存储器的检测方法及检测装置制造方法及图纸

本申请涉及一种存储器的检测方法及检测装置。所述存储器的检测方法包括如下步骤：写入数据至待测存储器，所述待测存储器包括存储单元、冗余单元和熔丝，所述熔丝用于采用所述冗余单元替换所述存储单元；调整所述待测存储器的温度，并在所述待测存储器的温度改变的过程中重复刷新所述待测存储器、以及重复录入所述熔丝的状态；判断所述待测存储器的温度是否稳定在预设温度，若是，则读取所述待测存储器的数据；判断读取的所述待测存储器的数据是否准确，若否，则确定所述熔丝存在缺陷。本申请测试方法简单，无需增加额外的测试步骤，也无需增加额外的测试时间，能够高效的筛选出有缺陷的熔丝，降低了客户端失效的概率。降低了客户端失效的概率。降低了客户端失效的概率。

【技术实现步骤摘要】
存储器的检测方法及检测装置


[0001]本申请涉及集成电路
，尤其涉及一种存储器的检测方法及检测装置。

技术介绍

[0002]动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是计算机等电子设备中常用的半导体装置，其由多个存储单元构成，每个存储单元通常包括晶体管和电容器。所述晶体管的栅极与字线电连接、源极与位线电连接、漏极与电容器电连接，字线上的字线电压能够控制晶体管的开启和关闭，从而通过位线能够读取存储在电容器中的数据信息，或者将数据信息写入到电容器中。
[0003]在动态随机存储器中，广泛采用熔丝对存储阵列中失效的存储单元进行修补，从而提升产品的良率，降低生产成本。然而，熔丝电路的增加本身也对动态随机存储器产品的测试提出了额外的要求。当前并没有有效的方法来检测熔丝的性能，从而为存储器产品市场端的应用埋下了质量隐患。
[0004]因此，如何简化熔丝缺陷的检测操作，高效的筛选出有缺陷的熔丝，提高存储器的良率，是当前亟待解决的技术问题。

