平面显示器面板构造与制造方法技术

本发明专利技术为一种平面显示器面板构造与制造方法，其构造包含有一基板；一有源矩阵结构以及一驱动电路结构，而制造方法包含下列步骤：提供一基板；形成一有源矩阵结构及一驱动电路结构于基板上，其中有源矩阵结构包含有一第一半导体层；以及驱动电路结构包含有一第二半导体层，且第二半导体层的晶粒尺寸大于第一半导体层的晶粒尺寸。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术为一种，尤指一种有源式矩阵有机发光二极管显示器面板构造与制造方法。
技术介绍
请参见图1，其为一目前公知的有源式矩阵有机发光二极管(ActiveMatrix Organic Light-Emitting Diode，简称AMOLED)显示器中的像素(Pixel)驱动电路示意图，公知有源式矩阵有机发光二极管显示器的每个像素是由二个晶体管一个电容(2TlC)所组合而成。其中，晶体管M1栅极耦接至栅控线路(Gate Line)10，另二端则分别耦接至数据线路(Data Line)20与晶体管M2栅极。晶体管M2源极耦接至电源(Vdd)，漏极耦接至有机发光二极管(OLED)P极端。有机发光二极管(OLED)N极端则接至接地电压(GND)。电容Cs耦接于晶体管M2源极与栅极之间。而当栅控线路10动作时，晶体管M1可视为一个开关(Switch)开启(On)，此时驱动电压可由数据线路20输入并且快速地储存于电容Cs中。在驱动电压输入电容Cs的同时，此驱动电压可对晶体管M2产生偏压(Bias)，因此固定电流Id即可通过有机发光二极管(OLED)，使得有机发光二极管(OLED)发光。由上述可知，图1的有机发光二极管像素驱动电路为电压驱动。利用驱动电压来使得晶体管M2产生偏压，并使有机发光二极管(OLED)发光。由于为了将周边电路整合于显示器中，所以目前大部分的有机发光二极管(OLED)显示器的像素驱动电路的晶体管皆是利用低温多晶硅(Low TemperaturePoly-Silicon，LTPS)工艺所完成的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)。然而，由于以传统低温多晶硅工艺所完成的多晶硅，其晶粒大小不易控制，因此以多晶硅为基材所完成的薄膜晶体管，于同一基板上但不同区域的薄膜晶体管的临界电压(Threshold Voltage)与迁移率(Mobility)便会有一定程度的变异，如此将导致即使输入电容Cs的驱动电压相同，却产生不同大小的电流，导致有机发光二极管(OLED)所接收的电流产生变异，如此将严重造成面板发光强度不均匀的现象。
技术实现思路
本专利技术提出一种平面显示器面板制造方法，其至少包含下列步骤提供一基板；形成一有源矩阵结构及一驱动电路结构于基板上，其中有源矩阵结构包含有一第一半导体层，驱动电路结构包含有一第二半导体层，且第二半导体层的晶粒尺寸大于该第一半导体层的晶粒尺寸。根据上述构想，本专利技术所述的平面显示器面板制造方法，其中第一半导体层为一微晶硅层，而第二半导体层为一多晶硅层。根据上述构想，本专利技术所述的平面显示器面板制造方法，其中第一半导体层厚度小于第二半导体层的厚度。根据上述构想，本专利技术所述的平面显示器面板制造方法，其中有源矩阵结构为一有源式矩阵有机发光二极管结构。本专利技术的另一方面提出一种平面显示器面板制造方法，其至少包含下列步骤提供一基板；于基板上形成一原始半导体层，其中原始半导体层具有一第一区域与一第二区域；以及对原始半导体层进行一长晶工艺，进而于第一区域与第二区域中分别形成一第一半导体层以及一第二半导体层，而第二半导体层的晶粒尺寸大于第一半导体层；以及分别利用第一半导体层与第二半导体层来完成平面显示器面板中的一有源矩阵结构与一驱动电路结构。根据上述构想，本专利技术所述的平面显示器面板制造方法，其中第一半导体层为一微晶硅层，而第二半导体层为一多晶硅层。根据上述构想，本专利技术所述的平面显示器面板制造方法，其中第一半导体层厚度小于第二半导体层。根据上述构想，本专利技术所述的平面显示器面板制造方法，其中有源矩阵结构为一有源式矩阵有机发光二极管结构。