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半导体启辉器制造技术
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文档序号:3708951
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本实用新型涉及一种属于半导体器件技术领域的半导体启辉器。它设有一个四层PnPn二极管和一个两层Pn二极管,四层PnPn二极管通过焊接层与两层Pn二极管连接。本实用新型具有高压单向导通、低压双向截止的开关特性,因此本实用新型启辉电流大(脉冲直...
该专利属于毛延友所有,仅供学习研究参考,未经过毛延友授权不得商用。
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