本发明专利技术涉及一种钨铜材料及其制备方法与应用，所述制备方法包括如下步骤：对搭接摆放的钨压坯、铜镍合金与熔渗桥进行烧结熔渗处理，冷却后分离所述钨压坯与熔渗桥，得到所述钨铜材料；所述烧结熔渗处理包括至少3次热处理，所述热处理的温度为1250℃以下。本发明专利技术采用铜镍合金与间接熔渗方式配合，以及至少3次热处理，实现了钨压坯烧结与熔渗的同步进行，且制备温度较低，所得钨铜材料中铜分布均匀，具有较高的密度。具有较高的密度。具有较高的密度。
【技术实现步骤摘要】
一种钨铜材料及其制备方法与应用
[0001]本专利技术属于材料
，涉及一种合金材料，尤其涉及一种钨铜材料及其制备方法与应用。
技术介绍
[0002]钨铜材料是一种由体心立方结构的钨和面心立方结构的铜所组成的既不互相固溶，又不形成金属间化合物的两相混合组成，通常被称为伪合金。因此，它既具有钨的高强度、高硬度、低膨胀系数等特性，同时又具有铜的高速性、良好的导电导热等特性。
[0003]CN106381411A公开了一种铜钨合金及CuW
‑
CrCu整体材料的制备方法，该制备方法将亚微米级钨粉、微米级钨粉、超微米级钨粉和诱导Cu粉混合后，经过粘结处理、晾干、筛分处理，得到混合粉末；将混合粉末预压制形成毛坯，然后将毛坯经过1300
‑
1400℃烧结熔渗即得。但W
‑
Cu液相润湿角不为零，且钨与铜之间不互溶，因此无论是液相烧结还是固相烧结，钨骨架中熔渗率不足难以制得较高密度的钨铜材料，且上述钨铜材料的铜分布不均匀，熔渗的温度需要高于1300℃。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的在于提供一种钨铜材料及其制备方法与应用，由本专利技术制备方法得到的钨铜材料中铜分布均匀，具有较高的密度，且烧结熔渗温度较低。
[0005]为达到此专利技术目的，本专利技术采用以下技术方案：
[0006]第一方面，本专利技术提供了一种钨铜材料的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：
[0007]将钨压坯、铜镍合金与熔渗桥搭接摆放，所述钨压坯和所述铜镍合金间隔设置，所述熔渗桥分别与所述钨压坯、铜镍合金搭接，所述熔渗桥的熔点高于所述铜镍合金；
[0008]对搭接摆放的钨压坯、铜镍合金与熔渗桥进行烧结熔渗处理，冷却后去除所述熔渗桥，得到所述钨铜材料；
[0009]所述烧结熔渗处理包括至少3次热处理，所述热处理的温度为1250℃以下。
[0010]本专利技术提供的制备方法，通过铜镍合金的使用与间接熔渗的方式配合，以及至少3次热处理，钨骨架烧结与熔渗同步进行，制得的钨铜材料中铜分布均匀，具有较高的密度，且烧结熔渗温度较低。
[0011]本专利技术所述烧结熔渗处理包括至少3次热处理，例如可以是3次、4次、5次或6次，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。本专利技术所述至少3次热处理过程中，且所述热处理的温度均不超过1250℃。
[0012]优选地，所述铜镍合金与钨铜粉末压坯的质量比为1:(2
‑
7)，例如可以是1:2、1:3、1:4、1:5、1:6或1:7，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
[0013]优选地，所述烧结熔渗处理包括依次进行的第一热处理、第二热处理与第三热处理。
[0014]优选地，所述第一热处理的温度为750
‑
850℃，时间为2
‑
4h。
[0015]本专利技术所述第一热处理的温度为750
‑
850℃，例如可以是750℃、760℃、780℃、800℃、810℃、840℃或850℃，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
[0016]本专利技术所述第一热处理的时间为2
‑
4h，例如可以是2h、2.5h、3h、3.5h或4h，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
[0017]优选地，所述第二热处理的温度为1000
‑
1100℃，时间为2
‑
4h。
[0018]本专利技术所述第二热处理的温度为1000
‑
1100℃，例如可以是1000℃、1020℃、1050℃、1080℃或1100℃，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
[0019]本专利技术所述第二热处理的时间为2
‑
4h，例如可以是2h、2.5h、3h、3.5h或4h，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
[0020]优选地，所述第三热处理的温度为1150
‑
1250℃，时间为4
‑
8h。
[0021]本专利技术所述第三热处理的温度为1150
‑
