确定扩散层厚度的方法、测试设备和存储介质技术

本公开实施例提供了一种确定扩散层厚度的方法、测试设备和存储介质，该方法包括：获取PN结中第一半导体的第一掺杂浓度和PN结中第二半导体的第二掺杂浓度；其中，第一掺杂浓度小于第二掺杂浓度；确定PN结的耗尽区等效电阻和体相等效电阻；根据第一掺杂浓度、体相等效电阻和PN结的结面积，确定第一半导体的第一体相长度；根据第一掺杂浓度、第二掺杂浓度和耗尽区等效电阻确定耗尽区长度；根据第一半导体的长度、第一体相长度和耗尽区长度，确定第一半导体的扩散层厚度。本公开实施例能够对PN结中少子的扩散层厚度进行准确测量，进而能够改善结漏电，并准确计算载流子扩散系数。并准确计算载流子扩散系数。并准确计算载流子扩散系数。

【技术实现步骤摘要】
确定扩散层厚度的方法、测试设备和存储介质


[0001]本公开涉及半导体
，尤其涉及一种确定扩散层厚度的方法、测试设备和存储介质。

技术介绍

[0002]PN结(PN Junction)是各种半导体器件的基础结构。其中，PN结可以是指：在一块完整的硅片上，利用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体，另一边形成P型半导体。从而在两种半导体的交界面附近就形成了PN结。获取PN结中少子扩散层的厚度数据，对于结漏电(Junction Leakage)的改善以及扩散系数的测量等都尤为重要。

技术实现思路

[0003]本公开实施例提供了一种确定扩散层厚度的方法、测试设备和存储介质。
[0004]第一方面，本公开实施例提供了一种确定扩散层厚度的方法，包括：
[0005]获取PN结中第一半导体的第一掺杂浓度和所述PN结中第二半导体的第二掺杂浓度；其中，所述第一掺杂浓度小于所述第二掺杂浓度；
[0006]确定所述PN结的耗尽区等效电阻和体相等效电阻；
[0007]根据所述第一掺杂浓度、所述体相等效电阻和所述PN结本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种确定扩散层厚度的方法，其特征在于，所述方法包括：获取PN结中第一半导体的第一掺杂浓度和所述PN结中第二半导体的第二掺杂浓度；其中，所述第一掺杂浓度小于所述第二掺杂浓度；确定所述PN结的耗尽区等效电阻和体相等效电阻；根据所述第一掺杂浓度、所述体相等效电阻和所述PN结的结面积，确定所述第一半导体的第一体相长度；根据所述第一掺杂浓度、所述第二掺杂浓度和所述耗尽区等效电阻确定耗尽区长度；根据所述第一半导体的长度、所述第一体相长度和所述耗尽区长度，确定所述第一半导体的扩散层厚度。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一半导体为P型半导体，所述第二半导体为N型半导体；或者，所述第一半导体为N型半导体，所述第二半导体为P型半导体。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述确定所述PN结的耗尽区等效电阻和体相等效电阻，包括：在所述PN结处于反偏状态的情况下，对所述PN结施加预设交流信号；根据所述预设交流信号对所述PN结进行交流阻抗测试，确定交流阻抗谱；根据所述交流阻抗谱，确定所述PN结的耗尽区等效电阻和体相等效电阻。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述PN结中的P型半导体与第一电源连接，所述PN结中的N型半导体与第二电源和所述预设交流信号连接。5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在根据所述预设交流信号对所述PN结进行交流阻抗测试时，所述方法还包括：将所述预设交流信号的扰动频率从第一频率变化至第二频率，以获得所述交流阻抗谱；其中，所述第一频率大于所述第二频率。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一掺杂浓度、所述体相等效电阻和所述PN结的结面积，确定所述第一半导体的第一体相长度，包括：根据所述第一掺杂浓度确定所述第一半导体的第一电阻率；根据所述第一电阻率、所述体相等效电阻和所述PN结的结面积进行计算，确定所述第一体相长度。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一掺杂浓度、所述第二掺杂浓度和所述耗尽区等效电阻确定耗尽区长度，包括：根据所述耗尽区等效电阻，确实所述PN结的耗尽区分压；根据所述耗尽区分压、所述第一掺杂浓度和所述第二掺杂浓度进行计算，确定所述耗尽区长度。8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述根据所述耗尽区等效电阻，确实所述PN结的耗尽区分压，包括：确定所述PN结在处于反偏状态时的偏置电流；根据所述偏置电流和所述耗尽区等效电阻，确定所述耗尽区分压。9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述根据所述耗尽区分压，所述第一掺杂浓度和所述第二掺杂浓度，确定所述耗尽区长度，包括：根据所述第一掺杂浓度和所述第二掺杂浓度确定第一电势差，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨杰，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：