技术实现思路

[0005]本申请一些实施例提供的一种存储器的检测方法及检测装置，用于简化熔丝缺陷的检测操作，高效的筛选出有缺陷的熔丝，以提高存储器的良率。
[0006]根据一些实施例，本申请提供了一种存储器的检测方法，包括如下步骤：
[0007]写入数据至待测存储器，所述待测存储器包括失效的存储单元、熔丝、以及通过所述熔丝替换失效的所述存储单元的冗余单元；
[0008]调整所述待测存储器的温度，并在所述待测存储器的温度改变的过程中重复刷新所述待测存储器、以及重复录入所述熔丝的状态；
[0009]判断所述待测存储器的温度是否稳定在预设温度，若是，则读取所述待测存储器的数据；
[0010]判断读取的所述待测存储器的数据是否准确，若否，则确定所述熔丝存在缺陷。
[0011]在一些实施例中，所述待测存储器包括多个所述存储单元，且多个所述存储单元排布成存储阵列，所述存储阵列中至少包括一个通过所述熔丝被所述冗余单元替换的失效的所述存储单元；写入数据至待测存储器的具体步骤包括：
[0012]写入数据至待测存储器至所述存储阵列写满。
[0013]在一些实施例中，调整所述待测存储器的温度的具体步骤包括：
[0014]持续升高所述待测存储器的温度。
[0015]在一些实施例中，在所述待测存储器的温度改变的过程中重复刷新所述待测存储器、以及重复录入所述熔丝的状态的具体步骤包括：
[0016]在所述待测存储器的温度升高的过程中重复执行如下步骤：
[0017]刷新所述存储阵列；
[0018]录入所述熔丝的状态。
[0019]在一些实施例中，在所述待测存储器的温度改变的过程中重复刷新所述待测存储器、以及重复录入所述熔丝的状态的具体步骤包括：
[0020]在所述待测存储器的温度升高的过程中，每隔第一预定时间执行一次刷新所述待测存储器、以及录入所述熔丝的状态的步骤。
[0021]在一些实施例中，在所述待测存储器的温度改变的过程中重复刷新所述待测存储器、以及重复录入所述熔丝的状态的具体步骤包括：
[0022]在所述待测存储器的温度升高的过程中，每隔第一预定温度间隔执行一次刷新所述待测存储器、以及录入所述熔丝的状态的步骤。
[0023]在一些实施例中，判断所述待测存储器的温度是否稳定在预设温度，若是，则读取所述待测存储器的数据的具体步骤包括：
[0024]判断所述待测存储器的温度是否稳定在第一子预设温度，若是，则读取所述存储阵列中的数据。
[0025]在一些实施例中，第一子预设温度为30℃～120℃。
[0026]在一些实施例中，在确定所述待测存储器的温度稳定在第一子预设温度并读取了所述存储阵列中的数据之后，还包括如下步骤：
[0027]持续降低所述待测存储器的温度，并在所述待测存储器的温度降低的过程中重复刷新所述待测存储器、以及重复录入所述熔丝的状态；
[0028]判断所述待测存储器的温度是否稳定在第二子预设温度，若是，则读取所述存储阵列中的数据，所述第二子预设温度低于所述第一子预设温度。
[0029]在一些实施例中，所述第二子预设温度为10℃～
‑
30℃。
[0030]在一些实施例中，降低所述待测存储器的温度之前，还包括如下步骤：
[0031]保持所述第一子预设温度一预设时间。
[0032]在一些实施例中，在所述待测存储器的温度降低的过程中重复刷新所述待测存储器、以及重复录入所述熔丝的状态的具体步骤包括：
[0033]在所述待测存储器的温度降低的过程中，每隔第二预定时间执行一次刷新所述待测存储器、以及录入所述熔丝的状态的步骤。
[0034]在一些实施例中，在所述待测存储器的温度降低的过程中重复刷新所述待测存储器、以及重复录入所述熔丝的状态的具体步骤包括：
[0035]在所述待测存储器的温度降低的过程中，每隔第二预定温度间隔执行一次刷新所述待测存储器、以及录入所述熔丝的状态的步骤。
[0036]在一些实施例中，判断读取的所述待测存储器的数据是否准确，若否，则确定所述熔丝存在缺陷的具体步骤包括：
[0037]判断在所述第一子预设温度下读取的所述存储阵列中的数据与在所述第二子预设温度下读取的所述存储阵列中的数据是否均准确，若否，则确定所述熔丝存在缺陷。
[0038]在一些实施例中，降低所述待测存储器的温度的降温速率小于升高所述待测存储器的温度的升温速率。
[0039]在一些实施例中，所述存储器为DRAM存储器，所述熔丝为电可编程熔丝。
[0040]根据另一些实施例，本申请还提供了一种存储器的检测装置，包括：
[0041]写入电路，用于写入数据至待测存储器，所述待测存储器包括失效的存储单元、熔丝、以及通过所述熔丝替换失效的所述存储单元的冗余单元；
[0042]温度调整器，用于调整所述待测存储器的温度；
[0043]处理器，用于在所述待测存储器的温度改变的过程中重复刷新所述待测存储器、以及重复录入所述熔丝的状态；
