白炽灯电子开关制造技术

本实用新型专利技术涉及一种使用可控硅作主控器件的白炽灯电子开关。该开关中的可控硅触发控制电路为一在每次开灯时头几秒内可自动逐步改变触发电流相位的变形ＲＣ移相电路，该电路中设置了一只由晶体三极管Ｔ↓［２］充当的能在开灯的头几秒内自动逐步变值的“可变电阻”，该“可变电阻”并联于电容Ｃ↓［２］的两端，以并联分流的方式改变电容Ｃ↓［２］的充电速度，从而自动逐步地改变触发电流的相位，使开灯头几秒内可控硅导通角逐步增大，达到自动抑制开灯浪涌电流，延长灯泡使用寿命的目的。（*该技术在2005年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种使用可控硅作主控器件的白炽灯电子开关。目前，社会上在楼道、公厕等场合普遍使用的白炽灯电子开关，如声光控制延时开关、按键延时开关、触摸延时开关等，大多使用可控硅作主控器件，但在打开电灯时，这些开关中的可控硅触发控制电路仅能提供相位基本不变的触发电流，可控硅导通角瞬间即达最大值。这样开灯，灯泡两端电压也是瞬间即达最大值。由于灯丝处于冷态时，其阻值只有正常照明时的1/14左右，根据欧姆定律，上述开灯方式开灯时产生的浪涌电流就有正常照明时14倍之大，又此类电子开关往往使用在需频繁开灯的场合，对灯泡寿命影响甚为严重。本技术的目的是提供一种可抑制开灯浪涌电流，延长灯泡使用寿命的白炽灯电子开关。为达此目的，本技术采取的解决方案是将可控硅触发控制电路设置成在每次开灯时头几秒内可自动逐步改变触发电流相位的变形RC移相电路，这部分电路由电阻R1、R2、电容C1、C2、晶体管T1、T2和D1、D2等组成，T1、T2是NPN型晶体三极管，各以共基极形式接入电路，发射极直接到地，电阻R1、R2分别是T1、T2的集电极电阻，电容C2并联于T2的C、E两极，触发管D2串接于C2正端与可控硅触发极G之间，电容C1并联于T2的发射结，二极管D1正向串接于T1的集电极C与T2的基极B之间，以D1的反向截止来阻断电容C1上的电荷从T1泄放，使C1和T2复合等效为一只可在开灯头几秒内自动逐步变值的“可变电阻”，该“可变电阻”并联于电容C2两端，以并联分流方式改变电容C2的充电速度，从而自动逐步地改变触发电流的相位，使开灯头几秒内可控硅导通角逐步增大。采用上述方法，由于开灯时头几秒内可控硅导通角是逐步增大的，灯泡两端的电压逐步升高，通过灯泡的电流逐渐增强，就不会产生浪涌电流。与现有声光控延时开关等相比，可大大延长灯泡的使用寿命。附附图说明图1是本技术后级可控硅触发控制电路原理图。以下结合附图对本技术作进一步说明。参照附图1，当前级未有开灯信号输出时，T1截止，T2饱和，电源经电阻R2向电容C2充电的电流近乎完全被T2分流，电容C2充不起电，可控硅得不到触发，处于关断状态，灯不亮；当前级有开灯信号输出时，T1饱和，晶体二极管D1反向截止，电容C1上原来充有的电荷只能经T2发射结逐渐泄放，维持T2继续导通一段时间之后才截止。适当选取电容C1的值，便可将T2从饱和区退到截止区的过程中在放大区过渡的时间控制在几秒钟。由于T2并联于电容C2两端，对于由电源经电阻R2向电容C2充电的电流，T2起分流作用。此处电容C1与T2相配合，恰好充当了一只可在几秒内自动逐步变值的“可变电阻”，随着这只“可变电阻”阻值从很小(T2饱和)逐步变到很大(T2截止)，其分流作用就从极大逐步变到极小，给电容C2充电的电流则从极小逐步变到足够大。