有机电致发光器件制造技术

一种具有高亮度和长使用寿命的发磷光的器件，包括至少一层位于一对电极之间的发射层和至少一层与发射层直接接触的空穴阻隔层，其中发磷光的器件采用可被用作蓝色发光基质物质的化合物作为空穴阻隔层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种有机电致发光器件，且尤其涉及一种利用磷光的具有高亮度和长期的使用寿命的有机电致发光器件(在下文中该有机电致发光器件被简称为“发磷光的器件”)。
技术介绍
由多层层叠结构组成的发磷光的器件已为人们所知(美国专利No.6097147)。荧光器件的内部量子效率的理论阈值为激发单重态发射光，即，只使用荧光发射光时的发光的25％，但由于三重态的激发能量对发光也有贡献，因此磷光器件的内部量子效率的理论阈值可以被认为是100％。因而磷光器件相对于荧光器件可以提高发光效率，该发磷光的器件可以使发光亮度与驱动电压成比例。为了同时提高有机电致发光器件的发光效率并改善其驱动稳定性，人们试图在发射层和电极之间提供限制来自发射层的空穴的移动的空穴阻隔层。空穴阻隔层导致空穴在发射层中有效的聚集，因此提高了与电子的再结合率并允许达到更高的发光效率。邻二氮杂菲衍生物(JP-A H10-79297/1998)和三唑衍生物(JP-A H10-233284/1998)作为有效的空穴阻隔材料已经被报道。另外，邻二氮杂菲衍生物(Appl.Phys.Lett.75，4(1999))和例如BAlq的铝的螯合物(Proc.SPIE，Vol.4105，p175-182(2000))已经被用作发磷光的器件中的空穴阻隔层。
技术实现思路
然而，即使使用这些空穴阻隔材料，也不能经常得到具有足够发光效率和长期的使用寿命的发磷光的器件。当使用邻二氮杂菲衍生物时，据说发磷光的器件的效率被提高，但是驱动稳定性被降低。另一方面，当使用Balq时，据说驱动稳定性被提高，但是效率被降低。因此，人们期望开发同时具有极佳驱动稳定性和效率的发磷光的器件。本专利技术的一个目的是使用用于空穴阻隔层的特殊化合物以解决上述问题并得到具有高发光效率和长期使用寿命的发磷光的器件。作为前进中的细致研究的结果，本专利技术人基于发现上述问题可以通过使用用作蓝色发光材料、且尤其是蒽衍生物的化合物作为空穴阻隔材料而得以解决，从而完成了本专利技术。尤其是，本专利技术具有下面的结构。1、一种发磷光的器件，包括至少一层位于一对电极之间的发射层和至少一层与发射层直接接触的空穴阻隔层，其中发磷光的器件应用可被用作蓝色发光主体物质的化合物作为空穴阻隔层。2、根据第1项的发磷光的器件，该器件至少包括位于一对电极之间的电子传输层、空穴阻隔层、发射层、空穴传输层和空穴注入层。3、根据第1或2项的发磷光的器件，其中可以被用作蓝色发光主体物质的化合物为至少一种由化学式(F11)表示的并具有340或更高分子量的化合物Ant(A)t(F11) 其中Ant为化合价为t的蒽环，t为1～10的整数，并且各个A独立地为下面(a1)～(a6)类的任意一类，限制条件是(a6)为与(a1)～(a5)类中的至少一个基团共存的基团(a1)单价的C6～130取代或未取代的非稠环烃基团，其中取代基不包括杂环基团；(a2)单价的C6～130取代或未取代的非稠环烃基团，其中取代基包括杂环基团；(a3)单的价C10～130取代或未取代的稠环烃基团，其中取代基不包括杂环基团；(a4)单价的C10～130取代的稠环烃基团，其中取代基包括杂环基团；(a5)单价的C1～130取代或未取代的杂环烃基团，其中直接与蒽环键联的原子为除氮以外的原子；和(a6)单价的C1～50非环烃基团。4、根据第3项的发磷光的器件，其中少一个化学式(F11)的中至A为由(a1)表示的基团。5、根据第3项的发磷光的器件，其中至少一个化学式(F11)中的A为由(a2)表示的基团。6、根据第3项的发磷光的器件，其中至少一个化学式(F11)中的A为由(a3)表示的基团。7、根据第3项的发磷光的器件，其中至少一个化学式(F11)中的A为由(a4)表示的基团。