半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种具有电流输入型像素的半导体装置，其中提高了信号写入速度并减小了相邻晶体管之间变化的影响。当进行设定操作时（写入信号），串联连接的两个晶体管之一的源－漏电压变得非常低，因而对另一晶体管进行设定操作。在输出操作中，两个晶体管作为多栅极晶体管工作，因此，输出操作中的电流值可以小。换言之，设定操作中的电流可以大。因此，寄生在布线等上的交叉电容和布线电阻的效应影响不大，因此可以迅速进行设定操作。由于在设定操作和输出操作中使用一个晶体管，减小了相邻晶体管之间变化的影响。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体装置，其具有通过晶体管控制提供给负载的电流的功能。具体地，本专利技术涉及由亮度根据电流改变的电流驱动的发光元件形成的像素和包括信号线驱动电路的半导体装置。
技术介绍
近几年，像素由诸如发光二极管(LED)的发光元件形成的自发光型显示装置引起了关注。随着发光元件用在这种自发光型显示装置中，有机发光二极管(OLED)、有机EL元件和电致发光(EL)元件引起了关注并开始用在有机EL显示装置等中。作为自发光型，与液晶显示器相比，这种诸如OLED的发光元件具有清晰度更高且响应更快的像素，且无需背光。而且，通过流过它的电流值控制发光元件的亮度。在使用这种自发光型发光元件的显示装置中，无源矩阵法和有源矩阵法是其已知的驱动方法。前者具有简单的结构，但存在问题以致于难以实现大的清晰度高的显示器。因此，有源矩阵法在近几年积极发展起来，其中通过在像素电路中提供的薄膜晶体管(TFT)控制流到发光元件的电流。在有源矩阵法的显示装置的情况下，问题在于流到发光元件的电流因驱动TFT的电流特性改变而改变，因而亮度改变。也就是说，在这种有源矩阵法的显示装置的情况下，在像素电路中使用驱动TFT本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，包括第一晶体管；第二晶体管；开关；和电容器，其中第一晶体管包括栅极端、第一端和第二端；其中第二晶体管包括栅极端、第一端和第二端；　其中第一晶体管的栅极端与第一晶体管的第 一端通过该开关连接；其中第一晶体管的第二端连接到第二晶体管的栅极端；其中第一晶体管的栅极端连接到电容器的一端；且其中包括用于在第一晶体管的第一端和第一晶体管的第二端之间或第二晶体管的第一端和第二晶体管的第二端之间短路 的装置。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：木村肇，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]