根据上述构想，本专利技术所述的平面显示器面板制造方法，其中原始半导体层为一非晶硅层，而第一区域与第二区域的厚度不同，其中第一区域的厚度小于第二区域的厚度。根据上述构想，本专利技术所述的平面显示器面板制造方法，其中原始半导体层为一微晶硅层，而仅对第二区域进行一长晶工艺，进而于第一区域与第二区域中分别形成微晶硅层与多晶硅层。根据上述构想，本专利技术所述的平面显示器面板制造方法，其中原始半导体层为一厚度均匀的非晶硅层，而长晶工艺分别于第一区域与第二区域中进行一第一长晶工艺与一第二长晶工艺，而第一长晶工艺提供给第一区域的单位面积能量大于第二长晶工艺提供给第二区域与的单位面积能量。根据上述构想，本专利技术所述的平面显示器面板制造方法，其中长晶工艺可为固相结晶法(Solid Phase Crystallization，SPC)、准分子激光回火(ExcimerLaser Anneal，ELA)或连续式侧向固化法(Sequential Lateral Solidification，SLS)。本专利技术的再一方面为一种显示器面板构造，其至少包含一基板；一有源矩阵结构，形成于基板上，其包含有一第一半导体层；以及一驱动电路结构，形成于基板上，其包含有一第二半导体层，而第二半导体层的晶粒尺寸大于第一半导体层。根据上述构想，本专利技术所述的显示器面板构造，其中第一半导体层为一微晶硅层，而第二半导体层为一多晶硅层。根据上述构想，本专利技术所述的平面显示器面板构造，其中该有源矩阵结构为一有源式矩阵有机发光二极管结构。根据上述构想，本专利技术所述的显示器面板构造，其中基板为一透光基板。根据上述构想，本专利技术所述的显示器面板构造，其中基板为一玻璃基板、石英基板或塑胶基板。附图说明本专利技术借助于下列图式及详细说明，以获得更深入的了解图1为一目前公知的有源式矩阵有机发光二极管(AMOLED)显示器中的像素驱动电路示意图；图2为本专利技术所提出来的有源式矩阵有机发光二极管(AMOLED)显示器面板构造剖面示意图；图3(a)(b)(c)为制作本专利技术构造的第一优选实施例工艺步骤示意图；图4(a)(b)(c)为制作本专利技术构造的第二优选实施例工艺步骤示意图；图5(a)(b)(c)为制作本专利技术构造的第三优选实施例工艺步骤示意图。附图标记说明如下栅控线路10 数据线路20 基板20 有源矩阵结构21驱动电路结构22 第一半导体层211第二半导体层221 玻璃基板30缓冲层301原始半导体层31第一区域311 第二区域312第一半导体层321 第二半导体层322有源矩阵结构33 驱动电路结构34玻璃基板40 缓冲层401原始半导体层41 第一半导体层421第二半导体层422 有源矩阵结构43驱动电路结构44 玻璃基板50缓冲层501原始半导体层51第一区域511 第二区域512第一半导体层521 第二半导体层具体实施方式请参见图2，其是本专利技术所提出的有源式矩阵有机发光二极管(ActiveMatrix Organic Light-Emitting Diode，简称AMOLED)显示器面板构造剖面示意图，其主要包含有一基板20，其上方形成有一有源矩阵结构21以及一驱动电路结构22，而有源矩阵结构21以一第一半导体层211为主体来完成，至于驱动电路结构22则以一第二半导体层221为主体来完成，且第二半导体层221的晶粒尺寸大于第一半导体层211。举例来说，第一半导体层211与第二半导体层221可分别为微晶硅层(Micro-silicon layer)与多晶硅层(Poly-silicon la本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示器面板制造方法，其至少包含下列步骤：提供一基板；形成一有源矩阵结构于该基板上方，其中该有源矩阵结构包含有一第一半导体层；以及形成一驱动电路结构于该基板上方，该驱动电路结构包含有一第二半导体层，其中该第二半导体 层的晶粒尺寸大于该第一半导体层的晶粒尺寸。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡耀铭，张世昌，石安，孟昭宇，
申请(专利权)人：统宝光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]