发光装置制造方法及图纸

本公开提供一种发光装置，上述发光装置包括发光元件。上述发光装置亦包括波长转换元件，其设置于发光元件上，波长转换元件在第一波长具有第一折射率。上述发光装置更包括遮光元件，其围绕波长转换元件。遮光元件在第一波长具有第二折射率。其中，第二折射率大于第一折射率。折射率。折射率。

【技术实现步骤摘要】
发光装置
[0001]本申请是2019年7月1日申请的，申请号为“201910585041.4”，专利技术名称为“发光装置”的中国专利技术专利申请的分案申请


[0002]本公开是有关于发光装置，且特别是有关于具有发光二极管的发光装置。

技术介绍

[0003]随着数字科技的发展，发光装置已被广泛地应用在日常生活的各个层面中，例如其已广泛应用于电视、笔记本、电脑、行动电话、智慧型手机等现代化信息设备，且此发光装置不断朝着轻、薄、短小及时尚化方向发展。而此发光装置包括发光二极管发光装置。
[0004]发光二极管中的电子和电洞的再结合可借由p
‑
n接面的电流产生电磁辐射(例如光)。例如，在由例如GaAs或GaN的直接带隙材料形成的正向偏压p
‑
n接面中，注入空泛区的电子和电洞的结合引发电磁辐射。上述电磁辐射可以位于可见光区或非可见光区。不同带隙的材料可用于形成不同颜色的发光二极管。
[0005]在现今微发光二极管发光装置产业皆朝大量生产的趋势迈进的情况下，任何微发光二极管发光装置的生产成本的减少皆可带来巨大的经济效益。然而，目前的发光装置并非各方面皆令人满意。
[0006]因此，需要可以进一步提高产量的发光二极管和由发光二极管制造的发光装置。

技术实现思路

[0007]本公开提供一种发光装置，包括一基底、一发光元件、一波长转换元件、一遮光元件、以及一滤光层。基底具有一表面。发光元件，设置于表面上。波长转换元件设置于发光元件上。遮光元件围绕波长转换元件。遮光元件包括一光阻元件、以及一覆盖层。光阻元件包括遮光材料。覆盖层覆盖光阻元件的表面。滤光层，设置于波长转换元件上。滤光层于表面的法线方向上重叠光阻元件。
附图说明
[0008]为让本专利技术的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本专利技术的具体实施方式作详细说明，其中：
[0009]图1A
‑
1G为根据本公开的一些实施例，形成发光装置的制程的各阶段的剖面示意图；
[0010]图2A
‑
2D为根据本公开的一些实施例，形成包含光转换元件和遮光元件的结构的制程的各阶段的剖面示意图；
[0011]图3A
‑
3D为根据本公开的一些实施例，形成包含光转换元件和遮光元件的结构的制程的各阶段的剖面示意图；
[0012]图4为根据本公开的一些实施例的发光装置的剖面示意图；
[0013]图5为根据本公开的一些实施例的包含光转换元件和遮光元件的结构的剖面示意图；
[0014]图6A、6B为根据本公开的一些实施例，形成发光装置的制程的各阶段的剖面示意图；
[0015]图7为根据本公开的一些实施例的包含光转换元件和遮光元件的结构的剖面示意图；
[0016]图8为根据本公开的一些实施例的发光装置的剖面示意图；
[0017]图9为根据本公开的一些实施例的发光装置的剖面示意图；
[0018]图10为根据本公开的一些实施例的发光装置的剖面示意图；
[0019]图11为根据本公开的一些实施例的发光装置的剖面示意图；
[0020]图12为根据本公开的一些实施例的发光装置的剖面示意图。
[0021]图1A
‑
12中附图标记说明如下：
[0022]100A～100G 发光装置
[0023]102 成长基底
[0024]104 发光元件
[0025]104T 侧面
[0026]106 导电垫
[0027]108 承载基底
[0028]110 粘着层
[0029]112 支撑结构
[0030]114 转移头
[0031]116 切割道
[0032]118 基底
[0033]120 电路层
[0034]122 遮光元件
[0035]122S 侧面
[0036]122T 上表面
[0037]124、126、128 色转换元件
[0038]130 滤光层
[0039]130S 上表面
[0040]132 保护层
[0041]134 覆盖层
[0042]136 承载基底
[0043]138 遮光层
[0044]139 光阻元件
[0045]140 覆盖层
[0046]142 平坦层
[0047]144 有源元件
[0048]146 导线
[0049]148 栅极绝缘层
[0050]150 源极电极
[0051]152 漏极电极
[0052]154 栅极电极
[0053]156 导电膜
[0054]158 导电粒子
[0055]160 粘着层
[0056]162 有源元件
[0057]164 导线
[0058]166 散射粒子
[0059]168 微结构
[0060]170、170
’ꢀ
半透层
[0061]200A～200D 结构
具体实施方式
[0062]以下针对本公开一些实施例的元件基板、发光装置及发光装置的制造方法作详细说明。应了解的是，以下的叙述提供许多不同的实施例或例子，用以实施本公开一些实施例的不同样态。以下所述特定的元件及排列方式仅为简单清楚描述本公开一些实施例。当然，这些仅用以举例而非本公开的限定。此外，在不同实施例中可能使用重复的标号或标示。这些重复仅为了简单清楚地叙述本公开一些实施例，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间具有任何关联性。再者，当述及一第一材料层位于一第二材料层上或之上时，包括第一材料层与第二材料层直接接触的情形。或者，亦可能间隔有一或更多其它材料层的情形，在此情形中，第一材料层与第二材料层之间可能不直接接触。
[0063]此外，实施例中可能使用相对性的用语，例如「较低」或「底部」及「较高」或「顶部」，以描述附图的一个元件对于另一元件的相对关系。能理解的是，如果将附图的装置翻转使其上下颠倒，则所叙述在「较低」侧的元件将会成为在「较高」侧的元件。
[0064]在此，「约」、「大约」、「大抵」的用语通常表示在一给定值或范围的20％之内，较佳是10％之内，且更佳是5％之内，或3％之内，或2％之内，或1％之内，或0。5％之内。在此给定的数量为大约的数量，亦即在没有特定说明「约」、「大约」、「大抵」的情况下，仍可隐含「约」、「大约」、「大抵」的含义。
[0065]能理解的是，虽然在此可使用用语「第一」、「第二」、「第三」等来叙述各种元件、组成成分、区域、层、及/或部分，这些元件、组成成分、区域、层、及/或部分不应被这些用语限定，且这些用语仅是用来区别不同的元件、组成成分、区域、层、及/或部分。因此，以下讨论的一第一元件、组成成分、区域、层、及/或部分可在不偏离本公开一些实施例的启示的情况下被称为一第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光装置，包括：一基底，具有一表面；一发光元件，设置于该表面上；一波长转换元件，设置于该发光元件上；一遮光元件，围绕该波长转换元件，其中该遮光元件包括：一光阻元件，包括遮光材料；以及一覆盖层，覆盖该光阻元件的表面；以及一滤光层，设置于该波长转换元件上，其中该滤光层于该表面的法线方向上重叠该光阻元件。2.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该覆盖层包括硅。3.如权利要求1所述的发光装置，其特征在于，该覆盖层覆盖该光阻元件的上表面与侧面。4.如权利要求3所述的发光装置，更...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈嘉源，蔡宗翰，李冠锋，乐瑞仁，
申请(专利权)人：群创光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：