【技术实现步骤摘要】
发光装置
[0001]本申请是申请日为2022年2月17日、申请号为202220324785.8、专利技术名称为“发光装置及光源装置”的专利技术专利申请的分案申请。
[0002]本技术涉及发光装置及光源装置。
技术介绍
[0003]作为发光装置，已知有炮弹型的发光装置。例如在专利文献1中公开了俯视形状为椭圆形的半导体发光装置。
[0004]在先技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本专利第2809951号公报
技术实现思路
[0007]技术要解决的课题
[0008]在专利文献1所记载的发光装置中，在高亮度且能够进行高密度的安装的方面存在进一步改善的空间。
[0009]本技术的实施方式的课题在于，提供高亮度且能够进行高密度的安装的发光装置及光源装置。
[0010]用于解决课题的方案
[0011]本技术的实施方式的发光装置具备基台、载置于所述基台的发光元件、以及将所述基台的一部分及所述发光元件直接或间接地覆盖的覆盖构件，所述覆盖构件连...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发光装置，其特征在于，所述发光装置具备基台、载置于所述基台的发光元件、以及将所述基台的一部分及所述发光元件直接或间接地覆盖的覆盖构件，所述覆盖构件连续形成有下部、上部、以及划分在所述下部与所述上部之间的中间部，所述发光元件配置于所述上部或所述中间部，在俯视下，所述下部呈大致椭圆形或大致椭圆的一部分残缺而成的大致残缺椭圆形，在俯视下，所述上部呈大致圆形或大致圆的一部分残缺而成的大致残缺圆形，所述上部的大致圆形或大致残缺圆形的直径比所述下部的大致椭圆形或大致残缺椭圆形的长径小，在沿着所述下部的长径且从所述上部向所述下部的方向切断的剖视下，所述下部呈上边比下边短的大致梯形。2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，在沿着所述下部的所述长径且从所述上部向所述下部的方向切断的剖视下，所述中间部呈上边比下边短的大致梯形。3.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述上部包括主体部、以及在所述主体部上连续设置的上部弯曲部。4.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，所述基台具备沿着一方向配置的第一引线及第二引线，所述第二引线具有带有凹部的杯状部，所述凹部至少具有朝上的面及内侧面，所述发光元件载置于划分所述凹部的所述朝上的面。5.根据权利要求4所述的发光装置，其特征在于，所述第一引线具有向接近所述第二引线的方向凹陷的凹状的部分。6.根据权利要求4所述的发光装置，其特征在于，在所述凹部配置有覆盖所述发光元件的透光性构件，所述覆盖构件隔着所述透光性构件覆盖所述发光元件。7.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，对于所述上部的大致圆形或大致残缺圆形的直径与所述下部的大致椭圆形或大致残缺椭圆形的长径的比率，在将所述上部的大致圆形或大致残缺圆形的直径设为1时，所述下部的大致椭圆形或大致残缺椭圆形的长径为1.001以上且小于1.34。8.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，对于所述上部的大致圆形或大致残缺圆形的直径与所述下部的大致椭圆形或大致残缺椭圆形的短径的比率，在将所述上部的大致圆形或大致残缺圆形的直径设为1时，所述下部的大致椭圆形或大致残缺椭圆形的短径为1以上且1.1以下。9.根据权利要求2所述的发光装置，其特征在于，所述中间...
【专利技术属性】
技术研发人员：大田泰三，
申请(专利权)人：日亚化学工业株式会社，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。