一种预防电压不稳的启动电路制造技术

技术编号:37050457 阅读:15 留言:0更新日期:2023-03-29 19:28
本实用新型专利技术公开一种预防电压不稳的启动电路。包括MOS管,MOS管的栅极通过依次串联的第一电阻和第二电阻接地,且通过第一电阻接入单片机控制信号,MOS管的漏极连接负载并通过第一电容连接于第一电阻和第二电阻之间,MOS管的源极接入工作电源并通过第二电容接地,第二电容为电解电容。本实用新型专利技术在MOS管导通,所加载的负载较大,在MOS管导通瞬间,工作电源瞬间需要增加较大电流,此时前期已经充电完成的第二电容充当电池作用,补充工作电源电流,从而保障工作电源不会因MOS管的导通瞬间增加大电流而使工作电源的电荷供应不足,使得电压不稳。稳。稳。

【技术实现步骤摘要】
一种预防电压不稳的启动电路


[0001]本技术涉及电子电路
,尤其是一种预防电压不稳的启动电路。

技术介绍

[0002]众所周知,光设备终端也光网络终端,泛指光猫,是通过光纤介质进行传输,将光信号调制解调为其他协议信号的网络设备。光设备也是作为大型局域网、城域网和广域网的中继传输设备。
[0003]但是,光设备终端在启动过程中,系统加载光口时,打开光口电源,此时系统电流瞬间加大,便会导致系统电压被拉低,触发重启。这种所产生的瞬态电流波动,便会引起系统电压不稳,导致设备重启风险,甚至有可能无限重启,这样便会造成网络的反复断网等现象。

技术实现思路

[0004]针对上述现有技术中存在的不足,本技术的目的在于提供一种预防电压不稳的启动电路。
[0005]为了实现上述目的,本技术采用如下技术方案:
[0006]一种预防电压不稳的启动电路,包括MOS管,所述MOS管的栅极通过依次串联的第一电阻和第二电阻接地,且通过所述第一电阻接入单片机控制信号,所述MOS管的漏极连接负载并通过第一电容连接于第一电阻和第二电阻之间,所述MOS管的源极接入工作电源并通过第二电容接地,所述第二电容为电解电容。
[0007]优选地,所述MOS管的漏极和源极处并联有一个磁珠。
[0008]优选地,所述MOS管的型号为ZXMP3A13F。
[0009]由于采用了上述方案,本技术以MOS管作为开关,磁珠预留调试位置,第一电容吸留电容,防止残留电压导致信号负载依然在工作,第二电容为电解电容作为续流电容。在MOS管导通,所加载的负载较大,在MOS管导通瞬间,工作电源瞬间需要增加较大电流,此时前期已经充电完成的第二电容充当电池作用,补充工作电源电流,从而保障工作电源不会因MOS管的导通瞬间增加大电流而使工作电源的电荷供应不足,使得电压不稳。
附图说明
[0010]图1是本技术实施例的电路结构示意图。
具体实施方式
[0011]为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本技术进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术,并不用于限定本技术。
[0012]在本技术的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽
度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本技术和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本技术的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本技术的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
[0013]在本技术的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接。可以是机械连接,也可以是电连接。可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0014]如图1所示,本实施例提供的一种预防电压不稳的启动电路,包括MOS管Q1,所述MOS管Q1的栅极通过依次串联的第一电阻R1和第二电阻R2接地,且通过所述第一电阻R1接入单片机控制信号,所述MOS管Q1的漏极连接负载并通过第一电容C1连接于第一电阻R1和第二电阻R2之间,所述MOS管Q1的源极接入工作电源并通过第二电容C2接地,所述第二电容C2为电解电容。
[0015]进一步,所述MOS管Q1的漏极和源极处并联有一个磁珠FB。
[0016]进一步,所述MOS管Q1的型号为ZXMP3A13F。
[0017]本实施例所提供的电路,其主要是针对解决突发性电流增大,导致系统电源电压降低,进而导致系统不稳定。
[0018]具体工作原理如下:
[0019]1、电路中,第二电阻R2给MOS管Q1一个初始状态;MOS管Q1是作为开关的作用;磁珠FB预留调试位置;第一电容C1作为吸留电容,当MOS管Q1关闭后,第一电容C1吸收3P3_XCVR_TX信号上残留电压,防止残留电压导致信号3P3_XCVR_TX负载依然在工作;第二电容C2为电解电容作为续流电容。
[0020]2、电路信号点RSVD3_DIS_PON_TXPWR初始状态为高电平,此时MOS管Q1的源极和漏极是高阻态,相当于工作电源VDD33与3P3_XCVR_TX是高阻态,工作电源VDD33对第二电容C2充电;
[0021]3、当电路运行到某一节点,需要对3P3_XCVR_TX 通电,即负载通电。此时RSVD3_DIS_PON_TXPWR信号变成高电平,MOS管Q1导通,而加载在信号3P3_XCVR_TX的负载较大,在MOS管Q1导通瞬间,VDD33瞬间需要增加较大电流,此时前期已经充电完成的第二电容C2充当电池作用,补充工作电源VDD33电流,从而保障工作电源VDD33不会因MOS管导通瞬间增加大电流而使工作电源VDD33电荷供应不足使得电压不稳。
[0022]以上仅为本技术的优选实施例,并非因此限制本技术的专利范围,凡是利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的
,均同理包括在本技术的专利保护范围内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种预防电压不稳的启动电路,其特征在于:包括MOS管,所述MOS管的栅极通过依次串联的第一电阻和第二电阻接地,且通过所述第一电阻接入单片机控制信号,所述MOS管的漏极连接负载并通过第一电容连接于第一电阻和第二电阻之间,所述MOS管的源极接入工作电源并通过...

【专利技术属性】
技术研发人员:王庭一潘红章魏志勇
申请(专利权)人:深圳市长进通信技术有限公司
类型:新型
国别省市:

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