8、根据第3项的发磷光的器件，其中至少一个化学式(F11)中的A为由(a5)表示的基团。9、根据第3项的发磷光的器件，其中至少一个化学式(F11)中的A为由(a6)表示的基团，并且至少一个A为由(a1)～(a5)的任意一个表示的基团。10、根据第4项的发磷光的器件，其中(a1)为包含1～10个取代或未取代的苯环的基团。11、根据第6项的发磷光的器件，其中(a3)为包含1～10个选自取代或未取代的萘环、蒽环、菲环、芘环和芴环的环的基团。12、根据第8项的发磷光的器件，其中(a5)为包含1～10个选自以下取代或未取代的杂环的环的基团 其中R表示氢、C1～6烷基或C6～18芳基。13、根据第10～12项中任意一项的发磷光的器件，其中A的取代基为包含1～10个环的基团或选自取代或未取代的苯环、萘环、蒽环、菲环、芘环、芴环和下面的环的基团 其中R表示氢、C1～6的烷基或C6～18的芳基以及选自苯基亚乙基和联苯基亚乙基的基团。14、根据第10～12项中任意一项的发磷光的器件，其中A的取代基的取代基为C1～12的烷基，其中烷基中的任何亚甲基任选地被-O-取代、并且除了1-位的亚甲基外的任何亚甲基任选地被C6～12的亚芳基或C3～12的环亚烃基取代。15、根据第13项的发磷光的器件，其中A的取代基的取代基为C1～12的烷基、苯基亚乙基或联苯基亚乙基，其中烷基中的任何亚甲基任选地被-O-取代、并且除了1-位外的亚甲基的任何亚甲基任选地被C6～12的亚芳基或C3～12的环亚烃基取代。16、根据第3～15项的任意一项的发磷光的器件，其中A包括至少两个不同的选自(a1)、(a2)、(a3)、(a4)、(a5)和(a6)的基团。17、根据第4或10项的发磷光的器件，其中A由(a1)单独组成。18、根据第6或11项的发磷光的器件，其中A由(a3)单独组成。19、根据第4、6、10、11或16项的发磷光的器件，其中A包括(a1)和(a3)。20、根据第3～19项中任意一项的发磷光的器件，其中两个A在Ant的9-和10-位被键合。21、根据第3～20项中任意一项的发磷光的器件，其中t＝2。22、根据第3～20项中任意一项的发磷光的器件，其中t＝3。23、根据第3～20项中任意一项的发磷光的器件，其中t＝4～10。24、根据第3项的发磷光的器件，其中，在化学式(F11)中，t＝1且A为取代的苯基，其中至少一个苯基上的氢任选地被至少一种选自包含苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、芴基、芘基、苄基、吡啶基、咔唑基、苯并咪唑基、喹啉基和喹喔啉基的组的基团取代。25、根据第3项的发磷光的器件，其中，在化学式(F11)中，t＝1且A为萘基、蒽基、菲基或选自这些基团的基团上的至少一个氢任选地被至少一种选自包含甲基、乙基、t-丁基、甲氧基、乙氧基、苯基、联苯基、三联苯基、苯基亚乙基、联苯基亚乙基、萘基、蒽基、菲基、芴基、芘基、苄基、吡啶基、咔唑基、苯并咪唑基、喹啉基和喹喔啉基的组的基团取代的基团。26、根据第24或25项的发磷光的器件，其中取代基的数量为1～3。27、根据第3项的发磷光的器件，其中，在化学式(F11)中，t＝1且A为取代的苯基，其中苯基上的四个氢任选地被至少一种选自包含苯基、联苯基、三联苯基、萘基、蒽基、菲基、芴基、芘基、苄基、吡啶基、咔唑基、苯并咪唑基、喹啉基和喹喔啉基的组的基团取代。28、根据第3项的发磷光的器件，其中，在化学式(F11)中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发磷光的器件，包括至少一个位于一对电极之间的发射层和至少一个与发射层直接接触的正空穴阻隔层，其中发磷光的器件使用可被用作蓝色发光基质材料的化合物作为空穴阻隔层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：内田学，王国防，影山明子，李敬勋，李在万，朴春键，
申请(专利权)人：LG电子有限公司，CHISSO株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]