一种Wafer片绝缘性测量装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及LED照明领域，尤其涉及一种Wafer片绝缘性测量装置，包括工作台和探针；所述工作台上设有Wafer片定位座、调节机构和电源；所述探针设置在调节机构上；所述探针朝向Wafer片定位座设置。本实用新型专利技术提供的Wafer片绝缘性测量装置相较于传统的测试方式，节省了人力物力，提高了测量精度。提高了测量精度。提高了测量精度。

【技术实现步骤摘要】
一种Wafer片绝缘性测量装置


[0001]本技术涉及LED照明领域，尤其涉及一种Wafer片绝缘性测量装置。

技术介绍

[0002]LED即发光二极管，是一种电能转化为光能的固态半导体器件，其制备方法可参考申请号为201410301391.0、名称为LED芯片的制备方法及LED芯片的中国专利技术专利。作为新型的发光器件，LED具有高光效、节能、使用寿命长、响应时间短、环保等优点，因此被称为最有潜力的新一代光源，在照明领域应用领域极为常见。目前一般的LED芯片工艺中都有用到SiO2作为电流阻挡层，目的是为了使电流不会直接从电极下方注入至外延层，而是扩展到整个芯片外延层以此来提高亮度，高端的LED芯片工艺中SiO2通常是作为正负极间的绝缘层。然而，若SiO2的绝缘性不够则会导致芯片漏电，降低出光效率甚至死灯，因此需要对SiO2的绝缘性进行测试。

