金属配位化合物,发光装置以及显示设备制造方法及图纸

一种包括发光层的有机ＥＬ装置，该发光层包含作为提供长时间高效率发光的发光物质的下列式（Ｉ）表示的金属配位化合物：ＬｍＭＬ’ｎ，其中Ｍ表示Ｉｒ、Ｐｔ、Ｐｈ或Ｐｄ；Ｌ表示二齿配位体；Ｌ’表示不同于Ｌ的二齿配位体；ｍ为１，２或３的整数；ｎ为０，１或２的整数，条件是ｍ和ｎ的和为２或３。部分结构ＭＬｍ由下列式（２）或式（３）表示，部分结构ＭＬ’ｎ由下列式（４）或式（５）表示：其中ＣｙＮ１、ＣｙＮ２、ＣｙＮ３、ＣｙＮ４、ＣｙＣ１、ＣｙＣ２和ＣｙＣ３如说明书所定义。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】,发光装置以及显示设备的制作方法
本专利技术涉及，使用该的有机发光装置以及使用该装置的显示设备。更具体地说，本专利技术涉及一种下文式(1)所示的作为发光效率稳定的发光材料的有机，使用该的有机的发光装置以及包括该发光装置的显示设备。
技术介绍
作为高响应度和高效率的发光装置，有机场致发光(EL)装置已经被广泛地研究。有机EL装置通常具有如附图说明图1A或1B所示的剖面的结构(例如，如“Macromol.Symp.″，125，pp.1-48(1997)所述)。参照附图，EL装置通常具有包括透明的基层15，排列在透明的基层15上的透明的电极14，与透明的电极14相对排列的金属电极11，和排列在透明的电极14和金属电极11之间作为发光功能层的多个有机(化合物)层的结构。参照附图1A，该具体方案中的EL装置具有两个有机层，包括一个发光层12和一个空穴传输层13。透明的电极14可由具有较大的逸出功能确保良好的空穴注入性能进入空穴传输层的ITO(铟锡氧化物)层形成。另一方面，金属电极11可由具有较小逸出功能确保良好的电子注入性能进入有机层的铝层，镁层，其合金层等形成。这种(透明的和金属的)电极14和11可以50-200nm的厚度形成。发光层12可由具有电子传递特征和发光特性的，例如，铝羟基喹啉配合物形成(其典型例子可包括下文所述的Alq3)。空穴传输层13可由具有供电子特征的联苯基二胺衍生物形成(其典型的例子可包括下文所述的α-NPD)。上述EL装置显示整流特性，当作为阴极的金属电极11和作为阳极的透明电极14之间施加电场时，电子从金属电极11注入发光层12，空穴由透明电极14注入。如此注入的空穴和电子在发光层12内部重组产生进入激发态的激子，在激子向基态跃迁的时候导致发光。这时，空穴传输层13作为电子阻挡层增加发光层12和空穴传输层13之间界面的复组效率，因此增强发光效率。参照图1B，除了图1A所示层之外，电子传递层16排列在金属电极11和发光层12之间，借此，通过分离发光，电子传递和空穴转运功能可以确保载波闭锁性能，因此提供有效发光。电子传递层16可以由例如噁二唑衍生物形成。在普通有机EL装置中，在发光中心分子从单线态激发态向基态跃迁期间产生的荧光用于发光。另一方面，不同于以上所述的单线态激子荧光(发光)，人们研究了三线态激子磷光(发光)在有机EL装置的应用，如下所示，例如，“Improved energytransfer in electrophosphorescent device”(D.F.O’Brien等人，Applied Physics Letters，Vol.74，No.3，pp.442-444(1999))和“Very high-efficiency green organic lightemitting devices basedon electrophosphorescence”(M.A.Baldo等人.，Applied PhysicsLetters，Vol.75，No.1，pp.4-6(1999))。这些文献中所示的EL装置通常具有图1C所示的剖面结构。参照图1C，四个有机层包括在透明电极(阳极)14上依次形成的空穴传输层13，发光层12，激子漫射防护层17，和电子传递层16。上述文献中，通过使用包括α-NPD(显示如下)的空穴传输层13，Alq3(显示如下)的电子传递层16，BPC(显示如下)的激子漫射防护层17，作为基质材料的CPB(显示如下)与作为客体磷光材料以大约6wt.％的浓度掺到CBP中的Ir(PPy)3(显示如下)或PtOEP(显示如下)的混合物的发光层12的四个有机层，已经实现了较高的效率。 Alq3三(8-羟基喹啉)铝(铝-羟基喹啉配合物)，α-NPDN4，N4’-二萘-1-基-N4，N4’-联苯-联苯-4，4’-二胺(4，4’-二联苯)，CBP4，4’-N，N’-联咔唑-联苯，BCP2，9-二甲基-4，7-联苯-1，10-菲咯啉，Ir(PPy)3fac三(2-苯基吡啶)铱(铱-苯基吡啶配合物)，和PtOE2，3，7，8，12，13，17，18-八乙基- 21H，23H-卟吩铂(铂-八乙基卟吩配合物)。用于发光层12的磷光(发光)材料已引起特别注意。因为在原理上预期磷光材料能提供较高的发光效率。