光发射器以及其制造方法技术

一种有机ＥＬ器件，用新方法制造，以减少有机ＥＬ器件中不良的发光的出现次数。像素孔径形成在除接触孔上方部分之外的部分上，接触孔连接驱动晶体管的源极和有机光发射器件的像素电极。像素电极不平坦的部分被绝缘层盖住以避免像素电极和相反电极之间短路。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
1.专利技术的领域本专利技术涉及一个光发射器和制造光发射器的方法，特别涉及减少光发射器的不良的发光的出现次数的技术。2.相关技术的描述有机场致发光显示器(以后也称，“有机EL显示器“或”有机EL板“)作为新的平面型显示器正吸引人们的注意。特别是，作为开关元件的具有薄膜晶体管(以后称作“TFTS”)的有源矩阵型有机EL显示器被认为在不远的将来将取代目前流行的液晶显示器，在实际应用中正迅猛发展。和液晶显示器不同，有机EL显示器具有自一发光器件。这就消除了液晶显示器的必不可少的背后照明的必要，使设备小型，轻便。再者，有机EL板可被期望用作光发射器件，例如使用自-发光特性的液晶显示器的背后照明。不过，许多实际使用中需要解决的问题仍然存在着。这种问题之一，是发光差的问题。当由于任何原因出现差的发光的时候，非发光区出现在屏幕上，屏幕清晰度变坏，有时出现显示功能障碍。因此，重要的问题是查明差的发光的原因并有效地防止它，从而具有极少数非一发光区或无非一发光区的有机EL显示器可以高效地制造出来。本专利技术的概述本专利技术是根据上述情况做出的，其目的是提供一种技术，以便减少光发射器中差的发光的出现。本专利技术的最佳实施例涉及制造光发射器的方法。这个方法包括在基片上形成像素电极；在像素电极上形成第一绝缘层；通过取消第一绝缘层的一部分和暴露像素电极而形成一个像素孔径；在像素孔径上形成光发射元件层，其中像素孔经形成在，除去在像素电极上进行处理而改变其形状的那一部分而外的第一绝缘层的一部分上，或形成在像素电极下面的层上。在有源矩阵型有机EL板的情况下，基片10具有这样的结构，其中，包含开关元件例如TFTS的驱动电路形成在一个绝缘基片上，一个平面薄膜等形成在其上。在本说明书中，“基片”这个词可以表示基片本身，或也可以表示包括驱动电路这样，结构的基片。换言之，在本说明书中，包括像素电极的光发射器，光发射元件层，反电极形成在其上的标板总称为基片。像素电极很可能在像素电极下面被改变形状的部分上不整齐地层叠而成。如果光发射元件层形成在这部分上，则担心差的光发射元件层会产生黑斑。再者，如果反电极形成在这部分上，则担心两个电极彼此接触，出现短路。通过取消绝缘层打开除形状改变区而外的像素，内部电极短路可以被防止，差的发光的出现可以被减少。处理方法可以是蚀刻。像素孔径可以形成在除像素电极不平整的部分而外的第一绝缘层的那一部分上。像素孔径可以形成在除像素电极的边缘部分而外的第一绝缘层的那一部分上。通过用第一绝缘层盖住在像素电极上或下蚀刻产生的台阶部分，差的光发射元件层可以得到改进，内部电极短路可以避免。在形成像素电极以前的方法还进一步包括在基片上形成控制光发射器的晶体管；在晶体管上形成一个第二绝缘层；在第二绝缘层上形成一个穿过晶体管电极的接触孔；其中在形成像素电极的时候，像素电极形成在包括第二绝缘层的接触孔的一个区域上。像素孔经形成在除接触孔上方的部分而外的第一绝缘层的那一部分上。在接触孔的那一部分上像素电极的表面是凹形的，从而像素孔经提供在除接触孔而外的那一部分上是极好的。本专利技术的另一最佳实施例涉及光发射器。光发射器包括一个基片；形成在基片上的像素电极；形成在像素电极上的光发射元件层；其中，光发射元件层不与像素电极接触，而形成在经对像素电极进行处理而改变形状的部分上或形成在像素电极下面的层上。改变形状的部分是像素电极不整齐的部分。改变形状的部分可以是像素电极的边缘部分。盖住改变形状的部分的绝缘层可以安排在像素电极和光发射元件层之间。像素电极不整齐的部分用绝缘层盖住，像素电极因此不与光发射元件层和其上的反电极连接，从而差的发光和短路可以避免。应该指出，上述结构组成部分的任意组合或再组合以及上述的方法，设备和系统之间变化的表达形式都包括在本实施例中，都是有效的。