驱动芯片、显示装置及驱动芯片的调试方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开驱动芯片、显示装置及驱动芯片的调试方法。驱动芯片通过使控制模块根据实际电磁辐射的频率、存储模块存储的电磁辐射频率与电磁辐射抑制参数之间的映射关系，向电磁辐射抑制模块输出控制信号，使电磁辐射抑制模块提供具有实际电磁辐射抑制参数的器件改善实际电磁辐射。显示装置包括驱动芯片。驱动芯片的调试方法将驱动芯片依次设置在具有不同频率的电磁辐射环境中，通过控制控制模块依次发送多个控制信号至电磁辐射抑制模块，使电磁辐射抑制模块依次提供多个电磁辐射抑制参数，根据对电磁辐射的抑制效果，从多个电磁辐射抑制参数中确定第一电磁辐射抑制参数，并将第一电磁辐射抑制参数与电磁辐射频率的映射关系存储至存储模块。储至存储模块。储至存储模块。

【技术实现步骤摘要】
驱动芯片、显示装置及驱动芯片的调试方法


[0001]本专利技术涉及显示
，具体涉及一种驱动芯片、显示装置及驱动芯片的调试方法。

技术介绍

[0002]电磁辐射干扰(EMI)是显示行业的产品整机测试中非常常见且又非常棘手的问题，当产品的系统电路受到EMI干扰时，会在电源线或者信号线上产生具有一定频率、一定幅值的电磁辐射干扰波。而产品受到严重的EMI干扰时可能会产生错误的信号与数据，从而导致产生错误的显示效果。当发生EMI超标问题时，印刷电路板上能够调试以改善EMI的位置也不多。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供一种驱动芯片、一种显示装置及驱动芯片的调试方法，可以改善电磁辐射干扰，降低成本。
[0004]本专利技术实施例提供一种驱动芯片，包括存储模块、控制模块以及电磁辐射抑制模块。所述存储模块被配置为存储电磁辐射频率与电磁辐射抑制参数之间的映射关系；所述控制模块被配置为根据实际电磁辐射的频率和所述映射关系输出控制信号；其中，所述控制信号包括第一控制信号和第二控制信号；在所述实际电磁辐射的所述频率小于或等于第一电磁辐射阈值时，所述控制模块被配置为输出所述第一控制信号；在所述实际电磁辐射的所述频率大于第二电磁辐射阈值时，所述控制模块被配置为输出所述第二控制信号。所述电磁辐射抑制模块被配置为根据所述控制信号提供具有对应的电磁辐射抑制参数的器件以抑制所述实际电磁辐射；其中，所述电磁抑制模块包括低频抑制单元和高频抑制单元，所述低频抑制单元被配置根据所述第一控制信号抑制所述实际电磁辐射，所述高频抑制单元被配置根据所述第二控制信号抑制所述实际电磁辐射。
[0005]可选地，在本专利技术的一些实施例中，所述驱动芯片还包括数字地模块、模拟地模块及非数模地模块。所述低频抑制单元串联于所述非数模地模块与所述数字地模块之间；和/或，所述低频抑制单元串联于所述非数模地模块与所述模拟地模块之间；或，所述低频抑制单元串联于所述非数模地模块与所述驱动芯片的接地输出端口之间。所述高频抑制单元串联于所述非数模地模块与所述数字地模块之间；和/或，所述高频抑制单元串联于所述非数模地模块与所述模拟地模块之间；或，所述高频抑制单元串联于所述非数模地模块与所述驱动芯片的接地输出端口之间。
[0006]可选地，在本专利技术的一些实施例中，所述低频抑制单元和所述高频抑制单元中的一个串联于所述非数模地模块与所述接地输出端口之间。所述低频抑制单元和所述高频抑制单元中的另一个串联于所述非数模地模块与所述数字地模块之间；和/或，所述低频抑制单元和所述高频抑制单元中的另一个串联于所述非数模地模块与所述模拟地模块之间。
