一种环氧塑封料芯片保护薄膜及其制备方法技术

本申请涉及一种环氧塑封料芯片保护薄膜及其制备方法，涉及电子芯片保护薄膜领域，所述薄膜包括以下成分：环氧树脂和炭黑，所述炭黑的明暗度L值为36

【技术实现步骤摘要】
一种环氧塑封料芯片保护薄膜及其制备方法


[0001]本申请涉及电子芯片保护薄膜领域，尤其涉及一种环氧塑封料芯片保护薄膜及其制备方法。

技术介绍

[0002]为保证电子芯片具有一定强度，需在表面带电路的芯片背面粘合一层保护薄膜，为进行产品追溯以及型号、商标的统一管理，需要在这层保护薄膜上进行激光刻字。但传统芯片保护薄膜光泽度较低，激光所刻字符在显微镜明场下暗淡无光，暗色背景与黑色字体对比度差，所刻字符不清晰，使得设备难以有效识别出字符。

技术实现思路

[0003]本申请提供了一种环氧塑封料芯片保护薄膜及其制备方法，以解决传统芯片保护薄膜光泽度低的问题。
[0004]第一方面，本申请提供了一种环氧塑封料芯片保护薄膜，所述薄膜包括以下成分：环氧树脂和炭黑，所述炭黑的明暗度L值为36
‑
40。
[0005]进一步地，所述炭黑的粒径为20nm
‑
25nm。
[0006]进一步地，所述炭黑为炭黑S160和/或炭黑808A。
[0007]进一步地，所述薄膜的成分还包括：球形二氧化硅和固化剂。
[0008]进一步地，所述球形二氧化硅的D50粒径为0.2
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0.4μm。
[0009]进一步地，所述环氧树脂包括双酚A型环氧树脂和双酚F型环氧树脂；所述双酚A型环氧树脂和双酚F型环氧树脂的质量比为1.5～2.5：1。
[0010]进一步地，所述固化剂为萘酚类固化剂。
[0011]进一步地，所述环氧树脂、球形二氧化硅、固化剂和炭黑的质量比为(35～40)：
[0012](33～37)：(24～26)：(1～3)。
[0013]进一步地，所述薄膜的成分还包括膦类固化促进剂。
[0014]第二方面，本申请提供了一种环氧塑封料芯片保护薄膜的制备方法，用于制备第一方面所述的环氧塑封料芯片保护薄膜，所述制备方法包括：
[0015]将原料进行混合，后得浆料；
[0016]将所述浆料置于设定真空度的环境下脱泡至浆料无气泡；
[0017]将脱泡后的所述浆料涂布在涂有硅油的离型膜上，后烘干。
[0018]本申请实施例提供的上述技术方案与现有技术相比具有如下优点：
[0019]本申请实施例提供的环氧塑封料芯片保护薄膜，所述薄膜包括以下成分：环氧树脂和炭黑，所述炭黑的明暗度L值为36
‑
40。该薄膜以环氧树脂作为主体树脂，使芯片保护薄膜具有薄膜的特性：如具有延伸性、韧性、黏性等，再通过明暗度L值为36
‑
40的炭黑提高其光泽度，该L值的炭黑具有黑度高、反射率高的特点，其流平性、分散性好，可提高膜材的镜面效果，从而提高光泽度。
附图说明
[0020]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。
[0021]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0022]图1为本申请实施例1提供的一种环氧塑封料芯片保护薄膜的刻字图片；
[0023]图2为本申请实施例2提供的一种环氧塑封料芯片保护薄膜的刻字图片；
[0024]图3为本申请对比例1提供的一种环氧塑封料芯片保护薄膜的刻字图片；
[0025]图4为本申请对比例2提供的一种环氧塑封料芯片保护薄膜的刻字图片；
[0026]图5为本申请对比例3提供的一种环氧塑封料芯片保护薄膜的刻字图片。
具体实施方式
[0027]为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
[0028]除非另有特别说明，本申请中用到的各种原材料、试剂、仪器和设备等，均可通过市场购买得到或者可通过现有方法制备得到。
[0029]第一方面，本申请实施例提供了一种环氧塑封料芯片保护薄膜，所述薄膜包括以下成分：环氧树脂和炭黑，所述炭黑的明暗度L值为36
