一种侵彻缓冲阻尼装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种侵彻缓冲阻尼装置，属于地外天体原位侵彻式探测领域，包括侵彻体，所述侵彻体的非侵彻端围设有磁导体，所述磁导体的下端面设有与侵彻体连接的增阻板，所述侵彻体的非侵彻端内设有用于对所述磁导体产生磁力的磁源结构。本发明专利技术利用增阻板及电磁结构的侵彻缓冲减阻方式，对飞行侵彻速度具有自适应性，结构紧凑、降低跳跃概率，速度降低后缓冲阻力将进一步降低，适用于地形条件未知的地外天体动能侵彻式探测，兼顾了侵彻深度与星表贮留的功能需求。的功能需求。的功能需求。

【技术实现步骤摘要】
一种侵彻缓冲阻尼装置


[0001]本专利技术涉及地外天体原位侵彻式探测领域，尤其涉及一种侵彻缓冲阻尼装置。

技术介绍

[0002]对于地外天体探测研究，深层星壤的物理特征参数是推演地球演化机理、地球水来源、宇宙成分分布规律等的关键，利用侵彻将弹头钻入或穿透天体进行探测是一种常见的方式，其中，动能侵彻式探测器是一种动能需求代价小、探测深度大的一种探测方式，但需要兼顾探测深度以及探测数据与卫星通信的需求。
[0003]目前，国际上均采用分体方案开展动能侵彻式探测，如俄罗斯的MARs
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96，美国的DeepSpace
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2等。但上述方案均采用不同外径的形式，利用直径的不同直接将通信部分停留在星球表面，完全不具备缓冲性能，加剧了电子元器件的抗力学条件。对于动能侵彻的缓冲，目前主要采用蜂窝铝形变吸能、气囊缓冲吸能两种方式。蜂窝铝形变吸能需要较大的空间和行程，设计完成后吸收能力固定，由于不具备对动能的适应性，因此需要设计足够的吸收裕度，重量代价增大。气囊缓冲方式通过气囊的弹性进行缓冲设计，但缓冲后气囊将会以相同的能量进行反弹，该过程难以控制，不利于星表贮留设备姿态的稳定。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于克服现有技术中侵彻缓冲装置存在的问题，提供了一种侵彻缓冲阻尼装置。
[0005]本专利技术的目的是通过以下技术方案来实现的：
[0006]主要提供一种侵彻缓冲阻尼装置，包括侵彻体，所述侵彻体的非侵彻端围设有磁导体，所述磁导体的下端面设有与侵彻体连接的增阻板，所述侵彻体的非侵彻端内设有用于对所述磁导体产生磁力的磁源结构。
[0007]在一个示例中，一种侵彻缓冲阻尼装置，所述磁源结构包括磁源和磁源控制器，所述磁源控制器在侵彻体与被侵彻介质接触时，开启所述磁源。
[0008]在一个示例中，一种侵彻缓冲阻尼装置，当磁源开启时，所述磁导体对所述磁源结构产生反向的阻力，对所述侵彻体进行缓冲。
[0009]在一个示例中，一种侵彻缓冲阻尼装置，所述阻力的大小自适应于所述侵彻体的侵彻动能。
[0010]在一个示例中，一种侵彻缓冲阻尼装置，所述磁导体与增阻板是一体化结构。
[0011]在一个示例中，一种侵彻缓冲阻尼装置，所述磁导体为圆柱状并盖设在所述侵彻体上。
[0012]在一个示例中，一种侵彻缓冲阻尼装置，所述侵彻体的侵彻端为弹头状。
[0013]在一个示例中，一种侵彻缓冲阻尼装置，所述增阻板为套设在所述侵彻体上的中空圆板。
[0014]在一个示例中，一种侵彻缓冲阻尼装置，所述增阻板的外径大于所述侵彻体的外
径。
[0015]在一个示例中，一种侵彻缓冲阻尼装置，所述增阻板为展开结构或变胞结构。
[0016]需要进一步说明的是，上述系统各选项对应的技术特征在不冲突的情况下可以相互组合或替换构成新的技术方案。
[0017]与现有技术相比，本专利技术有益效果是：
[0018]本专利技术利用增阻板及电磁结构的侵彻缓冲减阻方式，对飞行侵彻速度具有自适应性，结构紧凑、降低跳跃概率，速度降低后缓冲阻力将进一步降低，适用于地形条件未知的地外天体动能侵彻式探测，兼顾了侵彻深度与星表贮留的功能需求。
附图说明
[0019]图1为本专利技术实施例示出的一种侵彻缓冲阻尼装置的结构示意图；
[0020]图2为本专利技术实施例示出的侵彻缓冲过程示意图。
