【技术实现步骤摘要】
半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器
[0001]本申请涉及半导体
,尤其涉及一种半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器。
技术介绍
[0002]电子存储器包括易失性存储器和非易失性存储器,易失性存储器在断电的情况下会丢失存储数据,而非易失性存储器能够在断电的情况下存储数据。磁性随机存取存储器(Magneto
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resistive Random Access Memory,MRAM)是非易失性存储器,与目前的非易失性存储器(例如闪速随机存取存储器)相比,MRAM存储速度更快且具有更好的耐用性;与目前的易失性存储器(例动态随机存取存储器和静态随机存取存储器)相比,MRAM具有更低的功耗。
[0003]MRAM通过磁性隧道结(Magnetic Tunnel Junctions,MTJ)来存储数据。然而与其它类型的存储器相比,MARM的存储单元要大得多,存储密度低,限制了MRAM在更广阔的市场应用。
技术实现思路
[0004]本申请提供了一种半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器,能够提高半导体存储器的存储密度。
[0005]第一方面,本申请实施例提供了一种半导体结构的制备方法,该方法包括:
[0006]提供衬底;
[0007]于所述衬底上依次形成磁性隧道结(MTJ)结构和第一掩膜结构;
[0008]对所述第一掩膜结构进行图案化处理形成沿第一方向延伸的第一图案;
[0009]将所述第一图案转移至所述MTJ结构; ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法,其特征在于,所述方法包括:提供衬底;于所述衬底上依次形成磁性隧道结(MTJ)结构和第一掩膜结构;对所述第一掩膜结构进行图案化处理形成沿第一方向延伸的第一图案;将所述第一图案转移至所述MTJ结构;于所述MTJ结构上方形成第二掩模结构;对所述第二掩模结构进行图案化处理形成沿第二方向延伸的第二图案;所述第一方向与所述第二方向相交,且所述第一方向与所述第二方向不垂直;利用所述第二图案对所述MTJ结构进行图案化处理,形成蜂窝状MTJ阵列,其中,所述第一图案与所述第二图案组成蜂窝状图案。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述MTJ结构包括MTJ层和MTJ掩膜层;其中,所述MTJ层形成于所述衬底上,所述MTJ掩膜层形成于所述MTJ层上。3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述对所述第一掩膜结构进行图案化处理形成沿第一方向延伸的第一图案,包括:沿所述第一方向对所述第一掩膜结构进行刻蚀处理形成图案化的第一掩膜结构;于所述MTJ掩膜层上方形成包覆所述第一掩膜结构的第一介质层,且所述第一介质层表面具有与所述第一掩膜结构间隔排列的第一沟槽;去除位于所述第一掩膜结构顶部所在平面上方的第一介质层以及去除位于所述第一沟槽下方的第一介质层;去除所述第一掩膜结构,形成所述沿第一方向延伸的第一图案。4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述将所述第一图案转移至所述MTJ结构,包括:以所述第一介质层为掩膜,将所述第一图案转移至所述MTJ掩膜层。5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述于所述MTJ结构上方形成第二掩模结构之前,所述方法还包括:于所述MTJ层上方形成覆盖所述MTJ掩膜层和所述第一介质层的第一牺牲层。6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述第二掩模结构包括第一光刻胶层和第二介质层;所述对所述第二掩模结构进行图案化处理形成沿第二方向延伸的第二图案,包括:于所述第一牺牲层和所述第一介质层上方形成第一光刻胶层;沿所述第二方向对所述第一光刻胶层进行刻蚀处理,形成图案化的第一光刻胶层;于所述第一牺牲层上方形成包覆所述第一光刻胶层的所述第二介质层,且所述第二介质层表面具有与所述第一光刻胶层间隔排列的第二沟槽;去除位于所述第一光刻胶层顶部所在平面上方的所述第二介质层和位于所述第二沟槽下方的所述第二介质层;去除所述第一光刻胶层,形成沿所述第二方向延伸的所述第二图案。7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,所述利用所述第二图案对所述MTJ结构进行图案化处理,形成蜂窝状MTJ阵列,包括:以所述第二介质层为掩膜,图案化所述第一介质层、第一牺牲层和MTJ掩模层,去除所
述第一牺牲层和第二介质层,保留的所述第一介质层和MTJ掩模层形成所述蜂窝状图案;去除所述第一介质层,以所述MTJ掩膜层为掩膜,将所述蜂窝状图案转移至所述MTJ层,并去除竖直方向上的部分所述MTJ掩膜层,得到所述蜂窝状MTJ阵列。8.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,在将所述第二图案转移至所述MTJ结构,形成蜂窝状MTJ阵列之前的所述MTJ掩膜层和所述MTJ层的高度比为1.5:1~3:1之间;在将所述第二图案转移至所述MTJ结构,形成蜂窝状MTJ阵列之后的所述MTJ掩膜层和所述MTJ层的...
【专利技术属性】
技术研发人员:王晓光,李辉辉,曾定桂,邓杰芳,曹堪宇,
申请(专利权)人:北京超弦存储器研究院,
类型:发明
国别省市:
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