【技术实现步骤摘要】
一种用于单晶热场对中的炉底固毡
[0001]本技术涉及一种固毡,具体涉及一种用于单晶热场对中的炉底固毡。
技术介绍
[0002]近年来,单晶硅片产量明显稳步增长,增长的原因是一方面来自国际上对低档和廉价硅材料需求的增加;另一方面是近年来装备制造发展迅速,各类信息家电和通信产品需求旺盛,因此半导体器件和硅材料的市场需求量都很大,单晶硅棒是生产单晶硅片的原材料,随着单晶硅片需求量的快速增加,单晶硅棒的市场需求也呈快速增长的趋势。
[0003]在单晶硅棒制造过程中单晶炉是其主要设备,单晶硅棒直径在生长过程中可受到温度,提拉速度与转速,坩埚跟踪速度与转速,保护气体的流速等因素的影响,其中温度主要决定能否成晶,而速度将直接影响到晶体的内在质量,而这种影响却只能在单晶硅棒拉出后通过检测才能获知,温度分布合适的热场,不仅单晶硅棒生长顺利,而且品质较高。
[0004]目前单晶炉热场在对中安装时不好定位,容易装偏,有些在安装单晶炉热场中的下保温筒时,根据单晶炉中的护底压板去对中定位,但是由于护底压板有一定的活动空间,故经常会导 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于单晶热场对中的炉底固毡,设置于单晶炉的炉底上,其特征在于:主要包括固毡本体(1),所述固毡本体(1)上表面设有固定凹槽(2),所述固毡本体(1)上还设有穿透固毡本体(1)的排气孔(3)、电极通孔(4)及托杆通孔(5),所述固毡本体(1)的四周均有定位块(6),其中:所述固毡本体(1)为圆盘形结构,所述固毡本体(1)位于单晶炉中护底压板的下端;所述固定凹槽(2)在固毡本体(1)上围成一个圆形结构;所述托杆通孔(5)设置于所述固毡本体(1)的中心,所述排气孔(3)对称设置于所述托杆通孔(5)的两侧,所述电极通孔(4)均布与所述托杆通孔(5)的四周,所述排气孔(3)、电极通孔(4)及托杆通孔(5...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴婷,王军磊,王艺澄,
申请(专利权)人:包头美科硅能源有限公司,
类型:新型
国别省市:
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