【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用于热处理衬底、尤其是半导体晶片的方法和装置。计算机芯片以及其它电子器件在半导体圆片、所谓的晶片上进行加工，它们在加工过程期间经受热工艺。这些热工艺在一定的氛围下、在真空或一定负压或正压里面要求一定晶片温度变化。为了对晶片进行热处理，快速加热设备、也称为RTP设备(RapidThermal Processing Anlage)越来越引起人们关注。通过这种设备能够在给定的工艺条件下实现晶片的快速以及一定的热处理。RTP设备允许将要被处理的晶片、根据晶片材料在几秒内加热到高达1700℃及更高。对于300mm直径的硅晶片通过现有设备可以按照给定的温度-时间曲线以直到300℃/s的加热速率实现可控或可调节并由此可监控晶片加热。在开环运行中加热速率可以更高直到500℃/s，或者对于晶片具有更小的直径。RPT设备尤其用于加工介电层(如通过在硅晶片上氧化加工出来的SiO2层、氮化硅层、氮氧化硅层)、置于退火工艺(用于激活半导体晶片中的异质原子)、用于介电层退火工艺、用于形成欧姆接触工艺、硅化工艺(例如Ti-、Co-、Ni-硅化物)、BPSG-再回流工艺或...
【技术保护点】
一种用于对衬底、尤其是半导体晶片进行热处理的装置，具有至少一个第一辐射源和至少一个第二辐射源用于加热衬底，至少一个位于第一辐射源与衬底之间的透明遮热板，该遮热板减小至少第一辐射源辐射的给定波长范围，至少一个设置在第二辐射源一侧的、对准衬底的辐射检测器，它测量至少部分地在给定波长范围内部的辐射，一个用于调制至少由第二辐射源发出的辐射的装置，和一个用于确定从第二辐射源发出的辐射的装置。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：M豪夫，C施特里贝尔，
申请(专利权)人：马特森热力产品有限责任公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]
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