基于双给体修饰的膦配位多核铜配合物电致发光材料、其合成方法及应用技术

本发明专利技术提供了基于双给体修饰的膦配位多核铜配合物的电致发光材料，具有双电子给体修饰的二苯并呋喃配体，通过磷与多核铜进行配位，提高材料的电子传输性能，具有良好的光致发光性，由作为发光层客体材料制备得到电致发光器件的外量子效率、电流效率和功率效率得到进一步提升，实现超低压驱动，高效旋涂制备发光层，利于材料的推广及应用。利于材料的推广及应用。

【技术实现步骤摘要】
基于双给体修饰的膦配位多核铜配合物电致发光材料、其合成方法及应用


[0001]本专利技术属于电致发光材料
，具体涉及一种给体修饰的膦配位的多核铜配合物发光材料、其合成方法及应用。

技术介绍

[0002]有机电致发光器件(OLED)是由一种固态的有机发光半导体材料制成的。当在显示材料的两端加上电压，器件中有电流通过时，器件就会产生光线。与普通的发光二极管相比， OLED更适用于微显示器、智能高清的电视机和平面照明等。与液晶显示器相比，OLED显示器件可以实现自发光，而液晶显示器需要依靠背光透射显示出来。自发光优点可以使OLED 实现更高的亮度和更广的视角度，此外，OLED显示器件在反应速度方面具有巨大优势。批量制造时，OLED显示器件采用有机材料，在成本上有望比现有的液晶显示器件成本更低。有机材料柔软，OLED显示器的弯曲性、可塑性优异，OLED显示器可以制造出可自由弯曲的显示器件或者是照明面板。由于 OLED显示器不用背光，工艺上的结构更加紧密，制作出来的显示器质量轻、厚度薄、抗震性能也更好。
[0003]OLED器件的发光机理：当器件外部加上电压后，在电场的作用下空穴和电子在发光层相遇，复合形成激子，单线态(theFirst Singlet Excited Energy Level,S1)激子大约占25％，三线态 (the First Triplet Energy Level,T1)激子大约占75％。第一代发光技术为荧光，通过S1激子发光，由于荧光化合物会受到跃迁禁阻的影响，使其仅能单重态发光，其理论的最大内量子效率 (Internal Quantum Efficiency,IQE)仅为25％。第二代发光技术为磷光，磷光材料能利用S1激子和T1激子两种激子发光分别是，S1激子通过系间窜越转换为T1激子进而利用其发光，其可达到100％的理论最大内量子效率，但所涉及的磷光染料使用的为Ir(III)、Pt(II)、Ru(II)过渡金属配合物，它们价格昂贵，资源稀少，对环境的污染也很大。近期，被称作第三代发光技术TADF 得到了很好的发展。当S1和T1之间具有很小的能级差时，T1激子可通过反向系间窜越转换为S1激子，利用其发光，这样也可以实现100％的最大内量子效率。
[0004]因此，需要进一步开发有机电致发光材料，获得优越的电致发光的综合性能，降低材料成，实现绿色合成及应用。