[0021]图中标号说明：1、侵彻体；2、磁导体；3、增阻板；4、磁源结构；5、被侵彻介质；6、磁力相互作用。
具体实施方式
[0022]下面结合附图对本专利技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0023]在本专利技术的描述中，需要说明的是，属于“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方向或位置关系为基于附图所述的方向或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，属于“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0024]在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，属于“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0025]此外，下面所描述的本专利技术不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
[0026]在一示例性实施例中，本专利技术提供一种侵彻缓冲阻尼装置，如图1所示，包括侵彻体1，所述侵彻体1的非侵彻端围设有磁导体2，所述磁导体2的下端面设有与侵彻体1连接的增阻板3，所述侵彻体1的非侵彻端内设有用于对所述磁导体2产生磁力的磁源结构4。
[0027]具体地，所述磁源结构4包括磁源和磁源控制器，所述磁源控制器在侵彻体1与被侵彻介质5接触时，会产生过载加速度，开启所述磁源。
[0028]当磁源开启时，所述磁导体2对所述磁源结构4产生反向的阻力，对所述侵彻体1进行缓冲。所述阻力的大小自适应于所述侵彻体1的侵彻动能。
[0029]如图2所示，侵彻体1、磁导体2、增阻板3、磁源结构4为整体结构，具体使用时，整体
结构会在一定动能的作用下，侵彻至被侵彻介质5中。
[0030]进一步地，所述增阻板3的外径大于所述侵彻体1的外径。由于增阻板3与侵彻体1外径的差异，当增阻板3与被侵彻介质5接触时，受到冲击的两体将会分离，此时侵彻体1与磁导体2也将分离。同时，在过载等因素的作用下，磁源控制器将被打开，当磁源控制器被打开后，侵彻体1内部的磁源将释放一定磁场，该磁场将与磁导体2发生相互作用。此时磁导体2将受到磁力相互作用6，对在侵彻体1中的运动磁源产生阻碍作用，进而对侵彻体1进行缓冲。
[0031]进一步地，阻力的大小与相对运动速度、6664540磁场强度、磁导率等相关。相对运动速度越大，则阻力越大；相对运动越小，则阻力越小，借助该效应将对侵彻体产生一定的缓冲作用，且缓冲效果将通过相对运动速度自适应于侵彻动能。
[0032]当磁源与磁导体2彻底分开后，磁力相互作用5也将消失，增阻板3及磁导体2将停留在星球表面，侵彻体1将在残余动能的作用下继续侵彻。侵彻结束后，将对相应位置开展物性探测分析。
[0033]在一个示例中，一种侵彻缓冲阻尼装置，所述磁导体2与增阻板3是一体化结构。由于磁导体2与增阻板3是一体化结构，缓冲过程中，在磁源与磁导体2相互作用力的约束下，留在星表的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种侵彻缓冲阻尼装置，包括侵彻体(1)，其特征在于，所述侵彻体(1)的非侵彻端围设有磁导体(2)，所述磁导体(2)的下端面设有与侵彻体(1)连接的增阻板(3)，所述侵彻体(1)的非侵彻端内设有用于对所述磁导体(2)产生磁力的磁源结构(4)。2.根据权利要求1所述的一种侵彻缓冲阻尼装置，其特征在于，所述磁源结构(4)包括磁源和磁源控制器，所述磁源控制器在侵彻体(1)与被侵彻介质(5)接触时，开启所述磁源。3.根据权利要求2所述的一种侵彻缓冲阻尼装置，其特征在于，当磁源开启时，所述磁导体(2)对所述磁源结构(4)产生反向的阻力，对所述侵彻体(1)进行缓冲。4.根据权利要求3所述的一种侵彻缓冲阻尼装置，其特征在于，所述阻力的大小自适应于所述侵彻体...

【专利技术属性】
技术研发人员：王鑫剑，左易，钱成，姜安林，邓李圣，郭芸芸，聂献东，刘金，卢鹏，陈粤海，杨宇彬，
申请(专利权)人：四川航天系统工程研究所，
类型：发明
国别省市：