日光灯电子启动器制造技术

一种日光灯电子启动器，其中二极管ＶＤ２、可控硅ＶＳ１串联，二极管ＶＤ２阳极连接在引出端Ｆ上，可控硅ＶＳ１阴极连接在另一引出端Ｅ上，成为本电路的灯管预热电路；其特征在于：电容Ｃ２、可控硅ＶＳ２串联，电容Ｃ２负极连接在引出端Ｆ上，可控硅ＶＳ２阳极连接在另一引出端Ｅ上，电阻Ｒ７、Ｒ８也串联，电阻Ｒ７的一端连接在引出端Ｆ上，电阻Ｒ８的一端连接在另一引出端Ｅ上，电阻Ｒ７和Ｒ８的接点与可控硅ＶＳ２控制极相连，可控硅ＶＳ２阴极与可控硅ＶＳ１阳极相连，构成的灯管启辉电路；电阻Ｒ６、二极管ＶＤ１与电容Ｃ１串联，电阻Ｒ６的一端连接在引出端Ｆ上，电阻Ｒ６的另一端与二极管ＶＤ１阳极相连，二极管ＶＤ１阴极与电容Ｃ１正极相连，电容Ｃ１负极连接在另一引出端Ｅ上，电容Ｃ１上的直流电压作为本电路的比较电压；电阻Ｒ１、Ｒ３串联，电阻Ｒ１的一端连接在电容Ｃ１正极上，电阻Ｒ３的一端连接在电容Ｃ１负极上，电阻Ｒ１和Ｒ３的接点与三极管ＶＴ１基极相连，电阻Ｒ２跨接在三极管ＶＴ１基极与三极管ＶＴ２集电极之间，电阻Ｒ４跨接在电容Ｃ１正极与三极管ＶＴ１集电极之间，电阻Ｒ５跨接在电容Ｃ１正极与三极管ＶＴ２集电极之间，三极管ＶＴ１集电极与三极管ＶＴ２基极相连，三极管ＶＴ２集电极与可控硅ＶＳ１控制极相连，三极管ＶＴ１、ＶＴ２发射极并接在另一引出端Ｅ上，构成的电压比较电路。（*该技术在2007年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种日光灯启动器。电感式日光灯镇流器以价格低和使用寿命长，而被广泛使用。但与其配合工作的氖泡式启动器却存在有使用寿命短、启动时间长，且在低温低压下难以启动，而又影响日光灯的使用寿命等缺点。为了解决这个问题，目前出现了若干种电子启动器。如《电子报》1996年3月24日第12月第七版《再谈日光灯低压快速启动》，中国专利95237262.2“荧光灯快速启动器”，中国专利95225259.7“电子启动器”，但这些启动器有的成本高、体积大，有的在性能上还存在着较明显的不足，从而尚未被普遍推广使用。本技术的目的，是要提供一种工作可靠、使用寿命长、成本低、体积小的日光灯电子启动器。它可使日光灯在低温低压下迅速地启辉，并能延长日光灯的使用寿命。本技术日光灯电子启动器，其外形尺寸与通常的氖泡式启动器相同。其电路由二极管VD2、可控硅VS1串接在两引出端之间，成为本电路灯管预热电路。在本技术的技术解决方案中将电容C2、可控硅VS2串接在两引出端之间，与也串接在两引出端之间的电阻R7、R8，共同构成本电路的灯管启辉电路。电阻R6、二极管VD1与电容C1也串接在两引出端之间，电容C1上的直流电压作为本电路的比较电压。三极管VT1、VT2与相应的电阻，共同构成本电路的电压比较电路。本电路利用灯管在启辉前后，灯管两端电压的变化，而使电容C1上的电压也发生变化。以电容C1上的电压高低作为控制信号，通过电压比较电路来控制灯管预热电路的工作状态。在灯管预热电路导通期间，交流正半周电流流过灯管两端的灯丝和镇流器L对灯管预热。在接着的负半周且较高值时，灯管启辉电路导通，负半周电流经电容C2也流过灯丝和镇流器L。在接近负半周峰值时，电容C2饱和使流过灯丝和镇流器L的电流中断。在此瞬间，镇流器L产生了相当高的自感电动势，与电源电压迭加后作用于灯管两端。灯管经充分预热后，灯管两端的高电压即可点燃灯管。由于该电路采用了灯管启辉电路。这样镇流器L在交流负半周的瞬间电流加大，而且又在接近负半周峰值时，中断镇流器L中的电流，因而镇流器L所产生的自感电动势接近最高值，并且与它串联的电源电压也接近峰值。从而使日光灯更加容易启辉。同时由于该电路采用了电压比较电路。这样在灯管弧光放电的瞬间和灯管启辉以后，灯管预热电路稳定在关断状态。从而提高了本电路工作的可靠性。由于该电路启动迅速、可靠。从而又延长了日光灯的使用寿命。以下结合附图和具体实施方式对本技术作进一步详细的说明。附图是本技术日光灯电子启动器与日光灯联接的电原理图，其中虚线框内是本技术日光灯电子启动器线路图。附图虚线框内所描述的日光灯电子启动器电路包括有两个引出端F、E，分别与灯管两端的灯丝相连。该电路还包括有一个由二极管VD2、可控硅VS1串联，二极管VD2阳极连接在引出端F上，可控硅VS1阴极连接在另一引出端E上，组成的用来对灯管预热的灯管预热电路。