中水多波束声基阵高压馈电装置制造方法及图纸

技术编号:37022938 阅读:62 留言:0更新日期:2023-03-25 18:57
本实用新型专利技术公开了一种中水多波束声基阵高压馈电装置,包括:声基阵,所述声基阵集成有M个升压变压器和M个压电陶瓷基元,所述M个升压变压器与所述M个压电陶瓷基元一一对应,M为大于1的整数,每个升压变压器包括初级线圈和次级线圈,每个压电陶瓷基元与自身对应的升压变压器的次级线圈电气连接;发射机,所述发射机分别与所述M个升压变压器各自的初级线圈电气连接。气连接。气连接。

【技术实现步骤摘要】
中水多波束声基阵高压馈电装置


[0001]本技术涉及水域探测
,尤其涉及一种中水多波束声基阵高压馈电装置。

技术介绍

[0002]中水多波束声基阵是中水多波束探测系统中的重要组成部分,其通过电

声转换以输出声功率,以便实现中水水下探测。中水多波束系统的水下探测距离超过3000米,综合考量声衰减、接收换能器的接收灵敏度以及接收机特性等参数,保证一定的接收信号阈值,需要尽可能提高发生声源级。而在中水多波束声基阵的发送电压响应确定的条件下,提高声源级唯一的方法是提高中对水多波束声基阵中的压电陶瓷基元的馈电电压。
[0003]相关技术中,为了实现对压电陶瓷基元的持续高压馈电,通常在发射机的内部布放升压变压器,由升压变压器对发射机的输出电压进行升压后对压电陶瓷基元进行馈电,以确保中水多波束声基阵的正常工作。但是,在该方式下,升压变压器与声基阵之间的连接线缆的额定工作电压等于升压变压器的次级电压,远远大于工程中常用线缆的耐压值,这就需要增加连接线缆的厚度,或者采用特质的连接线缆,进而增加制造成本。

技术实现思路

[0004]本技术实施例的目的提供一种中水多波束声基阵高压馈电装置,用于解决相关技术中的馈电方式需增加连接线缆的厚度或者采用特质的连接线缆而导致制造成本增加的问题。
[0005]为了实现上述目的,本技术实施例采用下述技术方案:
[0006]本技术实施例提供一种中水多波束声基阵高压馈电装置,包括:
[0007]声基阵,所述声基阵集成有M个升压变压器和M个压电陶瓷基元,所述M个升压变压器与所述M个压电陶瓷基元一一对应,M为大于1的整数,每个升压变压器包括初级线圈和次级线圈,每个压电陶瓷基元与自身对应的升压变压器的次级线圈电气连接;
[0008]发射机,所述发射机分别与所述M个升压变压器各自的初级线圈电气连接。
[0009]可选地,所述发射机包括M个处理器、M个信号发生器以及M个功率放大器,所述M个处理器、所述M个信号发生器、所述M个功率放大器以及所述M个升压变压器之间一一对应;
[0010]每个功率放大器的输出端与自身对应的升压变压器的初级线圈电气连接;
[0011]每个信号发生器的输入端与自身对应的处理器的输出端电气连接,每个信号发生器的输出端与自身对应的功率放大器的输入端电气连接。
[0012]可选地,每个功率放大器的输出端与自身对应的升压变压器的初级线圈之间通过RVVP屏蔽线缆电气连接,所述RVVP屏蔽线缆的额定电压大于500VAC。
[0013]可选地,所述声基阵还包括电路板、第一电气连接端以及第二电气连接端,所述第一电气连接端与所述第二电气连接端之间电气连接,所述第一电气连接端设置在所述电路板上;
[0014]每个升压变压器的次级线圈与所述第二电气连接端电气连接,每个压电陶瓷基元与所述第一电气连接端电气连接。
[0015]可选地,每个压电陶瓷基元的表面形成有馈电点,所述第一电气连接端上设置有M个馈电电极,所述M个馈电电极与所述M个压电陶瓷基元一一对应,每个馈电电极与自身对应的压电陶瓷基元的表面形成的馈电点之间电气连接。
[0016]可选地,所述馈电点包括信号电极和地电极;
[0017]每个压电陶瓷基元的表面形成的馈电点中的信号电极与该压电陶瓷基元对应的导电电极之间电气连接,每个压电陶瓷基元的表面形成的馈电点中的地电极接地。
[0018]可选地,所述电路板为柔性电路板。
[0019]可选地,所述第二电气连接端包括排针以及与所述排针相适配的排母,所述排母布设在所述电路板上,每个升压变压器的次级线圈与所述排针的一个引脚电气连接。
[0020]可选地,所述排针包括沿第一方向和第二方向阵列排布的多个引脚,所述第一方向与所述第二方向正交引脚;
[0021]沿所述第一方向排布的多个引脚中、用于连接升压变压器的次级线圈的引脚之间间隔一个引脚;
[0022]沿所述第二方向排布的多个引脚中、用于连接升压变压器的次级线圈的引脚之间间隔一个引脚。
[0023]可选地,所述排针的相邻两个引脚之间的间距为2.0mm、2.54mm以及3.96mm中的任一种。
[0024]本技术实施例采用的上述至少一个技术方案能够达到以下有益效果:采用与声基阵中的M个压电陶瓷基元一一对应的M个升压变压器,且每个升压变压器的次级线圈与对应的一个压电陶瓷基元电气连接,每个升压变压器的初级线圈与发射机电气连接,由此实现M(M为大于1的整数)个升压变压器为M个压电陶瓷基元并行馈电,来满足声基阵中压电陶瓷基元的持续高压馈电需求;在此基础上,将M个升压变压器与M个压电陶瓷基元集成在声基阵中,使得升压变压器与声基阵之间的连接线缆的额定工作电压等于升压变压器的初级电压,由此,通过设计升压变压器的变比,不仅可以使该连接线缆的额定工作电压小于工程中常用线缆的耐压值,使得升压变压器与声基阵之间的连接线缆可采用工程中常用的线缆,有利于降低制造成本,提高中水多波束声基阵高压馈电装置的通用性,还可以降低发射机对于高压电源的要求,节省能源,优化性能。
附图说明
[0025]此处所说明的附图用来提供对本技术的进一步理解,构成本技术的一部分,本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术,并不构成对本技术的不当限定。在附图中:
[0026]图1为本技术的一个实施例提供的一种中水多波束声基阵高压馈电装置的结构示意图;
[0027]图2为本技术的另一个实施例提供的一种中水多波束声基阵高压馈电装置的结构示意图;
[0028]图3为本技术的一个实施例提供的一种排针的引脚的示意图;
[0029]图4为本技术的另一个实施例提供的一种排针的引脚的示意图;
[0030]图5为本技术的又一个实施例提供的一种排针的引脚的示意图。
[0031]附图标记说明:
[0032]1‑
声基阵、11

