一种短拖尾电流IGBT器件及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种短拖尾电流IGBT器件的制备方法，技术方案包括以下步骤：步骤S1、沟槽栅IGBT进行基础加工，沟槽栅IGBT的背面形成N

【技术实现步骤摘要】
一种短拖尾电流IGBT器件及制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，尤其涉及一种短拖尾电流IGBT器件及制备方法。

技术介绍

[0002]IGBT是绝缘栅双极型晶体管，其是由双极型三极管和绝缘栅型效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体元件，其兼具高输入阻抗和低导通压降的优点，所以IGBT应用在各种能源变换与传输的核心器件中。
[0003]现有的IGBT以双极模式工作，导通状态下，发射极Emitter和集电极Collector分别向漂移区N
‑
drift注入电子和空穴，电子和空穴在漂移区中发生电导调制，从而降低原本很高的漂移区电阻；但是储存在漂移区的载流子(电子和空穴)在IGBT关断时需要排除体外，空穴作为少子需要缓慢复合消失，导致IGBT在关断过程中会出现拖尾电流。
[0004]目前降低IGBT关断期间拖尾电流技术多采用降低载流子寿命和透明集电极技术方案，其中透明集电极技术采用掺杂浓度很低且厚度很薄的集电极collector，控制注入进漂移区的空穴数量，从而减小IGBT关断过程中的拖尾电流，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种短拖尾电流IGBT器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、沟槽栅IGBT进行基础加工，沟槽栅IGBT的背面形成N
‑
drift区域；步骤S2、第一次离子注入，向沟槽栅IGBT的背面注入杂质一，经过退火激活杂质一，并推阱在N
‑
drift一侧形成N+掺杂区域；步骤S3、第二次离子注入，沟槽栅IGBT的背面生长氧化层，通过光刻工艺及刻蚀工艺在氧化层上打开窗口，注入杂质二，杂质二只会通过打开的窗口注入到沟槽栅IGBT的背面，经过退火激活杂质二，形成中间隔分布的P+掺杂区域；步骤S4、沟槽栅IGBT背面的P+掺杂区域的外侧淀积金属，形成背面集电极collector。2.根据权利要求1所述的一种短拖尾电流IGBT器件的制备方法，其特征在于：在步骤S2中，杂质一为磷P。3.根据权利要求2所述的一种短拖尾电流IGBT器件的制备方法，其特征在于：在步骤S2中，退火工艺参数为：退火温度为420℃，退火温度误差为
±
0.5℃；退火时间60min，退...

【专利技术属性】
技术研发人员：王万，李娜，
申请(专利权)人：江苏索力德普半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：