一种关于多士炉MCU内部RC的温度补偿方法技术

本发明专利技术公开了一种关于多士炉MCU内部RC的温度补偿方法，包括以下步骤：读取多士炉MCU内部RC的温度，根据所述温度值来计算补偿比例，MCU内部RC的温度值越高补偿越多，MCU的内部基准时间为t0；当检测温度大于25℃时，调整MCU的内部基准时间，温度越高、MCU基准时间越慢，此时需要调快MCU的基准时间；当检测温度小于25℃时，调整MCU的内部基准时间，温度越低、MCU基准时间越快，此时需要调慢MCU的基准时间。本发明专利技术属于多士炉温度补偿技术领域，具体是提供了一种根据当前检测的MCU附近温度，对MCU的内部RC做相应的补偿，保证准确的工作时间的关于多士炉MCU内部RC的温度补偿方法。士炉MCU内部RC的温度补偿方法。

【技术实现步骤摘要】
一种关于多士炉MCU内部RC的温度补偿方法


[0001]本专利技术属于多士炉温度补偿
，具体是指一种关于多士炉MCU内部RC的温度补偿方法。

技术介绍

[0002]微控制单元(Microcontroller Unit；MCU)，又称单片微型计算机(Single Chip Microcomputer)或者单片机。在MCU芯片中，时钟电路用来产生时钟信号，是一个不可或缺的模块，为了节约成本，一般在MCU芯片集成RC振荡器(简称MCU内部RC)，由于在不同的应用环境下，对RC振荡电路的要求也不一样。
[0003]目前的多士炉主控MCU的内部RC一般采用标称值，没有因为工作温度的差异而对多士炉主控MCU的内部RC做一定补偿，导致出现工作时间不准的情况。由于多士炉在连续工作时，炉芯的温度会非常的高，相应的，主控板的温度也会随着炉芯温度的提高而上升，而主控MCU的内部RC是会随着温度变化而变化的，这就导致了在MCU温度比较高的情况，内部RC会偏慢，而在MCU温度比较低时，内部RC会加快的情况，如果不对MCU的内部RC做相应的温度补偿，在MCU处于不同的温度时，多士炉的工作时间会出现不够准确的情况。