1250℃，例如可以是1150℃、1180℃、1200℃、1220℃或1250℃，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
[0022]本专利技术所述第三热处理的时间为4
‑
8h，例如可以是4h、5h、6h、7h或8h，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
[0023]优选地，所述铜镍合金的制备方法包括如下步骤：均匀混合铜粉与镍粉，然后进行真空熔炼，得到所述铜镍合金。
[0024]本专利技术所述费氏粒度为费氏平均粒度。
[0025]优选地，所述铜粉的费氏粒度为50μm以下，例如可以是5μm、10μm、20μm、30μm、40μm或50μm，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
[0026]优选地，所述镍粉的费氏粒度为50μm以下，例如可以是5μm、10μm、20μm、30μm、40μm或50μm，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
[0027]优选地，所述铜粉与镍粉的质量比为(10
‑
25):1，例如可以是10:1、12:1、15:1、16:1、18:1、20:1、21:1、24:1或25:1，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
[0028]优选地，所述真空熔炼的温度为1200
‑
1350℃，例如可以是1200℃、1220℃、1240℃、1250℃、1260℃、1280℃、1300℃、1320℃或1350℃，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
[0029]本专利技术不对真空熔炼的真空度做进一步限定，只要能够使真空度≤10
‑4Pa即可。
[0030]优选地，所述钨压坯的制备方法包括如下步骤：均匀混合钨粉与铜粉，冷等静压，得到所述钨压坯。
[0031]优选地，所述钨粉的费氏粒度为2
‑
10μm，例如可以是2μm、4μm、5μm、6μm、7μm、8μm、9μm或10μm，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
[0032]优选地，所述铜粉的费氏粒度≤50μm，例如可以是5μm、10μm、20μm、30μm、40μm或50μm，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
[0033]优选地，所述钨粉与铜粉的质量比为(6
‑
24):1，例如可以是6:1、8:1、10:1、12:1、15:1、16:1、18:1、20:1、22:1或24:1，但不限于所列举的数值，数值范围内其它未列举的数值同样适用。
[0034]优选地，所述冷等静压的压力为本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种钨铜材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：将钨压坯、铜镍合金与熔渗桥搭接摆放，所述钨压坯和所述铜镍合金间隔设置，所述熔渗桥分别与所述钨压坯、铜镍合金搭接，所述熔渗桥的熔点高于所述铜镍合金；对搭接摆放的钨压坯、铜镍合金与熔渗桥进行烧结熔渗处理，冷却后去除所述熔渗桥，得到所述钨铜材料；所述烧结熔渗处理包括至少3次热处理，所述热处理的温度为1250℃以下。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述铜镍合金与钨压坯的质量比为1:(2
‑
7)；优选地，所述烧结熔渗处理包括依次进行的第一热处理、第二热处理与第三热处理；优选地，所述第一热处理的温度为750
‑
850℃，时间为2
‑
4h；优选地，所述第二热处理的温度为1000
‑
1100℃，时间为2
‑
4h；优选地，所述第三热处理的温度为1150
‑
1250℃，时间为4
‑
8h。3.根据权利要求1或2任一项所述的制备方法，其特征在于，制备所述铜镍合金的方法包括如下步骤：均匀混合铜粉与镍粉，然后进行真空熔炼，得到所述铜镍合金。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述铜粉的费氏粒度为50μm以下；优选地，所述镍粉的费氏粒度为50μm以下；优选地，所述铜粉与镍粉的质量比为(10
‑
25):1；优选地，所述真空熔炼的温度为1200
‑
1350℃。5.根据权利要求1
‑
...
【专利技术属性】
技术研发人员：廖启顺，刘春佳，陈阿娇，柯良金，
申请(专利权)人：厦门钨业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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