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40。
[0030]本申请实施例提供的环氧塑封料芯片保护薄膜，所述薄膜包括以下成分：环氧树脂和炭黑，所述炭黑的明暗度L值为36
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40。该薄膜以环氧树脂作为主体树脂，使芯片保护薄膜具有薄膜的特性：如具有延伸性、韧性、黏性等，再通过明暗度L值为36
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40的炭黑提高其光泽度，该L值的炭黑具有黑度高、反射率高的特点，其流平性、分散性好，可提高膜材的镜面效果，从而提高光泽度。
[0031]需要说明的是，本申请中的明暗度L值为Lab值中的L值，Lab值即为色差仪测量的Lab值，表示的就是颜色测量的三个纬度。
[0032]在一些实施方式中，所述炭黑的明暗度L值可以为36、37、38、39、40等。
[0033]作为本专利技术实施例的一种实施方式，所述炭黑的粒径为20nm
‑
25nm。
[0034]本申请中，该粒径的炭黑分散效果和流平性比较好。
[0035]在一些实施方式中，所述炭黑的粒径可以为20nm、21nm、22nm、23nm、24nm、25nm等。
[0036]作为本专利技术实施例的一种实施方式，所述炭黑为炭黑S160和/或炭黑808A。
[0037]作为本专利技术实施例的一种实施方式，所述薄膜的成分还包括：球形二氧化硅和固化剂。
[0038]本申请中，球形二氧化硅为填料，具有将环氧树脂分散并提高玻璃化转变温度等作用。固化剂在特定温度下能与环氧树脂反应，使环氧树脂发生交联，使薄膜可固化在芯片表面。
[0039]作为本专利技术实施例的一种实施方式，所述球形二氧化硅的D50粒径为0.2
‑
0.4μm。
[0040]在一些实施方式中，所述球形二氧化硅的D50粒径可以为0.2μm、0.25μm、0.3μm、0.35μm、0.4μm等。
[0041]作为本专利技术实施例的一种实施方式，所述环氧树脂包括双酚A型环氧树脂和双酚F型环氧树脂；所述双酚A型环氧树脂和双酚F型环氧树脂的质量比为1.5～2.5：1。
[0042]本申请中，双酚A型环氧树脂对金属的黏着力很强、有很强的耐化学腐蚀性、力学强度很高、电绝缘性好、耐腐蚀；双酚F型环氧树脂的特点是黏度小。该配比下的环氧树脂同时具有双酚A型和双酚F型树脂的特点，该配比下的树脂粘度更有利于提高环氧树脂在整个制程中的均一性和稳定性。
[0043]在一些实施方式中，所述双酚A型环氧树脂和双酚F型环氧树脂的质量比可以为1.5：本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种环氧塑封料芯片保护薄膜，其特征在于，所述薄膜包括以下成分：环氧树脂和炭黑，所述炭黑的明暗度L值为36
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40。2.根据权利要求1所述的环氧塑封料芯片保护薄膜，其特征在于，所述炭黑的粒径为20nm
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25nm。3.根据权利要求1所述的环氧塑封料芯片保护薄膜，其特征在于，所述炭黑为炭黑S160和/或炭黑808A。4.根据权利要求1所述的环氧塑封料芯片保护薄膜，其特征在于，所述薄膜的成分还包括：球形二氧化硅和固化剂。5.根据权利要求4所述的环氧塑封料芯片保护薄膜，其特征在于，所述球形二氧化硅的D50粒径为0.2
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0.4μm。6.根据权利要求4所述的环氧塑封料芯片保护薄膜，其特征在于，所述环氧树脂包括双酚A型环氧树脂和双...

【专利技术属性】
技术研发人员：伍得，周桥，廖述杭，苏峻兴，
申请(专利权)人：武汉市三选科技有限公司，
类型：发明
国别省市：