[0007]可选地，在本专利技术的一些实施例中，所述低频抑制单元包括多条并联的低频抑制
支路，每一所述低频抑制支路包括串联的第一开关管及第一抑制器件，所述第一抑制器件包括电阻。其中，每一所述第一开关管的控制端与所述控制模块电性连接，所述控制模块将所述第一控制信号输出至对应的所述第一开关管，多个所述低频抑制支路的所述电阻的阻值不同，所述电磁辐射抑制参数包括多个所述低频抑制支路的所述电阻的所述阻值。
[0008]可选地，在本专利技术的一些实施例中，所述高频抑制单元包括多个并联的高频抑制支路，每一所述高频抑制支路包括串联的第二开关管及第二抑制器件，所述第二抑制器件包括电容。其中，每一所述第二开关管的控制端与所述控制模块电性连接，所述控制模块将所述第二控制信号输出至对应的所述第二开关管，多个所述高频抑制支路的所述电容的电容值不同，所述电磁辐射抑制参数包括多个所述高频抑制支路的所述电容的所述电容值。
[0009]可选地，在本专利技术的一些实施例中，所述低频抑制单元还包括第三开关管，所述第三开关管与多个所述低频抑制支路并联，所述第三开关管的控制端与所述控制模块电性连接，所述第三开关管被配置为根据对应的所述第一控制信号，于所述低频抑制单元包括的多个所述低频抑制支路中的所述第一开关管均处于截至状态时导通。
[0010]可选地，在本专利技术的一些实施例中，所述高频抑制单元还包括第四开关管，所述第四开关管与多个所述高频抑制支路并联，所述第四开关管的控制端与所述控制模块电性连接，所述第四开关管被配置为根据对应的所述第二控制信号，于所述高频抑制单元包括的多个所述高频抑制支路中的所述第二开关管均处于截至状态时导通。
[0011]本专利技术还提供一种显示装置，包括显示面板及与所述显示面板电性连接的驱动模块，所述驱动模块包括任一项上述的驱动芯片。
[0012]本专利技术还提供一种驱动芯片的调试方法，所述驱动芯片包括存储模块、控制模块和电磁辐射抑制模块，所述调试方法包括：
[0013]在每个具有电磁辐射的环境中，控制所述控制模块依次发送多个控制信号至所述电磁辐射抑制模块，以使所述电磁辐射抑制模块依次提供多个电磁辐射抑制参数；其中，所述驱动芯片被配置为依次设置在具有不同频率的电磁辐射的环境中；
[0014]根据多个所述电磁辐射抑制参数对所述电磁辐射的抑制效果，从多个所述电磁辐射抑制参数中确定第一电磁辐射抑制参数；
[0015]存储所述第一电磁辐射抑制参数与所述电磁辐射的频率的映射关系至所述存储模块内。
[0016]可选地，在本专利技术的一些实施例中，所述控制信号包括第一控制信号和第二控制信号；其中，在所述电磁辐射的所述频率小于或等于第一电磁辐射阈值时，所述控制模块被配置为输出所述第一控制信号；在所述电磁辐射的所述频率大于第二电磁辐射阈值时，所述控制模块被配置为输出所述第二控制信号。
[0017]所述电磁抑制模块包括低频抑制单元和高频抑制单元；其中，所述低频抑制单元包括多个第一抑制器件，所述低频抑制单元被配置为根据所述第一控制信号以使多个所述第一抑制器件提供多个所述电磁辐射抑制参数；所述高频抑制单元包括与所述第一抑制器件的类型不同的多个第二抑制器件，所述高频抑制单元被配置为根据所述第二控制信号以使多个所述第二抑制器件提供多个电磁辐射抑制参数。
[0018]本专利技术实施例提供一种驱动芯片、一种显示装置及驱动芯片的调试方法，驱动芯片包括存储模块、控制模块以及电磁辐射抑制模块。通过使控制模块根据实际电磁辐射的