技术实现思路

[0004]针对上述情况，为克服现有技术的缺陷，本专利技术提供了一种根据当前检测的MCU附近温度，对MCU的内部RC做相应的补偿，保证准确的工作时间的关于多士炉MCU内部RC的温度补偿方法。
[0005]本专利技术采取的技术方案如下：本专利技术一种关于多士炉MCU内部RC的温度补偿方法，包括以下步骤：
[0006]步骤一：读取多士炉MCU内部RC的检测温度，根据所述检测温度来计算补偿比例，所述检测温度和和所述补偿比例呈正相关，MCU内部RC的温度值越高补偿越多；
[0007]步骤二：当所述检测温度等于环境参考温度时，确定补偿比例为0，不需要对MCU内部RC做温度补偿；
[0008]步骤三：当所述检测温度大于环境参考温度时，调小MCU的内部基准时间；
[0009]步骤四：当检测温度小于环境参考温度时，调大MCU的内部基准时间。
[0010]作为上述方案的补充说明，所述步骤三中，调小MCU的内部基准时间的步骤，包括：
[0011]按照如下公式调小MCU的内部基准时间：
[0012]调小后的MCU的内部基准时间＝t0‑
(T1‑
T
参考
)/300；
[0013]其中，所述t0为调小前的内部基准时间，所述T
参考
为所述环境参考温度，所述T1为当前所述检测温度，T1＞T
参考
。
[0014]作为上述方案的补充说明，所述步骤四中，调大MCU的内部基准时间的步骤，包括：
[0015]按照如下公式调大MCU的内部基准时间：
[0016]调大后的MCU的内部基准时间＝t0+(T
参考
‑
T2)/500；
[0017]其中，所述t0为调大前的内部基准时间，所述T
参考
为所述环境参考温度，所述T2为当前所述检测温度，T2＜T
参考
。
[0018]进一步地，所述检测温度等于25℃时，所述MCU内部的基准时间为10ms。
[0019]进一步地，通过多士炉的控制系统存储上述步骤中确定的实际加热补偿所需要调整的MCU的基准时间。
[0020]进一步地，所述控制系统为单片机、记忆芯片或者带记忆的单片机的控制电路。
[0021]在本方案中，所述控制电路为NTC温度补偿电路，所述NTC温度补偿电路包括主控芯片和NTC检测模块，所述NTC检测模块与主控芯片之间电路连接，且所述NTC温度补偿电路用于控制对加温温度进行补偿。
[0022]作为进一步阐述的方案，所述NTC检测模块包括电阻R14、电阻R17、电容C5、电容C9和热敏电阻器NTC，所述热敏电阻器NTC与所述电阻R14串联并接入主控芯片的第8引脚上，所述热敏电阻器NTC与电容C5、电阻R17串联且接入于所述主控芯片的第9引脚上，所述电容C9并联接入电阻R17、热敏电阻器NTC的外部，且所述热敏电阻器NTC接入地线GND中。
[0023]作为对上述方案的补充说明，通过热敏电阻器NTC上拉一个电阻R14接到主控芯片的一个IO端口，当IO端口输出高时，利用电阻R14的分压，通过电容C5滤波后串接电阻R17接到主控芯片的AD口用来检测环境的温度，中间接电容C9滤波后接到主控芯片的AD口，用于检测多士炉的工作档位，从而解决不同环境下多士炉补偿效果不一致的问题，提高补偿效果。
[0024]采用上述方案本专利技术取得的有益效果如下：本方案一种关于多士炉MCU内部RC的温度补偿方法，根据当前检测的MCU附近温度，对MCU的内部RC做相应的补偿，从而解决了当MCU温度偏度或偏高时，由于内部RC随温度的偏移而造成的工作时间偏差的问题。
附图说明
[0025]图1为本方案的关于多士炉的温度补偿方法的电路组成部分示意图；
[0026]图2为本方案关于多士炉MCU内部RC的温度补偿方法的MCB内部RC随温度变化的曲线图。
[0027]附图用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本专利技术的实施例一起用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的限制。
具体实施方式
[0028]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例；基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0029]本专利技术一种关于多士炉MCU内部RC的温度补偿方法，包括以下步骤：
[0030]步骤一：读取多士炉MCU内部RC的检测温度，根据所述检测温度来计算补偿比例，所述检测温度和和所述补偿比例呈正相关，MCU内部RC的温度值越高补偿越多；
[0031]步骤二：当所述检测温度等于环境参考温度时，确定补偿比例为0，不需要对MCU内部RC做温度补偿；
[0032]步骤三：当所述检测温度大于环境参考温度时，调小MCU的内部基准时间；
[0033]步骤四：当检测温度小于环境参考温度时，调大MCU的内部基准时间。
[0034]作为上述方案的补充说明，所述步骤三中，调小MCU的内部基准时间的步骤，包括：
[0035]按照如下公式调小MCU的内部基准时间：
[0036]调小后的MCU的内部基准时间＝t0‑
(T1‑
T
参考
)/300；
[0037]其中，所述t0为调小前的内部基准时间，所述T
参考
为所述环境参考温度，所述T1为当前所述检测温度，T1＞T
参考
。
[0038]作为上述方案的补充说明，所述步骤四中，调大MCU的内部基准时间的步骤，包括：<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种关于多士炉MCU内部RC的温度补偿方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一：读取多士炉MCU内部RC的检测温度，根据所述检测温度来计算补偿比例，所述检测温度和和所述补偿比例呈正相关；步骤二：当所述检测温度等于环境参考温度时，确定补偿比例为0，不需要对MCU内部RC做温度补偿；步骤三：当所述检测温度大于环境参考温度时，调小MCU的内部基准时间；步骤四：当检测温度小于环境参考温度时，调大MCU的内部基准时间。2.根据权利要求1所述的一种关于多士炉MCU内部RC的温度补偿方法，其特征在于：所述步骤三中，调小MCU的内部基准时间的步骤，包括：按照如下公式调小MCU的内部基准时间：调小后的MCU的内部基准时间＝t0‑
(T1‑
T
参考
)/300；其中，所述t0为调小前的内部基准时间，所述T
参考
为所述环境参考温度，所述T1为当前所述检测温度，T1＞T
参考
。3.根据权利要求2所述的一种关于多士炉MCU内部RC的温度补偿方法，其特征在于：所述步骤四中，调大MCU的内部基准时间的步骤，包括：按照如下公式调大MCU的内部基准时间：调大后的MCU的内部基准时间＝t0+(T
参考
‑
T2)/500；其中，所述t0为调大前的内部基准时间，所述T
参考
为所述环境参考温度，所述T2为当前所述检测温度，T2＜T
参考
。4.根据权利要求3所述的一种关于多士炉MCU内部RC的温度补偿方法，其特征在于：所...

【专利技术属性】
技术研发人员：张福传，张建宏，卢兆杰，
申请(专利权)人：深圳市华麒嘉电子有限公司，
类型：发明
国别省市：