再者，本专利技术的概述没有必要描述所有必要的特征，从而本专利技术也可能是这些描述的特征的代替组合。附图的简短描述附图说明图1是一个实施例的光发射器的单像素的电路结构。图2简略表示该实施例的光发射器的截面结构。图3简略表示该实施例的光发射器的顶视图。本专利技术的详细描述现在根据最佳实施例描述本专利技术，这些实施例不是限制本专利技术的范围而是举例说明本专利技术。在实施例中所描述的所有特征及其组合对于本专利技术未必是必需的。图1是一个实施例的光发射器100的单像素的电路结构。该电路包括一个有机光发射元件OLED，两个用于控制有机光发射器元件OLED的晶体管Tr1和Tr2，一个电容器C，一个传送扫描信号的扫描线SL，一个传送亮度数据的数据线DL，一个提供电功率的电源线Vdd。电源线Vdd提供电功率使有机光发射元件OLED发光。数据线DL传送设定的亮度数据到第二晶/体管Tr2(以后也称做“驱动晶体管”)。扫描线SL传送扫描信号以起动第一晶体管Tr1(以后也称“开关晶体管”)，使有机光发射元件OLED发光。开关晶体管Tr1的门极与扫描线SL连接。开关晶体管Tr1的漏极(或源极)与数据线DL连接。开关晶体管Tr1的源极(或漏极)与驱动晶体管Tr2的门极连接。在本实施例中，开关晶体管是双门晶体管，它有两个门极。在另一实施例中，开关晶体管可能是单门晶体管或具有三个或多个门极的多一门晶体管。开关晶体管Tr1可能是一个n沟道晶体管或一个P沟道晶体管。驱动晶体管Tr2的源极(或漏极)与有机光发射元件OLED的阳极连接。驱动晶体管Tr2的漏极(或源极)与电源线Vdd连接。类似于开关晶体管Tr1，驱动晶体管Tr2可以是单一门晶体管或多一门晶体管，可能是n沟道晶体管或P沟道晶体管。有机光发射元件OLED的阳极与驱动晶体管Tr2的源极(或漏极)连接。有机光发射元件OLED的阴极与地电位连接。电容器C的一端与开关晶体管Tr1的漏极(或源极)，和驱动晶体管Tr2的门极连接。电容器C的另一端经导线(图中未示出)与地电位连接，或与电源线Vdd连接。下面解释上述结构的电路的工作。当扫描线SL的扫描信号是高电平，把亮度数据写入有机光发射元件OLED的时候，开关晶体管Tr1接通，输入到数据线DL的亮度数据被设定在驱动晶体管Tr2和电容器C中。因此，对应于亮度数据的电流在驱动晶体管Tr2的源极和漏极之间流动，这个电流在有机光发射元件OLED中流动，使有机光发射元件OLED发光。当扫描线SL的扫描信号变成低电平的时候，开关晶体管Tr1关断，但是驱动晶体管Tr2的门电压被保持，从而有机光发射元件OLED按照设定的亮度数据继续发光。在下一个发光时刻，扫描线SL的扫描信号又变成高电平，开关晶体管Tr1接通，输入数据线DL的新的亮度数据被设定在驱动晶体管Tr2和电容器C中。由此，有机光发射元件OLED根据新的亮度数据发光。图2简略地表示该实施例的光发射器100的截面结构。图2是驱动晶体管Tr2和有机光发射元件DLED在图1的单像素的电路中形成的那一部分的截面结构。光发射器100包括一个TFT基片50，它包括绝缘层12，活性层14，门绝缘层16，门极18，层间绝缘层20，漏极22，源极24，作为第二绝缘层的例，形成在绝缘基片10上的平面层26，一个有机光发射器60，它包括一个像素电极28，一个光发射元件层30，一个反电极32，一个安排在TFT基片50和有机光发射器60之间的第一绝缘层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造光发射器的方法，包括： 在基片上形成一个像素电极； 在像素电极上形成一个第一绝缘层； 通过消除第一绝缘层的一部分和暴露像素电极而形成像素孔径； 在像素孔径上形成一个光发射元件层， 其中像素孔径形成在除在像素电极上进行处理被改变形状的部分而外的第一绝缘层的那一部分上或形成在像素电极下面的一层上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：野口幸宏，土屋博，佐野景一，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]