频率、存储模块存储的电磁辐射频率与电磁辐射抑制参数之间的映射关系，以在实际电磁辐射的频率小于或等于第一电磁辐射阈值时向电磁辐射抑制模块输出第一控制信号，在实际电磁辐射的频率大于第二电磁辐射阈值时向电磁辐射抑制模块输出第二控制信号，以使电磁辐射抑制模块的低频抑制单元根据第一控制信号抑制实际电磁辐射，高频抑制单元根据第二控制信号抑制实际电磁辐射。因电磁辐射抑制模块集成于驱动芯片内，因而无需在水平电路板上设置焊盘，可以降低显示装置的成本，并可以用于改善不同显示面板中的电磁辐射干扰问题，兼容性高。显示装置包括显示面板和驱动芯片。驱动芯片的调试方法是将驱动芯片依次设置在具有不同频率的电磁辐射的环境中，通过控制控制模块依次发送多个控制信号至电磁辐射抑制模块，以使电磁辐射抑制模块依次提供多个电磁辐射抑制参数，以根据多个电磁辐射本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种驱动芯片，其特征在于，包括：存储模块，被配置为存储电磁辐射频率与电磁辐射抑制参数之间的映射关系；控制模块，被配置为根据实际电磁辐射的频率和所述映射关系输出控制信号；其中，所述控制信号包括第一控制信号和第二控制信号；在所述实际电磁辐射的所述频率小于或等于第一电磁辐射阈值时，所述控制模块被配置为输出所述第一控制信号；在所述实际电磁辐射的所述频率大于第二电磁辐射阈值时，所述控制模块被配置为输出所述第二控制信号；以及电磁辐射抑制模块，被配置为根据所述控制信号提供具有对应的电磁辐射抑制参数的器件以抑制所述实际电磁辐射；其中，所述电磁抑制模块包括低频抑制单元和高频抑制单元，所述低频抑制单元被配置根据所述第一控制信号抑制所述实际电磁辐射，所述高频抑制单元被配置根据所述第二控制信号抑制所述实际电磁辐射。2.根据权利要求1所述的驱动芯片，其特征在于，所述驱动芯片还包括数字地模块、模拟地模块及非数模地模块；所述低频抑制单元串联于所述非数模地模块与所述数字地模块之间；和/或，所述低频抑制单元串联于所述非数模地模块与所述模拟地模块之间；或，所述低频抑制单元串联于所述非数模地模块与所述驱动芯片的接地输出端口之间；所述高频抑制单元串联于所述非数模地模块与所述数字地模块之间；和/或，所述高频抑制单元串联于所述非数模地模块与所述模拟地模块之间；或，所述高频抑制单元串联于所述非数模地模块与所述驱动芯片的接地输出端口之间。3.根据权利要求2所述的驱动芯片，其特征在于，所述低频抑制单元和所述高频抑制单元中的一个串联于所述非数模地模块与所述接地输出端口之间；所述低频抑制单元和所述高频抑制单元中的另一个串联于所述非数模地模块与所述数字地模块之间；和/或，所述低频抑制单元和所述高频抑制单元中的另一个串联于所述非数模地模块与所述模拟地模块之间。4.根据权利要求2所述的驱动芯片，其特征在于，所述低频抑制单元包括：多条并联的低频抑制支路，每一所述低频抑制支路包括串联的第一开关管及第一抑制器件，所述第一抑制器件包括电阻；其中，每一所述第一开关管的控制端与所述控制模块电性连接，所述控制模块将所述第一控制信号输出至对应的所述第一开关管，多个所述低频抑制支路的所述电阻的阻值不同，所述电磁辐射抑制参数包括多个所述低频抑制支路的所述电阻的所述阻值。5.根据权利要求2所述的驱动芯片，其特征在于，所述高频抑制单元包括：多个并联的高频抑制支路，每一所述高频抑制支路包括串联的第二开关管及第二抑制器件，所述第二抑制器件包括电容；其中，每一所述第二开关...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈炜锋，蓝庆生，
申请(专利权)人：TCL华星光电技术有限公司，
类型：发明
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