【技术实现步骤摘要】
一种大功率晶圆测试装置
[0001]本技术涉及功率半导体器件
,特别涉及一种大功率晶圆测试装置。
技术介绍
[0002]某些特殊场景应用大功率晶圆在筛选测试过程中,需要用到10kV的电压脉冲进行测试,高温测试环境温度达到300摄氏度以上,低温测试环境温度达到零下70摄氏度以下。
[0003]当环境温度达到300摄氏度以上后,如果晶圆暴露在空气下,晶圆表面上的金属物质铝、铜、钨等在测试过程中就会产生不同程度的氧化,此外加电的载体金属表面也会产生氧化,气体渗透进入晶圆后,和晶圆中的金属靶材以及合金靶材产生化学反应,与此同时在如此高的温度下,热辐射将传导到测试设备其他部件上,对测试设备造成老化,而且测试设备表面温度的升高对操作人员也会产生安全隐患。
[0004]当低温环境达到零下70摄氏度以下,晶圆表面容易产生凝露,导致电极短路,也会有破坏被测晶圆的风险。
[0005]在一个标准大气压下,正常空气环境中,当两个导体间的间距小于等于 5mm,10kV电势差将在两个导体间产生电弧。这样就极大限制了晶圆加电 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种大功率晶圆测试装置,其特征在于,包括测试腔体(1)、测试模块、第一气泵(14)和第二气泵(2);所述测试腔体(1)用于放置晶圆,且分别开设有惰性气体入口(3)和惰性气体出口(4);所述第一气泵(14)的一端用于接入惰性气体,另一端与所述测试腔体(1)的惰性气体入口(3)连接;所述第二气泵(2)的一端与所述测试腔体(1)的惰性气体出口(4)连接;所述测试模块设置于所述测试腔体(1)内,且用于测试放置于所述测试腔体(1)内的所述晶圆。2.根据权利要求1所述的大功率晶圆测试装置,其特征在于,所述惰性气体入口(3)位于所述测试腔体(1)一侧壁的上方;所述惰性气体出口(4)位于所述测试腔体(1)另一相对侧壁的下方,且与所述惰性气体入口(3)呈对角分布。3.根据权利要求1所述的大功率晶圆测试装置,其特征在于,还包括气体检测传感器、气体压力传感器和控制模块;所述气体检测传感器设置于所述测试腔体(1)内,且用于检测所述测试腔体(1)内的氧含量;所述气体压力传感器设置于所述测试腔体(1)内;所述第一气泵(14)、所述第二气泵(2)、所述气体检测传感器和所述气体压力传感器均与所述控制模块通讯连接。4.根据权利要求1所述的大功率晶圆测试装置,其特征在于,所述测试模块包括探...
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