一种MXene与NiO2复合材料忆阻器的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种MXene与NiO2复合材料忆阻器的制备方法，属于半导体器件制备技术领域，包括以下步骤：首先通过混合法制备MXene

【技术实现步骤摘要】
一种MXene与NiO2复合材料忆阻器的制备方法


[0001]本专利技术属于半导体器件制备
，具体涉及一种MXene与NiO2复合材料忆阻器的制备方法。

技术介绍

[0002]在传统的电子计算机中，冯
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诺伊曼架构造成了所谓计算模块和存储单元分离的瓶颈，这种瓶颈使得中央处理单元从存储单元读取数据，然后以命令的形式执行数据，延迟时间长，功耗高。之前的研究发现模仿人类大脑的计算机结构，即神经形态计算机，是解决这一瓶颈的唯一办法。由于计算模块和存储单元的融合，人脑中的神经元网络可以有效地处理复杂的任务。因此，为了模仿和再现人类大脑的结构，学术和工业研究人员正在积极探索神经形态计算机，这需要使用人工类生物突触设备进行信息处理和存储。另一方面，在“摩尔定律”的指导下，以互补金属氧化物半导体(CMOS)器件为代表的微电子器件呈现出数量和集成度快速增长的趋势，器件尺寸也进一步下降。然而，随着科学技术的持续发展，传统的硅基浮栅结构存储器正在面临物理上的诸多限制，同时芯片能耗也在快速地增长，并且减小器件尺寸需要更昂贵的价格成本和时间成本，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MXene与NiO2复合材料忆阻器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、将MXene样品加入去离子水中，在水浴中超声直到均匀悬浮，在剧烈搅拌下，将Ni(NO3)2·
6H2O水溶液缓慢引入MXene悬浮液中，然后滴加NaOH水溶液，一段时间后，离心洗涤至中性；利用超声技术将沥青样沉积物收集并重新分散到去离子水中，获得墨状MXene
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NiO2水悬浮液，并将其储存在冰箱中；S2、利用等离子氧设备对目标衬底进行表面清洁处理，配置APTES粘结剂，在已沉积有底电极的目标衬底上表面首先旋涂一层APTES粘结剂；S3、将S1中的MXene
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NiO2水悬浮液旋转涂覆在目标衬底上，旋涂1～5层；将旋涂后的MXene
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NiO2薄膜在高真空炉中退火；S4、沉积金属顶电极。2.根据权利要求1所述的一种MXene与NiO2复合材料忆阻器的制备方法，其特征在于：步骤S1中，水浴中超声时间为0.5～5h，Ni(NO3)2·
6H2O的体积为1～10mL、浓度为1～10mg/mL，MXene悬浮液的体积为10～100mL，NaOH水溶液的体积为1～10mL、浓度为2～20mg/mL。3.根据权利要求1所述的一种MXene与NiO2复合材料忆阻器的制备方法，其特征在于：步骤S2中，等离子氧设备的功率为30～100W、氧气流量为20～80sccm，目标衬底进行表面清洁处理...

【专利技术属性】
技术研发人员：宁静，黄晶晶，冯欣，王东，张进成，马佩军，郝跃，
申请(专利权)人：西安电子科技大学广州研究院，
类型：发明
国别省市：