技术实现思路

[0005]为了解决上述问题，本专利技术提供了一种基于双给体修饰的膦配位多核铜配合物的电致发光材料，具有二苯并呋喃基团的配体，并进行双电子给体修饰，通过磷与多核铜进行配位，提高材料的电子传输性能，具有良好的光致发光性能，由作为发光层客体材料制备得到电致发光器件的外量子效率、电流效率和功率效率得到进一步提升，超低压驱动，高效旋涂制备发光层，从而完成本专利技术。
[0006]本专利技术第一方面的目的在于提供一种基于双给体修饰的膦配位多核铜配合物的
电致发光材料，其为具有以双给体基团修饰的二苯并呋喃膦配体，以磷与多核铜进行配位的配合物。
[0007]优选地，所述化合物具有以下结构式：
[0008]其中，L为L通过P 原子分别与铜进行配位，Ph为苯基；X选自氯、溴或碘，优选为碘；
[0009]R1、R2各种独立的选自取代或未取代的吖啶基、取代或未取代的吩噻嗪基中的一种，其中，取代基选自烷基或苯基，优选选自含碳数量为C1‑
C3的烷基或苯基，更优选为甲基或苯基；优选地，R1、R2各种独立的选自为9,9
‑
二甲基吖啶基、9,9
‑
二苯基吖啶基或吩噻嗪基。
[0010]本专利技术第二方面的目的在于提供一种基于双给体修饰的膦配位多核铜配合物电致发光材料的制备方法，所述方法中，利用配体化合物与卤代亚铜在溶剂中进行配位反应，得到所述电致发光材料。
[0011]所述方法具体包括以下步骤：
[0012]步骤1、将2,8
‑
二卤代二苯并呋喃和氮杂环类化合物加入到溶剂中，加热反应，得到2,8
‑
二杂环基
‑
二苯并呋喃化合物，即中间化合物；
[0013]步骤2、将二苯基卤化磷加入到2,8
‑
二杂环基
‑
二苯并呋喃化合物溶液中，偶联反应，得到配体化合物；
[0014]步骤3、将卤代亚铜和配体化合物加入到溶剂中，搅拌反应，得到所述基于双给体修饰的膦配位多核铜配合物电致发光材。
[0015]本专利技术第三方面的目的在于提供一种利用所述基于双给体修饰的膦配位多核铜配合物电致发光材料制得的电致发光器件。
[0016]本专利技术第四方面的目的在于提供一种所述电致发光器件的制备方法，采用旋涂方法制备空穴传输层和发光层。
[0017]本专利技术提供的基于双给体修饰的膦配位多核铜配合物电致发光材料具有以下有益效果：
[0018](1)本专利技术提供的基于双给体修饰的膦配位多核铜配合物电致发光材料，其配体为双给体基团修饰的二苯并呋喃膦配体，配体中含有两个给电子基团，通过该配体与多核铜进行配位，得到的铜配合物具有良好的电子传输性能，电致发光器件外量子效率得到明显提高，从而获得了良好的电致发光性能。
[0019](2)通过分子设计，配体中键接不同的电子给体，可以可控调整材料的电致发光颜色，丰富材料的发光多样性及应用范围。
[0020](3)本专利技术中的分子设计合理，合成路线能够得到可控实施，基于双给体修饰的膦配位多核铜配合物电致发光材料的制备方法简单易行，合成过程中，具有良好的分子选择性，实现可控合成。
[0021](4)由本专利技术提供的基于双给体修饰的膦配位多核铜配合物电致发光材料为发光层材料，制备得到的电致发光器件外量子效率明显提高，启亮电压低，能够实现超低压驱动和高效的旋涂，有利于电致发光器件的生产及推广应用。
附图说明
[0022]图1示出本专利技术实施例1中由配合物Ⅰ制得的电致发光器件的电压
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亮度关系曲线、电压
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电流密度关系曲线和电致发光光谱图；
[0023]图2示出本专利技术实施例1中由配合物Ⅰ制得的电致发光器件的亮度
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电流效率关系曲线、亮度
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功率效率关系曲线和亮度
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外量子效率关系曲线；
[0024]图3示出本专利技术实施例2中由配合物II制得的电致发光器件的电压
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亮度关系曲线、电压
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电流密度关系曲线和电致发光光谱图；
[0025]图4示出本专利技术实施例2中由配合物II制得的电致发光器件的亮度
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电流效率关系曲线、亮度
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功率效率关系曲线和亮度
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外量子效率关系曲线；
[0026]图5示出本专利技术实施例3中由配合物Ⅲ制得的电致发光器件的电压
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亮度关系曲线、电压
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电流密度关系曲线和电本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于双给体修饰的膦配位多核铜配合物的电致发光材料，其为具有以双给体基团修饰的二苯并呋喃膦配体，以磷与多核铜进行配位的配合物。2.根据权利要求1所述的材料，其特征在于，所述配合物具有以下结构式：其中，L为L通过P原子分别与铜进行配位，Ph为苯基；X选自氯、溴或碘；R1、R2各种独立的选自取代或未取代的吖啶基、取代或未取代的吩噻嗪基中的一种，其中，取代基选自烷基或苯基，优选选自含碳数量为C1‑
C3的烷基或苯基。3.根据权利要求2所述的材料，其特征在于，X为碘；R1、R2各种独立的选自：4.根据权利要求1至3之一所述的材料，其特征在于，所述电致发光材料选自配合物Ⅰ～Ⅲ：其中，
L1为L2为L3为L1、L2和L3均通过两个P原子与铜分别进行配位，Ph为苯基。5.一种基于双给体修饰的膦配位多核铜配合物电致发光材料的制备方法，其特征在于，所述方法中，利用配体化合物与卤代亚铜在溶剂中进行配位反应，得到所述电致发光材料。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法具体包括以下步骤：步骤1、将2,8
‑
二卤代二苯并呋喃和氮杂环类化合物加入到溶剂中，加热反应，得到2,8
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二杂环基
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二苯并呋喃化合物，即中间化合物；步骤2、将二苯基卤化膦加入到2,8
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二杂环基
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二苯并呋喃化合物溶液中，偶联反应，得到配体化合物；步骤3、将卤代亚铜和配体化合物加入到溶剂中，搅拌反应，得到所述基于双给体修饰的膦配位多核铜配合物电致发光材料。7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，步骤1中，所述2,8
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【专利技术属性】
技术研发人员：许辉，张楠，张静，呼唤，曲磊，霍然，孟禹杉，
申请(专利权)人：黑龙江大学，
类型：发明
国别省市：