本电路有一个由电容C2、可控硅VS2串联，电阻R7、R8也串联，电容C2负极和电阻R7的一端并接在引出端F上，可控硅VS2阳极和电阻R8的一端并接在另一引出端E上，电阻R7和R8和接点与可控硅VS2控制极相连，可控硅VS2阴极与可控硅VS1阳极相连，构成了可在灯管两端产生高电压的灯管启辉电路。本电路还有一个由电阻R6、二极管VD1和电容C1组成的，串接在两引出端之间，用来向电路提供比较电压的降压、整流电路。电阻R6的一端连接在引出端F上，电阻R6的另一端与二极管VD1阳极相连，二极管VD1阴极与电容C1正极相连，电容C1负极连接在另一引出端E上，电容C1上的直流电压作为本电路的比较电压。本电路还有一个用采控制灯管预热电路工作状态的电压比较电路。是由电阻R1、R3串联，电阻R1的一端连接在电容C1正极上，电阻R3的一端连接在电容C1负极上，电阻R1和R3的接点与三极管VT1基极相连，电阻R2跨接在三极管VT1基极与三极管VT2集电极之间，电阻R4跨接在电容C1正极与三极管VT1集电极之间，电阻R5跨接在电容C1正极与三极管VT2集电极之间，三极管VT1集电极与三极管VT2基极相连，三极管VT2集电极与可控硅VS1控制极相连，三极管VT1、VT2发射极并接在另一引出端E上，构成了本电路的电压比较电路。该电路是这样工作的刚接通市电时，灯管两端的电压接近于电网电压。交流电源经电阻R6降压，二极管VD1整流在交流正半周对电容C1充电。由于电容C1上的电压不能变和电阻R2、R3的分压作用，而使电压比较电路起先处于三极管VT1截止，三极管VT2导通状态。此时，可控硅VS1截止。电容C1继续充电，电容C1上的比较电压经电阻R1、R2和R3分压，由三极管VT1基极输入，随着电容C1上的比较电压升高，而使三极管VT1基极电位高于其导通电压，电压比较电路翻转为三极管VT1导通，三极管VT2截止状态。可控硅VS1被触发导通。由于可控硅VS1控制极与阴极间的压降大于三极管VT2的饱和压降，其压降差经电阻R2反馈至三极管VT1基极，使三极管VT1基极电位升高。也就是实现了正反馈，从而使电压比较电路状态的翻转是迅速地进行的。此时，灯管预热电路导通，灯管两端的正向压降低于2V，电容C1充电中断。电容C1上的比较电压开始下降，由于实现了正反馈，电压比较电路稳定在三极管VT1导通，三极管VT2截止状态。其延时时间可通过改变正反馈电阻R2的阻值而改变。在灯管预热电路导通期间，由于可控硅VS1起整流作用，交流正半周电流流过灯管两端的灯丝和镇流器L对灯管预热。同时电容C2贮存的电荷也经可控硅VS1放电。(在对电容C1充电的过程中，可控硅VS2曾经导通，电容C2已充电饱和。)由于电阻R7、R8的分压，使可控硅VS2在接着的负半周且较高值时，被触发导通。负半周电流经电容C2也流过灯丝和镇流器L，这时先起到预热灯管的作用。在接近负半周峰值时，电容C2饱和使流过灯丝和镇流器L的电流中断。这样镇流器L在交流负半周中的瞬间电流加大，而且又在接近峰值电压时，中断电流。因而使镇流器L产生了相当高的(接近最高值)自感电动势与电源电压(接近峰值电压)迭加，在灯管两端形成高电压。在灯管预热电路导通期间，此过程反复进行使灯管充分预热，并在灯管两端产生高电压。随着电容C1上的比较电压继续下降，而使三极管VT1基极电位低于其导通电压，电压比较电路又迅速地翻转为三极管VT1截止，三极管VT2导通状态。可控硅VS1关断。此时，加在灯管两端的高电压即可点燃灯管。在灯管弧光放电的瞬间，由于电容C1上的电压又不能突变，而使电压比较电路稳定在三极管VT2导通状态。日光灯启辉后，灯管两端的电压下降，不足以使电压比较电路的状态翻转，电压比较电路稳定在三极管VT2导通状态，而使可控硅VS1关断，日光灯正常工作。此时，日光灯若未启辉，(这种情况一般在低温低压时产生)电流又对电容C1充电，重复上述过程直至日光灯启辉。在该电路的一个实施例中，可控硅VS1、VS2选用600V1A的单向可控硅，二极管VD1,VD2选用1000V1A的硅整流二极管，三极管VT1、VT2选用NPN小功率硅管如CS9014，电容C1、C2分别为160V1uF、400V0.47uF的电解电容器，电阻R1、R2、R3本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：姚汀，
申请(专利权)人：姚汀，
类型：实用新型
国别省市：