功率放大器的偏置电路及射频电路制造技术

本实用新型专利技术提供一种功率放大器的偏置电路及射频电路，涉及电路技术领域。包括：第一晶体管、第一电阻以及单向导通模块；第一晶体管的第一极与功率放大器的射频输入端连接，第一晶体管的第二极通过第一电阻连接预设电源的第一电源端连接，第一晶体管的第三极接地；单向导通模块的正极连接第一连接点，单向导通模块的负极连接第二连接点，第二连接点连接预设电源的第二电源端。单向导通模块的设置可以使得第一连接点和第二连接点的相互影响，再次基础上设置的第一晶体管以及第一电阻，在外部电源电压波动时，均可以使得第二连接点处的电位处于稳定状态，功率放大器输入的电压也更稳定，从而使得功率放大器的工作状态更加稳定。从而使得功率放大器的工作状态更加稳定。从而使得功率放大器的工作状态更加稳定。

【技术实现步骤摘要】
功率放大器的偏置电路及射频电路


[0001]本技术涉及电路
，具体而言，涉及一种功率放大器的偏置电路及射频电路。

技术介绍

[0002]功率放大器是指在给定失真率条件下，能产生最大功率输出以驱动某一负载的放大器。功率放大器在整个射频收发系统中起到了“组织、协调”的枢纽作用，在某种程度上主宰着整个系统能否提供足够的输出功率以及系统能否拥有足够的直流转换效率。
[0003]相关技术中，功率放大器普遍采用传统的负电源电阻分压偏置或源级电阻自偏置方案，功率放大器的性能会随着外部电源波动而产生较大变化。但是，相关技术中的偏置方式，无法有效改善外部电源电压波动时，所导致的功率放大器工作不稳定的问题。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于，针对上述现有技术中的不足，提供一种功率放大器的偏置电路及射频电路，以解决相关技术中所存在的上述技术问题。
[0005]为实现上述目的，本技术实施例采用的技术方案如下：
[0006]第一方面，本技术实施例提供了一种功率放大器的偏置电路，包括：第一晶体管、第一电阻以及单向导通模块；
[0007]所述第一晶体管的第一极与所述功率放大器的射频输入端连接，所述第一晶体管的第二极通过所述第一电阻连接预设电源的第一电源端连接，所述第一晶体管的第三极接地；所述单向导通模块的正极连接第一连接点，所述单向导通模块的负极连接第二连接点，所述第二连接点连接所述预设电源的第二电源端；其中，所述第一连接点为所述第一晶体管的第二极，所述第二连接点为所述第一晶体管的第一极和所述功率放大器的射频输入端之间的连接点。
[0008]可选的，所述单向导通模块包括：依次连接的至少一个单向导通器件；
[0009]所述至少一个单向导通器件中第一个单向导通器件的正极连接所述第一连接点；所述至少一个单向导通器件中最后一个单向导通器件的负极，连接所述第二连接点。
[0010]可选的，所述偏置电路还包括：第二电阻；所述第二电阻连接在所述第一晶体管的第一极与所述第二连接点之间。
[0011]可选的，所述偏置电路还包括：第三电阻；所述第三电阻连接在所述第二连接点与所述预设电源的第二电源端之间。
[0012]可选的，所述偏置电路还包括：第四电阻；所述第四电阻连接在所述第二连接点与所述功率放大器的射频输入端之间。
[0013]可选的，所述第一晶体管为第一场效应管，所述第一场效应管的第一极为栅极，所述第一场效应管的第二极为漏极，所述第一场效应管的第三极为源极。
[0014]第二方面，本技术实施例还提供了一种射频电路，包括：功率放大器，以及上
述第一方面任一所述的偏置电路；
[0015]所述功率放大器的射频输入端连接所述偏置电路中第一晶体管的第一极，所述功率放大器的正电源端连接预设电源的第一电源端，所述功率放大器的负电源端接地。
[0016]可选的，所述功率放大器包括：所述射频输入端、射频输出端、第二晶体管、电感；
[0017]其中，所述第二晶体管的第一极连接所述射频输入端，所述第二晶体管的第二极连接所述电感的一端，所述电感的另一端为所述功率放大器的正电源端，用以连接所述预设电源的第一电源端；所述第二晶体管的第三极为所述功率放大器的负电源端用以接地。
[0018]可选的，所述功率放大器还包括：第一电容和第二电容；
[0019]所述第二晶体管的第一极通过所述第一电容与所述射频输入端连接，所述第二晶体管的第二极通过所述第二电容与所述射频输出端连接。
[0020]可选的，所述第二晶体管为第二场效应管，所述第二场效应管的第一极为栅极，所述第二场效应管的第二极为漏极，所述第二场效应管的第三极为源极。
[0021]本技术的有益效果是：本技术实施例提供一种功率放大器的偏置电路及射频电路，包括：第一晶体管、第一电阻以及单向导通模块；第一晶体管的第一极与功率放大器的射频输入端连接，第一晶体管的第二极通过第一电阻连接预设电源的第一电源端连接，第一晶体管的第三极接地；单向导通模块的正极连接第一连接点，单向导通模块的负极连接第二连接点，第二连接点连接预设电源的第二电源端；其中，第一连接点为第一晶体管的第二极，第二连接点为第一晶体管的第一极和功率放大器的射频输入端之间的连接点。单向导通模块的设置可以使得第一连接点和第二连接点的相互影响，再次基础上设置的第一晶体管以及第一电阻，在外部电源电压波动时，均可以使得第二连接点处的电位处于稳定状态，功率放大器输入的电压也更稳定，从而使得功率放大器的工作状态更加稳定。
附图说明
[0022]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0023]图1为本申请一实施例提供的一种功率放大器的偏置电路的结构示意图；
[0024]图2为本申请一实施例提供的一种功率放大器的偏置电路的结构示意图；
[0025]图3为本申请一实施例提供的一种功率放大器的偏置电路的结构示意图；
[0026]图4为本申请一实施例提供的一种功率放大器的射频电路的结构示意图；
[0027]图5为本申请一实施例提供的一种功率放大器的射频电路的结构示意图；
[0028]图6为本申请一实施例提供的一种功率放大器的射频电路的结构示意图。
具体实施方式
[0029]为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
[0030]因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0031]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
[0032]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率放大器的偏置电路，其特征在于，包括：第一晶体管、第一电阻以及单向导通模块；所述第一晶体管的第一极与所述功率放大器的射频输入端连接，所述第一晶体管的第二极通过所述第一电阻连接预设电源的第一电源端连接，所述第一晶体管的第三极接地；所述单向导通模块的正极连接第一连接点，所述单向导通模块的负极连接第二连接点，所述第二连接点连接所述预设电源的第二电源端；其中，所述第一连接点为所述第一晶体管的第二极，所述第二连接点为所述第一晶体管的第一极和所述功率放大器的射频输入端之间的连接点。2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述单向导通模块包括：依次连接的至少一个单向导通器件；所述至少一个单向导通器件中第一个单向导通器件的正极连接所述第一连接点；所述至少一个单向导通器件中最后一个单向导通器件的负极，连接所述第二连接点。3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述偏置电路还包括：第二电阻；所述第二电阻连接在所述第一晶体管的第一极与所述第二连接点之间。4.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述偏置电路还包括：第三电阻；所述第三电阻连接在所述第二连接点与所述预设电源的第二电源端之间。5.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述偏置电路还包括：第四电阻；所述第四电阻连接在所述第二连接点与所述功率放大器的射频输入端之间。6.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：张乘峰，侯兴江，
申请(专利权)人：成都市时代速信科技有限公司，
类型：新型
国别省市：