[0044]读取电路，用于判断所述待测存储器的温度是否稳定在预设温度，若是，则读取所述待测存储器的数据；
[0045]控制器，用于判断读取的所述待测存储器的数据是否准确，若否，则确定所述熔丝存在缺陷。
[0046]在一些实施例中，所述待测存储器包括多个所述存储单元，且多个所述存储单元排布成存储阵列，所述存储阵列中至少包括一个通过所述熔丝被所述冗余单元替换的失效的所述存储单元；
[0047]所述写入电路用于写入数据至待测存储器至所述存储阵列写满。
[0048]在一些实施例中，所述温度调整器用于持续升高所述待测存储器的温度。
[0049]在一些实施例中，所述处理器用于在所述待测存储器的温度升高的过程中重复执行如下步骤：本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器的检测方法，其特征在于，包括如下步骤：写入数据至待测存储器，所述待测存储器包括失效的存储单元、熔丝、以及通过所述熔丝替换失效的所述存储单元的冗余单元；调整所述待测存储器的温度，并在所述待测存储器的温度改变的过程中重复刷新所述待测存储器、以及重复录入所述熔丝的状态；判断所述待测存储器的温度是否稳定在预设温度，若是，则读取所述待测存储器的数据；判断读取的所述待测存储器的数据是否准确，若否，则确定所述熔丝存在缺陷。2.根据权利要求1所述的存储器的检测方法，其特征在于，所述待测存储器包括多个所述存储单元，且多个所述存储单元排布成存储阵列，所述存储阵列中至少包括一个通过所述熔丝被所述冗余单元替换的失效的所述存储单元；写入数据至待测存储器的具体步骤包括：写入数据至待测存储器至所述存储阵列写满。3.根据权利要求2所述的存储器的检测方法，其特征在于，调整所述待测存储器的温度的具体步骤包括：持续升高所述待测存储器的温度。4.根据权利要求3所述的存储器的检测方法，其特征在于，在所述待测存储器的温度改变的过程中重复刷新所述待测存储器、以及重复录入所述熔丝的状态的具体步骤包括：在所述待测存储器的温度升高的过程中重复执行如下步骤：刷新所述存储阵列；录入所述熔丝的状态。5.根据权利要求3所述的存储器的检测方法，其特征在于，在所述待测存储器的温度改变的过程中重复刷新所述待测存储器、以及重复录入所述熔丝的状态的具体步骤包括：在所述待测存储器的温度升高的过程中，每隔第一预定时间执行一次刷新所述待测存储器、以及录入所述熔丝的状态的步骤。6.根据权利要求3所述的存储器的检测方法，其特征在于，在所述待测存储器的温度改变的过程中重复刷新所述待测存储器、以及重复录入所述熔丝的状态的具体步骤包括：在所述待测存储器的温度升高的过程中，每隔第一预定温度间隔执行一次刷新所述待测存储器、以及录入所述熔丝的状态的步骤。7.根据权利要求3所述的存储器的检测方法，其特征在于，判断所述待测存储器的温度是否稳定在预设温度，若是，则读取所述待测存储器的数据的具体步骤包括：判断所述待测存储器的温度是否稳定在第一子预设温度，若是，则读取所述存储阵列中的数据。8.根据权利要求7所述的存储器的检测方法，其特征在于，第一子预设温度为30℃～120℃。9.根据权利要求7所述的存储器的检测方法，其特征在于，在确定所述待测存储器的温度稳定在第一子预设温度并读取了所述存储阵列中的数据之后，还包括如下步骤：持续降低所述待测存储器的温度，并在所述待测存储器的温度降低的过程中重复刷新所述待测存储器、以及重复录入所述熔丝的状态；
判断所述待测存储器的温度是否稳定在第二子预设温度，若是，则读取所述存储阵列中的数据，所述第二子预设温度低于所述第一子预设温度。10.根据权利要求9所述的存储器的检测方法，其特征在于，所述第二子预设温度为10℃～
‑
30℃。11.根据权利要求9所述的存储器的检测方法，其特征在于，降低所述待测存储器的温度之前，还包括如下步骤：保持所述第一子预设温度一预设时间。12.根据权利要求9所述的存储器的检测方法，其特征在于，在所述待测存储器的温度降低的过程中重复刷新所述待测存储器、以及重复录入所述熔丝的状态的具体步骤包括：在所述待测存储器的温度降低的过程中，每隔第二预定时间执行一次刷新所述待测存储器、以及录入所述熔丝的状态的步骤。13.根据权利要求9所述的存储器的检测方法，其特征在于，在所述待测存储器的温度降低的过程中重复刷新所述待测存储器、以及重复录入所述熔丝的状态的具体步骤包括：在所述待测存储器的温度降低的过程中，每隔第二预定温度间隔执行一次刷新所述待测存储器、以及录入所述熔丝的状态的步骤。14.根据权利要求9所述的存储器的检测方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：骆晓东，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：