绍
的不足而提供一种快速启辉的半导体启辉器。本技术的目的是这样实现的它设有一个四层PnPn二极管和一个两层Pn二极管，四层PnPn二极管通过焊接层与两层Pn二极管连接。本技术相比
技术介绍
具有如下优点①启辉速度提高2-3倍；②灯管无闪烁、灯丝无过热现象，极大地提高了灯管的使用寿命；③半导体启辉器是无触点开关，使用寿命很长。附图说明图1为本技术半导体结构原理图。图2为本技术机械结构原理图。图3为本技术使用电原理图。具体实施方式下面结构附图通过具体实施例对本技术做进一步详述如图1所示，四层二极管3通过焊接层1与二层二极管2连接，J1-J4为半导体Pn结，该结构二端设有两个引线端，阳极a和阴极c。具体工作原理如下半导体启辉器加正向电压时，即阳极a+，阴极c-时，J1结正向，J2结正向，J4结正向。当正向电压低于J3结本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体启辉器，其特征在于它设有一个四层ＰｎＰｎ二极管和一个两层Ｐｎ二极管，四层ＰｎＰｎ二极管通过焊接层与两层Ｐｎ二极管连接。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：毛延友，
申请(专利权)人：毛延友，
类型：实用新型
国别省市：21[中国|辽宁]