在市电半波时间内，电容C2上端的电位升至打开可控硅所需值所用的时间逐步变短，即触发电流相位逐步提前，于是可控硅的导通角逐步增大，最终表现为通过灯泡的电流是逐渐增强的，这样就有效地抑制了开灯时的浪涌电流。本技术前级可灵活配接各种开关灯信号电路。例如前级配接声光信号处理及延时电路，便构成软发光声光控延时自动开关；前级配接按键延时电路，便构成按键式软发光延时自动关灯开关；前级配接触摸延时电路，便构成触摸式软发光延时自动关灯开关；也可用于老式拨动开关、拉线开关的改造，使之成为具有软发光灯泡延寿功能的开关。权利要求一种白炽灯电子开关，使用可控硅作主控器件，包括壳体、电路板等，其特征在于开关中的可控硅触发控制电路为一由电阻R1、R2、电容C1、C2、NPN型晶体三极管T1、T2和晶体二极管D1、触发管D2等元件组成的可在开灯头几秒内自动逐步改变触发电流相位的变形RC移相电路，T1、T2各以共基极形式接入电路，发射极直接到地，电阻R1、R2分别是T1、T2的集电极电阻，电容C2并联于T2的C、E两极，触发管D2串接于电容C2正端与可控硅触发极G之间，电容C1并联于T2的发射结，二极管D1正向串接于T1的集电极C与T2的基极B之间，以D1的反向截止来阻断电容C1上的电荷从T1泄放，使C1和T2复合等效为一只可在开灯头几秒内自动逐步变值的“可变电阻”，该“可变电阻”并联于电容C2的两端，以并联分流的方式改变电容C2的充电速度，从而自动逐步地改变触发电流的相位，使开灯头几秒内可控硅导通角逐步增大，达到自动抑制开灯浪涌电流的目的。专利摘要本技术涉及一种使用可控硅作主控器件的白炽灯电子开关。该开关中的可控硅触发控制电路为一在每次开灯时头几秒内可自动逐步改变触发电流相位的变形RC移相电路，该电路中设置了一只由晶体三极管T文档编号H05B39/02GK2241426SQ9520549公开日1996年11月27日 申请日期1995年3月10日 优先权日1995年3月10日专利技术者张万星 申请人:张万星本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种白炽灯电子开关，使用可控硅作主控器件，包括壳体、电路板等，其特征在于开关中的可控硅触发控制电路为一由电阻Ｒ↓［１］、Ｒ↓［２］、电容Ｃ↓［１］、Ｃ↓［２］、ＮＰＮ型晶体三极管Ｔ↓［１］、Ｔ↓［２］和晶体二极管Ｄ↓［１］、触发管Ｄ↓［２］等元件组成的可在开灯头几秒内自动逐步改变触发电流相位的变形ＲＣ移相电路，Ｔ↓［１］、Ｔ↓［２］各以共基极形式接入电路，发射极直接到地，电阻Ｒ↓［１］、Ｒ↓［２］分别是Ｔ↓［１］、Ｔ↓［２］的集电极电阻，电容Ｃ↓［２］并联于Ｔ↓［２］的Ｃ、Ｅ两极，触发管Ｄ↓［２］串接于电容Ｃ↓［２］正端与可控硅触发极Ｇ之间，电容Ｃ↓［１］并联于Ｔ↓［２］的发射结，二极管Ｄ↓［１］正向串接于Ｔ↓［１］的集电极Ｃ与Ｔ↓［２］的基极Ｂ之间，以Ｄ↓［１］的反向截止来阻断电容Ｃ↓［１］上的电荷从Ｔ↓［１］泄放，使Ｃ↓［１］和Ｔ↓［２］复合等效为一只可在开灯头几秒内自动逐步变值的“可变电阻”，该“可变电阻”并联于电容Ｃ↓［２］的两端，以并联分流的方式改变电容Ｃ↓［２］的充电速度，从而自动逐步地改变触发电流的相位，使开灯头几秒内可控硅导通角逐步增大，达到自动抑制开灯浪涌电流的目的。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张万星，
申请(专利权)人：张万星，
类型：实用新型
国别省市：33[中国|浙江]