高亮度Micro-LED阵列芯片、制备方法及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及芯片制备领域，公开了一种高亮度Micro

【技术实现步骤摘要】
高亮度Micro
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LED阵列芯片、制备方法及显示装置


[0001]本专利技术涉及芯片制备领域，提供了一种高亮度Micro
‑
LED阵列芯片、制备方法及显示装置。

技术介绍

[0002]目前的Micro
‑
LED阵列芯片或AR显示芯片普遍采用激光剥离蓝宝石的技术实现模组化的GaN材料，再通过半导体图形化刻蚀工艺手段来实现像素大小的隔离与分割，以实现微显示产品的像素微缩化。
[0003]然而由于Micro
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LED阵列芯片的尺寸较小，目前主流技术路线并未对像素点部分进行提升亮度的结构优化。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供了一种高亮度Micro
‑
LED阵列芯片、制备方法及显示装置，用以解决了在
技术介绍
中所提到的“目前主流技术路线并未对像素点部分进行提生亮度”的问题。
[0005]根据本专利技术的第一方面，提供了一种高亮度Micro
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LED阵列芯片，包括：
[0006]转移基板，以及在所述转本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高亮度Micro
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LED阵列芯片，其特征在于，包括：转移基板，以及在所述转移基板上由下往上依次堆叠的透镜层、第一导电层、第二导电层、第一绝缘层、第三导电层以及外延层；以及COMS基板；其中，所述第一导电层、第二导电层、第一绝缘层与第三导电层上具有第一通孔，且所述第一通孔贯穿所述第三导电层、第一绝缘层、第二导电层与第一导电层，且所述第一通孔内填充第一导电层材料；所述外延层包括：若干LED像素单元、第一N电极以及第一P电极；其中，每个LED像素单元均包括自所述转移基板由下往上依次堆叠的P型外延层、发光层和N型外延层；其中，相邻两个LED像素单元之间具有第二通孔，所述第二通孔贯穿所述P型外延层、发光层和N型外延层，且所述第二通孔内填充绝缘反射材料；所述第一N电极位于所述P型外延层一侧的LED像素单元上；所述第一P电极位于所述外延层边缘；所述CMOS基板上包括：第二N电极以及第二P电极；所述第二N电极与所述第一N电极对应相连，所述第二P电极与所述第一P电极对应相连。2.根据权利要求1所述的高亮度Micro
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LED阵列芯片，其特征在于，所述第一导电层和所述第三导电层为透明导电层，且所述第三导电层为透明导电薄膜；所述第二导电层为金属导电层。3.根据权利要求2所述的高亮度Micro
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LED阵列芯片，其特征在于，所述第一导电层和所述第三导电层的厚度的范围为：100纳米
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500纳米。4.根据权利要求3所述的高亮度Micro
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LED阵列芯片，其特征在于，所述透明导电层的材料为：金属膜系材料或氧化物膜系材料或高分子膜系材料。5.根据权利要求3所述的高亮度Micro
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LED阵列芯片，其特征在于，所述金属导电层的材料为：金属元素材料或合金材料或复合金属材料。6.根据权利要求1所述的高亮度Micro
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LED阵列芯片，其特征在于，所述透镜层包括：若干透镜结构。7.根据权利要求6所述的高亮度Micro
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LED阵列芯片，其特征在于，所述透镜结构为凸透镜。8.根据权利要求1所述的高亮度Micro
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LED阵列芯片，其特征在于，所述第一通孔的形状为圆柱形。9.根据权利要求1所述的高亮度Micro
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LED阵列芯片，其特征在于，所述LED像素单元的形状包括：第一形状与第二形状；所述第一形状为圆台状，并且靠近所述第三导电层的一面为上底面，远离所述第三导电层的一面为下底面，所述上底面的面积大于所述下底面的面积；所述圆台的母线与所述第三导电层形成的夹角大于45度并且小于85度；所述第二形状为半球状，且所述半球的平面与所述上地面相连；其中，所述发光层与所...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝茂盛，陈朋，袁根如，张楠，魏帅帅，马后永，马艳红，徐志伟，
申请(专利权)人：上海芯元基半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：