更具体地说，就磷光材料来说，激子通过包含1∶3比率的单线态激子和三线态激子的载体复合产生。因此，当使用从单线态激发态到基态跃迁导致的荧光时，理论上所得的发光效率为以全部产生的激子为基准的25％(作为上限)。另一方面，当利用从三重激态跃迁导致的磷光时，理论上发光效率至少为荧光的三倍。另外，如果考虑到从单线态激发态(较高的能级)到三重激态的系统内跃迁，理论上上磷光的发光效率可以预计为100％(荧光的四倍)。利用从三重激态跃迁的磷光也公开于，例如，Japanese Laid-OpenPatent Application(JP-A)11-329739，JP-A11-256148和JP-A8-319482。可是，以上利用磷光的有机EL装置存在较低的发光效率和稳定性(发光退化)的问题，特别是在激发状态。发光退化的原因至今没有澄清，但是可能归因于三线态激子的寿命通常比单线态激子长至少三位数，所以分子长期处于高能量状态，导致与环境物质反应，形成激基复合物或激基缔合物，小分子结构的改变，环境物质的结构改变，等等。因此，要求(电场)磷光EL装置用磷光材料向该EL装置提供较高的发光效率和稳定性。专利技术概要本专利技术的一个目的是提供适用于发光装置的有机层材料的，能够在维持装置的稳定性的同时提供长周期的高亮度(或发光度)的高效率的发光状态。本专利技术的另一个目的是提供作为磷光(发光)材料能提供较高的磷光收益和可控制的发射(发光)波长的。本专利技术另外的目的是提供作为多功能的发光材料的，它不但具有控制的发光特性而且具有控制的电学特性，电学特性指用于有机EL装置提供可以发光的电流的发光材料单独的电学特性。本专利技术另外的目的是提供使用的有机发光装置和包括该有机发光装置的显示设备。按照本专利技术，这里提供下式(1)表示的 LmML’n (1)，其中M表示Ir，Pt，Ph或Pd；L表示二齿配位体；L’表示不同于L的二齿配位体；m为1，2或3的整数；以及n为0，1或2的整数，条件是m和n的和为2或3。部分结构MLm由如下式(2)或式(3)表示，部分结构ML’n由如下式(4)或式(5)表示 其中CyN1，CyN2和CyN3独立地表示取代或未被取代的包含与M连接的氮原子的环基；CyN4表示包含8-喹啉或其具有与M连接的氮原子的衍生物的环基；CyC1，CyC2和CyC3独立地表示取代或未被取代的包含与M连接的碳原子的环基，每个CyN1，CyN2，CyN3，CyC1，CyC2和CyC3的各取代基选自卤原子；氰基；硝基；包含三个各自独立地具有1-8个碳原子的直链或支链烷基的三烷基甲硅烷基；可以包括一个或至少两个可以被替换为-O-，-S-，-CO-，-CO-O-，-O-CO-，-CH＝CH-或-C≡C-的非邻位亚甲基和可以包括可以被替换为氟原子的氢原子的具有1-20个碳原子的直链或支链烷基；以及可以具有取代基的芳环基，其取代基选自卤原子本文档来自技高网...

【技术保护点】
下式（１）表示的金属配位化合物： ＬｍＭＬ’ｎ （１）， 其中Ｍ表示Ｉｒ，Ｐｔ，Ｐｈ或Ｐｄ；Ｌ表示二齿配位体；Ｌ’表示不同于Ｌ的二齿配位体；ｍ为１，２或３的整数；ｎ为０，１或２的整数，条件是ｍ和ｎ的和为２或３， 部分结构ＭＬｍ由下式（２）或式（３）表示，部分结构ＭＬ’ｎ由下式（４）或式（５）表示： ＊＊＊ 其中ＣｙＮ１，ＣｙＮ２和ＣｙＮ３独立地表示取代或未被取代的包含与Ｍ连接的氮原子的环状基团；ＣｙＮ４表示包含８－喹啉或其具有与Ｍ连接的氮原子的衍生物的环状基团；ＣｙＣ１、ＣｙＣ２和ＣｙＣ３独立地表示取代或未被取代的包含与Ｍ连接的碳原子的环状基团， 每个ＣｙＮ１、ＣｙＮ２、ＣｙＮ３、ＣｙＣ１、ＣｙＣ２和ＣｙＣ３的取代基选自卤原子；氰基；硝基；包含三个各自独立地具有１－８个碳原子的直链或支链烷基的三烷基甲硅烷基；可以包括一个或至少两个可以被－Ｏ－，－Ｓ－，－ＣＯ－，－ＣＯ－Ｏ－，－Ｏ－ＣＯ－，－ＣＨ＝ＣＨ－或－Ｃ≡Ｃ－取代的非邻位亚甲基和可以包括可以被氟原子取代的氢原子的具有１－２０个碳原子的直链或支链烷基；以及可以具有取代基的芳环基，所述取代基选自卤原子；氰基；硝基；可以包括一个或至少两个可以被－Ｏ－，－Ｓ－，－ＣＯ－，－ＣＯ－Ｏ－，－Ｏ－ＣＯ－，－ＣＨ＝ＣＨ－或－Ｃ≡Ｃ－取代的非邻位亚甲基和可以包括可以被氟原子取代的氢原子的具有１－２０个碳原子的直链或支链烷基， ＣｙＮ１和ＣｙＣ１通过包含由－Ｏ－，－Ｓ－，－ＣＯ－，－Ｃ（Ｒ１）（Ｒ２）－或－ＮＲ－表示的Ｘ的共价基团结合，其中Ｒ１、Ｒ２和Ｒ独立地表示氢原子、卤原子、烷基，卤原子取代的烷基，苯基或萘基， ＣｙＮ２和ＣｙＣ２、以及ＣｙＮ３和ＣｙＣ３独立地通过共价键结合， 条件是当ｎ＝０时，该金属配位化合物由式（２）表示。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：坪山明，水谷英正，冈田伸二郎，泷口隆雄，三浦圣志，野口幸治，森山孝志，井川悟史，镰谷淳，古郡学，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]