技术实现思路

[0003]为了克服上述现有技术的缺陷，本技术所要解决的技术问题是提供一种省时省力的Wafer片绝缘性测量装置。
[0004]为了解决上述技术问题，本技术采用的技术方案为：一种Wafer片绝缘性测量装置，包括工作台和探针；
[0005]所述工作台上设有Wafer片定位座、调节机构和电源；
[0006]所述探针设置在调节机构上；
[0007]所述探针朝向Wafer片定位座设置。
[0008]进一步地，所述工作台为光学平板。
[0009]进一步地，所述Wafer片定位座和所述调节机构均与所述工作台锁接。/>[0010]进一步地，所述Wafer片定位座设有Wafer片安装槽。
[0011]进一步地，所述Wafer片安装槽的边缘具有豁口。
[0012]进一步地，还包括安装座，所述安装座设置在所述调节机构上，所述探针设置在所述安装座上。
[0013]进一步地，所述调节机构包括底座、第一电机、第一螺杆、第一移动座、第二电机、第二螺杆、第二移动座、第三电机、第三螺杆和第三移动座，所述底座设置在所述工作台上，所述第一电机设置在所述底座上，所述第一电机与所述第一螺杆连接，所述第一移动座与所述底座滑动连接，所述第一移动座与所述第一螺杆螺纹配合，所述第二电机设置在所述第一移动座上，所述第二电机与所述第二螺杆连接，所述第二移动座与所述第一移动座滑动连接，所述第二移动座与所述第二螺杆螺纹配合，所述第三电机设置在所述第二移动座上，所述第三电机与所述第三螺杆连接，所述第三移动座与所述第二移动座滑动连接，所述第三移动座与所述第三螺杆螺纹配合，所述第一螺杆、第二螺杆和第三螺杆相互垂直，所述探针设置在所述第三移动座上。
[0014]本技术的有益效果在于：提供一种Wafer片绝缘性测量装置，设计专门的Wafer片测试台，Wafer片定位座用以放置待测试Wafer片，调节机构用以调节探针的角度和位置以适应不同的测试高度、方位，调节后的探针接触待测试Wafer片的金属电极，电源与待测试Wafer片连接，若测试到的电流值在预设值以下，则SiO2的绝缘性良好，可以作为芯片的绝缘层；反之SiO2膜层作为芯片的绝缘层可能会导致芯片漏电。本技术提供的Wafer片绝缘性测量装置相较于传统的测试方式，节省了人力物力，提高了测量精度。
附图说明
[0015]图1所示为本技术实施例的Wafer片绝缘性测量装置的结构示意图；
[0016]标号说明：
[0017]1、工作台；11、Wafer片定位座；111、Wafer片安装槽；1111、豁口；12、调节机构；13、电源；2、探针；3、安装座。
具体实施方式
[0018]为详细说明本技术的
技术实现思路
、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。
[0019]本技术提供一种Wafer片绝缘性测量装置，应用在Wafer片的绝缘性测量作业中。
[0020]请参照图1所示，本技术的一种Wafer片绝缘性测量装置，包括工作台1和探针2；
[0021]所述工作台1上设有Wafer片定位座11、调节机构12和电源13；
[0022]所述探针2设置在调节机构12上；
[0023]所述探针2朝向Wafer片定位座11设置。
[0024]从上述描述可知，本技术的有益效果在于：提供一种Wafer片绝缘性测量装置，设计专门的Wafer片测试台，Wafer片定位座11用以放置待测试Wafer片，调节机构12用以调节探针2的角度和位置以适应不同的测试高度、方位，调节后的探针2接触待测试Wafer片的金属电极，电源13与待测试Wafer片连接，若测试到的电流值在预设值以下，则SiO2的绝缘性良好，可以作为芯片的绝缘层；反之SiO2膜层作为芯片的绝缘层可能会导致芯片漏电。本技术提供的Wafer片绝缘性测量装置相较于传统的测试方式，节省了人力物力，提高了测量精度。
[0025]在可选实施例中，所述工作台1为光学平板。
[0026]在可选实施例中，所述Wafer片定位座11和所述调节机构12均与所述工作台1锁接。
[0027]从上述描述可知，Wafer片定位座11和调节机构12通过螺丝与工作台1锁接。
[0028]在可选实施例中，所述Wafer片定位座11设有Wafer片安装槽111。
[0029]从上述描述可知，Wafer片安装槽111用以放置沉积有SiO2膜层并蒸镀完金属电极的Wafer片。
[0030]在可选实施例中，所述Wafer片安装槽111的边缘具有豁口1111。
[0031]从上述描述可知，豁口1111起到便于Wafer产品取放的作用。
[0032]在可选实施例中，还包括安装座3，所述安装座3设置在所述调节机构12上，所述探针2设置在所述安装座3上。
[0033]从上述描述可知，探针2与安装座3可拆卸连接，方便拆装和调试。
[0034]在可选实施例中，所述调节机构12包括底座、第一电机、第一螺杆、第一移动座、第二电机、第二螺杆、第二移动座、第三电机、第三螺杆和第三移动座，所述底座设置在所述工作台1上，所述第一电机设置在所述底座上，所述第一电机与所述第一螺杆连接，所述第一移动座与所述底座滑动连接，所述第一移动座与所述第一螺杆螺纹配合，所述第二电机设置在所述第一移动座上，所述第二电机与所述第二螺杆连接，所述第二移动座与所述第一移动座滑动连接，所述第二移动座与所述第二螺杆螺纹配合，所述第三电机设置在所述第二移动座上，所述第三电机与所述第三螺杆连接，所述第三移动座与所述第二移动座滑动连接，所述第三移动座与所述第三螺杆螺纹配合，所述第一螺杆、第二螺杆和第三螺杆相互垂直，所述探针2设置在所述第三移动座上。
[0035]从上述描述可知，利用三组电机、螺杆和移动座分别在三个方向上实现探针2的位置调节，提高装置的测试效率和精度。
[0036]本技术的工作原理是：使用时将沉积有SiO2膜层并蒸镀完金属电极(本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Wafer片绝缘性测量装置，其特征在于，包括工作台和探针；所述工作台上设有Wafer片定位座、调节机构和电源；所述探针设置在调节机构上；所述探针朝向Wafer片定位座设置；所述调节机构包括底座、第一电机、第一螺杆、第一移动座、第二电机、第二螺杆、第二移动座、第三电机、第三螺杆和第三移动座，所述底座设置在所述工作台上，所述第一电机设置在所述底座上，所述第一电机与所述第一螺杆连接，所述第一移动座与所述底座滑动连接，所述第一移动座与所述第一螺杆螺纹配合，所述第二电机设置在所述第一移动座上，所述第二电机与所述第二螺杆连接，所述第二移动座与所述第一移动座滑动连接，所述第二移动座与所述第二螺杆螺纹配合，所述第三电机设置在所述第二移动座上，所述第三电机与所述第三螺杆连接，所述第三移动座与所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄章挺，
申请(专利权)人：福建兆元光电有限公司，
类型：新型
国别省市：