压电陶瓷基元、12

升压变压器、13

电路板、131

馈电电极、
[0033]2‑
发射机、21

处理器、22

信号发生器、23

功率放大器。
具体实施方式
[0034]为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本技术具体实施例及相应的附图对本技术技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。
[0035]本说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象,而不用于描述特定的顺序或先后次序。应理解,这样使用的数据在适当的情况下可以互本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种中水多波束声基阵高压馈电装置,其特征在于,包括:声基阵,所述声基阵集成有M个升压变压器和M个压电陶瓷基元,所述M个升压变压器与所述M个压电陶瓷基元一一对应,M为大于1的整数,每个升压变压器包括初级线圈和次级线圈,每个压电陶瓷基元与自身对应的升压变压器的次级线圈电气连接;发射机,所述发射机分别与所述M个升压变压器各自的初级线圈电气连接。2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述发射机包括M个处理器、M个信号发生器以及M个功率放大器,所述M个处理器、所述M个信号发生器、所述M个功率放大器以及所述M个升压变压器之间一一对应;每个功率放大器的输出端与自身对应的升压变压器的初级线圈电气连接;每个信号发生器的输入端与自身对应的处理器的输出端电气连接,每个信号发生器的输出端与自身对应的功率放大器的输入端电气连接。3.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,每个功率放大器的输出端与自身对应的升压变压器的初级线圈之间通过RVVP屏蔽线缆电气连接,所述RVVP屏蔽线缆的额定电压大于500VAC。4.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述声基阵还包括电路板、第一电气连接端以及第二电气连接端,所述第一电气连接端与所述第二电气连接端之间电气连接,所述第一电气连接端设置在所述电路板上;每个升压变压器的次级线圈与所述第二电气连接端电气连接,每个压电陶瓷基元与...

【专利技术属性】
技术研发人员:张祺刘金珂闫佳宁池白雪
申请(专利权)人:北京星天科技有限公司
类型:新型
国别省市:

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